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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
ABZT52C2V7-HF	0.0690	RFQ	5567	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7.41%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABZT52C2V7-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		20 µa @ 1 v						2.7 v	100 옴
MMSZ4717-HF	0.0476	RFQ	3227	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4717		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		10 na @ 32.6 v						43 v
CZRF52C3V3	0.4300	RFQ	35	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000													900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v						3.3 v	95 옴
MBRF10150CT-HF	-	RFQ	7110	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBRF1015	Schottky		ITO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBRF10150CT-HF	쓸모없는		50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	150 v	10A	870 mV @ 5 a		100 µa @ 150 v	175 ° C
GBU10005-G	1.4400	RFQ	138	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU10005	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20													1 V @ 5 a		10 µa @ 50 v		10 a		단일 단일	50 v
1N5402T-G	0.1260	RFQ	3654	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5402	기준		DO-27 (DO-201AD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		짐									200 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
Czrer52C5V1-HF	-	RFQ	4725	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c5v1		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000													900 mV @ 10 ma		100 NA @ 800 MV						5.1 v	60 옴
ACZRM5238B-HF	0.0610	RFQ	2442	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5238		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															3 µa @ 6.5 v						8.7 v	8 옴
CZRUR12VB-HF	0.0680	RFQ	7696	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur12		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000													900 mV @ 10 ma		100 na @ 9.1 v						12 v	22 옴
AMMSZ5238B-HF	0.0725	RFQ	9768	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5238		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5238B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v						8.7 v	8 옴
CDBVF240-HF	0.4400	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	CDBVF240	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v		480 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 100 ° C	2A	-
BAT54-HF	0.2100	RFQ	41	comchip 기술	BAT54-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도									30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
CZRT5232B-G	0.0476	RFQ	3662	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5232		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		5 µa @ 3 v						5.6 v	11 옴
CZRB3019-G	-	RFQ	9057	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3019		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 14.4 v						19 v	7 옴
CZRA5955B-G	0.1352	RFQ	9613	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5955		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 136.8 v						180 v	900 옴
CZRA4756-G	0.1550	RFQ	3691	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA4756		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRA4756-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,000															5 µa @ 35.8 v						47 v	80 옴
CZRF52C16	0.0805	RFQ	6455	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000													900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v						16 v	40
CEFC304-G	-	RFQ	4986	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	CEFC304	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	10 µa @ 400 v	150 ° C (°)	3A	-
BZX84C3V6CC-HF	0.0492	RFQ	3791	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.56%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C3		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C3V6CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 a		5 µa @ 1 v						3.6 v	90 옴
CZRB5374B-HF	0.6300	RFQ	3	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5374		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 56 v						75 v	45 옴
CZRA4747-G	0.1550	RFQ	6906	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4747		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 15.2 v						20 v	22 옴
MMSZ5230B-HF	0.0487	RFQ	8185	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5230		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5230B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v						4.7 v	19 옴
CMSBN4612-HF	0.2539	RFQ	6193	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C	표면 표면	4-SMD,, 없음	CMSBN4612	MOSFET (금속 (()	1.4W (TA)	CSPB1313-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		22V	6A (TA)	36mohm @ 3a, 4.5v	1.3V @ 250µA	7.2NC @ 10V	-	-
CSFA105-G	0.4300	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CSFA105	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		1.5 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N4002B-G	0.2100	RFQ	8	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4002	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		짐									100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CEFM103-G	-	RFQ	7596	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		기준		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		875 mv @ 1 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4002-G	0.2100	RFQ	13	comchip 기술	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4002	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐									100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CZRA4733-G	0.1550	RFQ	7665	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4733		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000													1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v						5.1 v	7 옴
CZRB3068-G	-	RFQ	3642	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3068		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 51.7 v						68 v	70 옴
CZRB3036-G	-	RFQ	7595	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3036		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 27.4 v						36 v	22 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²