RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CURC304-HF	0.2175	RFQ	2921	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CURC304	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CURC304-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	5 µa @ 400 v	150 ° C	3A	-
CDBZ2240-HF	-	RFQ	5370	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									다운로드		1 (무제한)		641-CDBZ2240-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000
CDBA240-HF	0.4700	RFQ	44	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA240	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	125 ° C (°)	2A	-
CGRKM4003-HF	0.0800	RFQ	6137	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	CGRKM4003	기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRKM4003-HFTR	귀 99	8541.10.0080	2,500	짐		200 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CDBK0530-HF	-	RFQ	1264	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		470 mV @ 500 mA		100 µa @ 20 v	125 ° C (°)	500ma	100pf @ 0V, 1MHz
CZRW4697-G	-	RFQ	3088	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4697-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 7.6 v				10 v
CFRMT104-HF	0.1426	RFQ	8030	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CFRMT104	기준		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
US2G-HF	0.4000	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US2G	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
CDBFR0520-HF	-	RFQ	7719	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)		Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBFR0520-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		470 mV @ 500 mA		100 µa @ 20 v	125 ° C	500ma	100pf @ 0V, 1MHz
CDBV3-70-G	-	RFQ	5644	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-70, SOT-323	CDBV3-70	Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		70 v		1 V @ 15 ma	2 ns	100 na @ 50 v	125 ° C (°)	70ma	5pf @ 0V, 1MHz
BAS316-HF	0.1700	RFQ	8047	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	BAS316	기준		SOD-323	-		1 (무제한)					3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	250ma	4pf @ 0V, 1MHz
CDBB360-HF	0.5000	RFQ	53	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB360	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 3 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
CDBJSC10650-G	5.0000	RFQ	472	comchip 기술	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	CDBJSC10650	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	50	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.7 V @ 10 a	0 ns	100 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	710pf @ 0v, 1MHz
CDBB3150-HF	0.5000	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB3150	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		870 mV @ 30 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
SB340E-G	0.5800	RFQ	12	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB340	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
Czrer52c10	-	RFQ	9287	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 7.5 v				10 v	15 옴
ACDBB340-HF	0.1581	RFQ	5500	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		Schottky		SMB/DO-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ACDBB340-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	150pf @ 4V, 1MHz
ABZT52B51-HF	0.0690	RFQ	8075	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52B51-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 35.7 v				51 v	100 옴
US5GB-HF	0.1783	RFQ	8278	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US5G	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US5GB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 5 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
CDBU0245	0.0775	RFQ	5184	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBU0245	Schottky		0603/SOD-523F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBU0245TR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		45 v		550 mV @ 200 mA		1 µa @ 10 v	125 ° C	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
CDBHA1060-HF	0.3542	RFQ	8836	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	CDBHA1060	Schottky		TO-277B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBHA1060-HFTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		530 mv @ 10 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
CZRL5242B-G	-	RFQ	2657	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CZRL5242		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v				12 v	30 옴
UF4008-G	0.3900	RFQ	8	comchip 기술	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4008	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
CDBA120LL-G	-	RFQ	2882	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA120	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		310 mv @ 1 a		1 ma @ 20 v	125 ° C (°)	1A	-
MBRF20200CT-HF	-	RFQ	2216	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky		ITO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBRF20200CT-HF	쓸모없는		50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	20A	900 mV @ 10 a		100 µa @ 200 v	175 ° C
S2T-HF	0.1172	RFQ	4317	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S2T	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1300 v		1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 1300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5A	-
CZRT55C12-G	0.0620	RFQ	7573	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v				12 v	25 옴
CZRL5241B-G	-	RFQ	1802	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CZRL5241		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 ma		2 µa @ 8.4 v				11 v	22 옴
CDBC320LR-HF	0.2320	RFQ	1864	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC320	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		400 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
CZRB3068-HF	-	RFQ	5399	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3068-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 51.7 v				68 v	70 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²