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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1SS400-G	0.0460	RFQ	8563	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523	1SS400	기준		SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1.2 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0.5V, 1MHz
ACZRC5345B-G	0.3480	RFQ	4185	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5345		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		10 µa @ 6.6 v						8.7 v	2 옴
Czrer52c3v9-Hf	-	RFQ	6846	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v						3.9 v	500 옴
CDBFR0230R	0.0805	RFQ	8206	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBFR0230	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
CDBF42	0.0680	RFQ	4845	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)		Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
ACZRA4735-HF	0.1711	RFQ	6393	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4735		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v						6.2 v	2 옴
CDBV6-00340TI-G	0.0990	RFQ	1954	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	CDBV6-00340	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	3 독립	40 v	30MA (DC)	370 mV @ 1 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)
CDBV3-54-G	-	RFQ	5430	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-70, SOT-323		Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
CZRC5354B-G	-	RFQ	3675	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5354B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 12.9 v						17 v	2.5 옴
MMSZ5242B-HF	0.0487	RFQ	9197	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5242		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5242B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v						12 v	30 옴
DF204S-G	0.6400	RFQ	1	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DF204	기준		DFS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 2 a		10 µa @ 400 v		2 a		단일 단일	400 v
CZRSC55C2V0-G	-	RFQ	7060	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	0805 (2012 5)			500MW	0805	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		100 µa @ 4 v						2 v	85 옴
CZRV5256B-G	0.0595	RFQ	9287	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-60 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CZRV5256		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v						30 v	49 옴
ACGRBT201-HF	0.1682	RFQ	1371	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACGRBT201	기준		2114/do-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		960 MV @ 2 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	14pf @ 4V, 1MHz
CZRQR3V3B-HF	0.3700	RFQ	211	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR3		125 MW	0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v						3.3 v	95 옴
ACGRAT101L-HF	0.1025	RFQ	1918	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2010 (5025 5)	acgrat101	기준		2010 년 년	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
CZRQR27VB-HF	-	RFQ	7140	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR27		125 MW	0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v						27 v	70 옴
SS120-HF	0.0630	RFQ	9900	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS120	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 1 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	80pf @ 4V, 1MHz
CGRB202-G	0.1018	RFQ	15	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CGRB202	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 100 v	150 ° C (°)	2A	-
ACZRC5370B-G	0.9000	RFQ	1	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5370		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 42.6 v						56 v	35 옴
CDST-16-G	0.0368	RFQ	4545	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CDST-16	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µa @ 75 v	150 ° C (°)	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
MMSZ4695-HF	0.0476	RFQ	2783	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4695		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 6.6 v						8.7 v
B4S-G	0.3900	RFQ	1	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	B4S	기준		MBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000					1.1 v @ 800 ma		5 µa @ 400 v		800 MA		단일 단일	400 v
CZRB5388B-HF	0.2401	RFQ	8911	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5388		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 152 v						200 v	480 옴
ACGRAT105L-HF	0.4000	RFQ	54	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2010 (5025 5)	acgrat105	기준		2010 년 년	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		930 MV @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.2pf @ 4V, 1MHz
CDBM230-HF	-	RFQ	4650	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		Schottky		SMA/SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
czru2v7b	0.0680	RFQ	5401	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czru2v7		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v						2.7 v	100 옴
AMMSZ5236B-HF	0.0725	RFQ	2187	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5236		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5236B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6 v						7.5 v	6 옴
CDBJSC5650-G	2.7000	RFQ	453	comchip 기술	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	CDBJSC5650	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	50	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.7 V @ 5 a	0 ns	100 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	430pf @ 0V, 1MHz
Acurn105-HF	0.4200	RFQ	1	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SMD	ACURN105	기준		1206/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²