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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N4002-G	0.2100	RFQ	13	comchip 기술	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4002	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐	100 v	1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
S3GB-HF	0.0932	RFQ	9390	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S3GB	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S3GB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	400 v	1.1 v @ 3 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	35pf @ 4V, 1MHz
CZRA4733-G	0.1550	RFQ	7665	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4733		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v									5.1 v	7 옴
Czrnc55c4v7-g	-	RFQ	6433	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000			1.5 v @ 200 ma		500 na @ 1 v									4.7 v	70 옴
SB140E-G	0.4300	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SB140	Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
CZRA4752-G	0.1550	RFQ	8270	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4752		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 25.4 v									33 v	45 옴
ACZRC5347B-G	0.3480	RFQ	1782	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5347		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		5 µa @ 7.6 v									10 v	2 옴
CDBB5200-HF	0.2828	RFQ	8035	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB5200	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	900 mV @ 5 a		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	5a	380pf @ 4V, 1MHz
S10KC-HF	0.1961	RFQ	4452	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S10K	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S10KC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	800 v	1 V @ 10 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	100pf @ 4V, 1MHz
TB2S-G	-	RFQ	4857	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		TBS	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500			950 mV @ 400 mA		10 µa @ 200 v		800 MA				단일 단일	200 v
CDBQR0140L-HF	0.0559	RFQ	2446	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR0140	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	40 v	550 mV @ 100 ma		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
CDBB360-G	0.5000	RFQ	77	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB360	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	60 v	700 mv @ 3 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CZRW4709-G	-	RFQ	1018	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4709-GTR	귀 99	8541.10.0050	1			900 mV @ 10 ma		10 na @ 18.2 v									24 v
ES2D-HF	0.4200	RFQ	600	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	1 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
MMBT5551-HF	0.2600	RFQ	3	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT5551		300MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	3,000									160 v	600 MA			50NA (ICBO)			NPN	200mv @ 5ma, 50ma	200 @ 10ma, 5V	300MHz
CDBF0240-HF	0.0864	RFQ	5442	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF0240	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	40 v	550 mV @ 200 mA		10 µa @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
1N5245B-G	-	RFQ	7185	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5245B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 11 v									15 v	16 옴
RS1DWF-HF	0.0595	RFQ	4731	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	RS1D	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS1DWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CDBMTS230-HF	-	RFQ	7937	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	30 v	500 mV @ 2 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
Czrer52c18	0.0810	RFQ	9182	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v									18 v	50 옴
Czrer4v7b-Hf	-	RFQ	3647	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1.5 v									4.7 v	70 옴
CZRC5379B-HF	-	RFQ	4484	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5379B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 83.6 v									110 v	125 옴
ACZRC5383B-G	0.3480	RFQ	4713	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5383		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 114 v									150 v	330 옴
CZRW5256B-G	0.0556	RFQ	2817	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW5256		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v									30 v	49 옴
CZRW4691-G	-	RFQ	2882	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4691-GTR	귀 99	8541.10.0050	1			900 mV @ 10 ma		10 µa @ 5 v									6.2 v
CZRNC55C24-G	-	RFQ	7539	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 18 v									24 v	80 옴
ACGRC502-G	0.2501	RFQ	8952	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AB, SMC	ACGRC502	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	100 v	1.15 V @ 5 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	25pf @ 4V, 1MHz
CZRA4748-G	0.1550	RFQ	1501	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4748		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 16.7 v									22 v	23 옴
CZRQR4V7B-HF	-	RFQ	6772	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR4		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q5848772	귀 99	8541.10.0050	5,000			900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1.5 v									4.7 v	70 옴
UF3007-HF	0.1615	RFQ	3409	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	UF3007	기준		DO-27	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	800 v	1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²