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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SS54BF-HF	0.1697	RFQ	4143	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	SS54	Schottky		SMBF	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 5 a		1 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	800pf @ 4V, 1MHz
ACDST-70-HF	0.0503	RFQ	1587	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ACDST-70-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	70 v	200ma	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µa @ 70 v	-55 ° C ~ 150 ° C
Czrer5v1b-Hf	-	RFQ	3409	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v				5.1 v	50 옴
CDBQC0240LR-HF	0.3300	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CDBQC0240	Schottky		0402C/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		580 mV @ 200 mA		5 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	200ma	25pf @ 1v, 1MHz
SS220B-HF	0.0990	RFQ	2447	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS220	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 2 a		300 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	110pf @ 4V, 1MHz
SS220F-HF	0.0806	RFQ	2206	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS220	Schottky		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 2 a		300 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	80pf @ 4V, 1MHz
CZRA4746-HF	0.1550	RFQ	9794	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4746		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 13.7 v				18 v	20 옴
CZRU52C24	0.3300	RFQ	7	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C24		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 18 v				24 v	80 옴
CDBH3-54C-G	-	RFQ	4192	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-523		Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)
ES1GWF-HF	0.0690	RFQ	2598	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	es1g	기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ES1GWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
czru8v2b-Hf	0.0680	RFQ	3264	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czru8v2		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		500 NA @ 6.5 v				8.2 v	7 옴
Czrer52c6v8-Hf	-	RFQ	8452	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 3 v				6.8 v	8 옴
CDBB260SLR-HF	-	RFQ	8852	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB260	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5242A-HF	0.0556	RFQ	4434	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5242		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5242A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		1 µa @ 9.1 v				12 v	30 옴
SS320F-HF	0.0870	RFQ	5627	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS320	Schottky		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 3 a		300 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	180pf @ 4V, 1MHz
ACZRM5232B-HF	0.0610	RFQ	9662	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5232		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							5 µa @ 3 v				5.6 v	11 옴
AMMSZ5236B-HF	0.0725	RFQ	2187	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5236		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5236B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6 v				7.5 v	6 옴
CDBA1100LR-HF	0.1349	RFQ	5699	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA1100	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		750 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
S2KB-HF	0.0863	RFQ	8651	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S2KB	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S2KB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
Curn103-HF	0.5200	RFQ	785	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	Curn103	기준		1206/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	50 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
CZRC5354B-G	-	RFQ	3675	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5354B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 12.9 v				17 v	2.5 옴
CZRFR15VB-HF	-	RFQ	6697	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR15		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v				15 v	32 옴
CZRV5243B-G	0.0595	RFQ	8153	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-60 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CZRV5243		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		500 NA @ 9.9 v				13 v	13 옴
CZRUR20VB-HF	0.0680	RFQ	5331	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur20		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v				20 v	48 옴
CZRQC36VB-HF	0.0652	RFQ	5809	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQC36		125 MW	0402C/SOD-923F	-	rohs 준수			641-CZRQC36VB-HFTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v				36 v	95 옴
6A06-G	0.2312	RFQ	9215	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	짐		600 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
CDBD2050-HF	-	RFQ	3817	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		Schottky		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	50 v	20A (DC)	750 mv @ 10 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
RS5MC-HF	0.1783	RFQ	3484	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	Rs5m	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS5MC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 5 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
CDBP00340-G	0.0799	RFQ	9118	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-723	CDBP00340	Schottky		SOD-723	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		370 mV @ 1 ma		500 NA @ 30 v	125 ° C (°)	30ma	2pf @ 1v, 1MHz
CDBC260LR-HF	0.2170	RFQ	7248	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC260	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		550 mV @ 2 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²