RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CDBV3-40C-G	0.0640	RFQ	2173	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	CDBV3-40	Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	125 ° C (°)
ASS8550-H-HF	0.0682	RFQ	9229	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ASS8550		300MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ASS8550-H-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000											25 v	1.5 a			100NA			PNP	500mv @ 80ma, 800ma	120 @ 100MA, 1V	100MHz
CDBMT220-HF	-	RFQ	9931	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		Schottky		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
DF1502S-G	0.2210	RFQ	7316	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DF1502	기준		DFS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1.5 a		10 µa @ 200 v		1.5 a				단일 단일	200 v
US3BB-HF	0.1063	RFQ	6664	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US3B	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US3BB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
ACDBMS260-HF	0.3700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		660 mV @ 2 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	95pf @ 4V, 1MHz
FR205GT-G	0.0600	RFQ	3699	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR205GT-GTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 2 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
US5KC-HF	0.1426	RFQ	5141	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	US5K	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US5KC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.65 V @ 5 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4690-HF	0.0476	RFQ	7942	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4690		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 4 v									5.6 v
RS2AWF-HF	0.0863	RFQ	8176	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	RS2A	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS2AWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
CZRW4689-G	-	RFQ	7052	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4689-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 3 v									5.1 v
ACDBN160-HF	-	RFQ	8535	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACDBN160	Schottky		1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		200 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
B0540W-HF	0.4800	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		510mV @ 500 mA	4 ns	20 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	170pf @ 0V, 1MHz
CZRL5262B-G	-	RFQ	5141	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CZRL5262		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 ma		100 na @ 39 v									51 v	125 옴
Czrur52c6v2-Hf	0.0667	RFQ	8433	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czrur52c6v2		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 2 v									6.2 v	10 옴
CDBB3200-G	0.1922	RFQ	6020	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB3200	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 3 a		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
ACZRW5225B-HF	0.0511	RFQ	2260	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5225B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		50 µa @ 1 v									3 v	30 옴
CDBJSC51200-G	-	RFQ	7085	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	CDBJSC51200	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-220-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	50	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		1200 v		1.7 V @ 5 a	0 ns	100 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	475pf @ 0V, 1MHz
ACZRW5243B-HF	0.0511	RFQ	1441	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5243B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		500 NA @ 9.9 v									13 v	13 옴
CZRB5343B-HF	0.8100	RFQ	14	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5343		5 w	SMB (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 5.7 v									7.5 v	1.5 옴
CZRC5373B-HF	-	RFQ	7961	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5373B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 51.7 v									68 v	44 옴
CZRFR52C2V7	0.0805	RFQ	3650	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v									2.7 v	83 옴
BZX84C5V1CC-HF	0.0492	RFQ	9961	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C5		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C5V1CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 a		2 µa @ 2 v									5.1 v	60 옴
CDBMTS150-HF	-	RFQ	2266	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CDBD10150-HF	-	RFQ	6710	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		Schottky		D2PAK	-		1 (무제한)		641-CDBD10150-HF	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	10A	1 V @ 5 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
CZRU16VB-HF	0.0680	RFQ	8110	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czru16		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v									16 v	36 옴
CDSF355B-HF	0.0603	RFQ	6280	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDSF355	기준		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0.5V, 1MHz
CZRU52C30	0.0621	RFQ	5135	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C30		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v									30 v	80 옴
MBRF1060CT-HF	-	RFQ	7120	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBRF106	Schottky		ITO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBRF1060CT-HF	쓸모없는		50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	10A	750 mV @ 5 a		100 µa @ 60 v	175 ° C
US2AB-HF	0.1035	RFQ	6628	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US2A	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US2AB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²