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불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
CUR806-G Comchip Technology CUR806-G -
RFQ
 ECAD 3965 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 cur80 기준 TO-220AC - Rohs3 준수 641-cur806-g 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 40pf @ 4V, 1MHz
GBU604-G Comchip Technology GBU604-G 0.9200
RFQ
 ECAD 2522 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU604 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 3 a 10 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
DF04-G Comchip Technology DF04-G 0.6100
RFQ
 ECAD 227 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DF04 기준 4-DF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 400 v 1 a 단일 단일 400 v
RS2AWF-HF Comchip Technology RS2AWF-HF 0.0863
RFQ
 ECAD 8176 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RS2A 기준 SOD-123F - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-RS2AWF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
KBU6005-G Comchip Technology KBU6005-G -
RFQ
 ECAD 4078 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU - 641-KBU6005-G 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 3 a 10 µa @ 50 v 6 a 단일 단일 50 v
DF206SP-G Comchip Technology DF206SP-G -
RFQ
 ECAD 4249 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DFS - 641-DF206SP-G 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
GBJ2501-06-G Comchip Technology GBJ2501-06-G 1.5677
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2501 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 100 v 4.2 a 단일 단일 100 v
GBPC2501W-G Comchip Technology GBPC2501W-G 2.8652
RFQ
 ECAD 2044 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2501 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
CDSUR400 Comchip Technology CDSUR400 0.0575
RFQ
 ECAD 8521 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 기준 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 v 125 ° C (°) 100ma 3pf @ 0.5V, 1MHz
SB520E-G Comchip Technology SB520E-G 0.3200
RFQ
 ECAD 6516 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB520 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SB520ET-G 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 5a 500pf @ 4V, 1MHz
CZRF52C22 Comchip Technology CZRF52C22 0.0805
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
GBPC1501W-G Comchip Technology GBPC1501W-G -
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC1501 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
BR25005W-G Comchip Technology BR25005W-G -
RFQ
 ECAD 8575 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, Br-W 기준 Br-W 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
KBPC2502W-G Comchip Technology KBPC2502W-G 6.4852
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC2502 기준 KBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
CZRNC55C8V2-G Comchip Technology Czrnc55c8v2-g -
RFQ
 ECAD 4150 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 1206 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v 7 옴
CZRFR6V2B-HF Comchip Technology CZRFR6V2B-HF -
RFQ
 ECAD 8423 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR6 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
CZRB5339B-HF Comchip Technology CZRB5339B-HF 0.8600
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB5339 5 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 1 옴
RB521S-30-HF Comchip Technology RB521S-30-HF 0.2600
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB521S Schottky SOD-523 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v - 200ma -
CZRQR5V1B-HF Comchip Technology CZRQR5V1B-HF -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQR5 125 MW 0402 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 50 옴
DF08S-HF Comchip Technology DF08S-HF -
RFQ
 ECAD 7387 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DFS 다운로드 641-DF08S-HF 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
MMBTA56-HF Comchip Technology MMBTA56-HF 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA56 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 1µA PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 50MHz
ES2JWF-HF Comchip Technology ES2JWF-HF 0.0828
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F ES2J 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-es2jwf-hftr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.68 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
CDBC520-HF Comchip Technology CDBC520-HF 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CDBC520 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a 380pf @ 4V, 1MHz
GBJ2504-06-G Comchip Technology GBJ2504-06-G 1.5677
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2504 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
CMS42P03V8-HF Comchip Technology CMS42P03V8-HF -
RFQ
 ECAD 6389 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS42P03V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 42A (TC) 4.5V, 10V 15ohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 20V 2215 pf @ 15 v - 1.67W (TA), 37W (TC)
ES2EB-HF Comchip Technology ES2EB-HF 0.1035
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2E 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ES2EB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
UF4007-G Comchip Technology UF4007-G -
RFQ
 ECAD 8501 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4007 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
DTA143XCA-HF Comchip Technology DTA143XCA-HF 0.0534
RFQ
 ECAD 2122 0.00000000 comchip 기술 DTA143XCA-HF 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-DTA143XCA-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
CZRL55C9V1-G Comchip Technology CZRL55C9V1-G -
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.04% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRL55C9V1-GTR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
CDBHM2200L-HF Comchip Technology CDBHM2200L-HF 0.2665
RFQ
 ECAD 6082 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 CDBHM2200 Schottky MBS - 1 (무제한) 641-CDBHM2200L-HFTR 3,000 0.9 v @ 2 a 50 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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