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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CDBM240-G	0.1889	RFQ	8685	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	CDBM240	Schottky		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q5880300	귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
CDBER0230L-HF	0.0667	RFQ	8582	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDBER0230	Schottky		0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		500 mV @ 200 mA		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
BZT52B33-HF	0.0418	RFQ	1568	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B33-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 23 v				33 v	75 옴
CSFA102-G	0.1159	RFQ	7673	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CSFA102	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 100 v	150 ° C (°)	1A	-
CDBC360-G	0.5000	RFQ	9	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC360	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 3 a		500 µa @ 60 v	125 ° C (°)	3A	-
CDBMT220-HF	-	RFQ	9931	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		Schottky		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
CZRC5375B-HF	-	RFQ	4588	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5375B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 62.2 v				82 v	65 옴
CZRL55C2V7-G	-	RFQ	3928	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 7.41%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C2V7-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v				2.7 v	85 옴
CZRL55C3V6-G	-	RFQ	1119	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.56%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C3V6-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v				3.6 v	90 옴
CZRA4744-G	0.1550	RFQ	9535	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4744		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 11.4 v				15 v	14 옴
CGRC506-G	0.2232	RFQ	3835	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CGRC506	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1.15 V @ 5 a		10 µa @ 800 v	150 ° C (°)	5a	-
BZX84C30CC-HF	0.0492	RFQ	4695	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.67%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C30		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C30CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 a		50 na @ 21 v				30 v	80 옴
CDBU0240-HF	0.0805	RFQ	3200	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBU0240	Schottky		0603C/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		550 mV @ 200 mA		10 µa @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
ACZRM5244B-HF	0.0610	RFQ	7330	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5244		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 10 v				14 v	15 옴
CGRB304-G	0.4900	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CGRB304	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		400 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 400 v	150 ° C (°)	3A	-
ACEFN103-HF	0.4700	RFQ	15	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACEFN103	기준		1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
CDBZ2240-HF	-	RFQ	5370	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									다운로드		1 (무제한)		641-CDBZ2240-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000
6A06B-G	0.2261	RFQ	7369	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	200	짐		600 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
ACZRC5381B-G	0.3480	RFQ	5992	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5381		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 98.8 v				130 v	190 옴
CSFB205-G	0.1328	RFQ	4112	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CSFB205	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 600 v	150 ° C (°)	2A	-
CFRC303-G	0.2233	RFQ	7278	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CFRC303	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	5 µa @ 200 v	150 ° C (°)	3A	-
ACDBN120-HF	-	RFQ	2967	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD	ACDBN120	Schottky		1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		320 MV @ 100 ma		200 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
CDBA220LL-G	-	RFQ	1878	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA220	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		340 mV @ 2 a		1 ma @ 20 v	125 ° C (°)	2A	-
CDBB3200LR-HF	0.2096	RFQ	2893	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB3200	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		850 mV @ 3 a		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
SB520E-G	0.3200	RFQ	6516	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB520	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SB520ET-G	귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 125 ° C	5a	500pf @ 4V, 1MHz
ACDSV6-4448TI-G	0.4400	RFQ	41	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	ACDSV6	기준		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	3 독립	80 v	100ma	1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 75 v	150 ° C (°)
CGRB307-HF	0.1328	RFQ	3130	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CGRB307	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRB307-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1000 v		1.15 V @ 3 a		10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CZRB5371B-HF	0.2401	RFQ	9385	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5371		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 42.5 v				60 v	40
CDBFR0230R	0.0805	RFQ	8206	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBFR0230	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
CDSER4148-HF	-	RFQ	4940	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDSER4148	기준		0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1 V @ 50 ma	4 ns	2.5 µa @ 75 v	125 ° C (°)	150ma	4pf @ 0V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²