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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
ACGRBT201-HF	0.1682	RFQ	1371	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACGRBT201	기준		2114/do-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		960 MV @ 2 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	14pf @ 4V, 1MHz
CDBMHT120-HF	-	RFQ	3893	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		Schottky		SOD-123HT	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
MBR2060CD-HF	0.3676	RFQ	8507	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBR2060	Schottky		D-PAK (TO-252)	-		1 (무제한)		641-MBR2060CD-HFTR			2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	20A	800 mV @ 10 a		50 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C
US3BC-HF	0.1471	RFQ	8720	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	US3B	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US3BC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CZRT5227B-HF	0.0620	RFQ	6057	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5227		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRT5227B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v									3.6 v	24 옴
RS2JB-HF	0.0828	RFQ	3289	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	RS2J	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS2JB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 2 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
ES2JB-HF	0.1035	RFQ	2704	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES2J	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ES2JB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.68 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
CFRM106-HF	-	RFQ	2041	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		기준		SMA/SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CZRU52C15-HF	0.0621	RFQ	9404	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C15		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v									15 v	30 옴
ACDBCT340-HF	0.2610	RFQ	3024	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACDBCT340	Schottky		3220/do-214ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	180pf @ 4V, 1MHz
CZRSC55C6V2-G	-	RFQ	9282	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	0805 (2012 5)			500MW	0805	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 15.2 v									6.2 v	10 옴
ACGRC504-G	0.2501	RFQ	3114	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AB, SMC	ACGRC504	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		400 v		1.15 V @ 5 a		5 µa @ 1700 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	25pf @ 4V, 1MHz
CDBF42	0.0680	RFQ	4845	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)		Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
MMBZ5251A-HF	0.0556	RFQ	3091	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5251		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5251A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		100 na @ 17 v									22 v	29 옴
CDBV3-40C-G	0.0640	RFQ	2173	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	CDBV3-40	Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	125 ° C (°)
1N5402T-G	0.1260	RFQ	3654	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5402	기준		DO-27 (DO-201AD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	짐		200 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
ASS8550-H-HF	0.0682	RFQ	9229	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ASS8550		300MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ASS8550-H-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000											25 v	1.5 a			100NA			PNP	500mv @ 80ma, 800ma	120 @ 100MA, 1V	100MHz
CDBMT220-HF	-	RFQ	9931	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		Schottky		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
DF1502S-G	0.2210	RFQ	7316	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DF1502	기준		DFS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1.5 a		10 µa @ 200 v		1.5 a				단일 단일	200 v
US3BB-HF	0.1063	RFQ	6664	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US3B	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US3BB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
ACDBMS260-HF	0.3700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		660 mV @ 2 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	95pf @ 4V, 1MHz
FR205GT-G	0.0600	RFQ	3699	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR205GT-GTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 2 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
US5KC-HF	0.1426	RFQ	5141	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	US5K	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US5KC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.65 V @ 5 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4690-HF	0.0476	RFQ	7942	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4690		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 4 v									5.6 v
RS2AWF-HF	0.0863	RFQ	8176	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	RS2A	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS2AWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
CZRW4689-G	-	RFQ	7052	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4689-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 3 v									5.1 v
ACDBN160-HF	-	RFQ	8535	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACDBN160	Schottky		1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		200 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
B0540W-HF	0.4800	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		510mV @ 500 mA	4 ns	20 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	170pf @ 0V, 1MHz
CZRL5262B-G	-	RFQ	5141	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CZRL5262		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 ma		100 na @ 39 v									51 v	125 옴
Czrur52c6v2-Hf	0.0667	RFQ	8433	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czrur52c6v2		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 2 v									6.2 v	10 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²