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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | BAT54A-G | 0.2300 | ![]() | 117 | 0.00000000 | comchip 기술 | BAT54-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 30 v | 200MA (DC) | 1 v @ 100 ma | 5 ns | 2 ma @ 25 v | 125 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ABZT52B9V1-HF | 0.0690 | ![]() | 8681 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.98% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-ABZT52B9V1-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 450 na @ 6 v | 9.1 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US8MC-HF | 0.2501 | ![]() | 7498 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | US8m | 기준 | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-US8MC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 55pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
Cgrat104L-HF | - | ![]() | 3592 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 기준 | 2010/DO-214AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 641-CGRAT104L-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 800 v | 930 MV @ 1 a | 5 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8.2pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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FR607T-G | 0.2684 | ![]() | 6779 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | R-6, 축, | 기준 | R-6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-FR607T-GTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.3 V @ 6 a | 500 ns | 10 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | ES3BC-HF | 0.1783 | ![]() | 4641 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | ES3B | 기준 | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ES3BC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CZRW55C24-G | - | ![]() | 6123 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | CZRW55 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 16.8 v | 24 v | 70 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Czrnc55c4v3-g | - | ![]() | 3155 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 500MW | 1206 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 1 v | 4.3 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDSF4448 | 0.0603 | ![]() | 4787 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | 기준 | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 80 v | 1 v @ 100 ma | 9 ns | 100 na @ 80 v | 125 ° C (°) | 125MA | 9pf @ 0.5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | ACGRC502-HF | - | ![]() | 2033 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | 641-ACGRC502-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 100 v | 1.15 V @ 5 a | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | ACZRC5355B-G | 0.3480 | ![]() | 3656 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | ACZRC5355 | 5 w | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 2.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Czrer52C2V7-HF | - | ![]() | 1816 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 0503 (1308 메트릭) | Czrer52c2v7 | 150 MW | 0503 (1308 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 75 µa @ 1 v | 2.7 v | 83 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | czru8v2b-Hf | 0.0680 | ![]() | 3264 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | czru8v2 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 500 NA @ 6.5 v | 8.2 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU1001-G | 1.2250 | ![]() | 2012 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBU | KBU1001 | 기준 | KBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 5 a | 10 µa @ 100 v | 10 a | 단일 단일 | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
CDBUR00340-HF | 0.0736 | ![]() | 5008 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | CDBUR00340 | Schottky | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CDBUR00340-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 40 v | 370 mV @ 1 ma | 1 µa @ 40 v | 125 ° C | 30ma | 1.5pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C12CC-HF | 0.0492 | ![]() | 7266 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.42% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C12 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZX84C12CC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 a | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC3508W-G | 6.8882 | ![]() | 2557 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, KBPC-W | KBPC3508 | 기준 | KBPC-W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 800 v | 35 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002W-g | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-2N7002W-gtr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 115MA (TA) | 5V, 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CZRW4679-G | - | ![]() | 9571 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | 641-CZRW4679-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDSF355B | 0.0603 | ![]() | 3225 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CDSF355 | 기준 | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 80 v | 1 v @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 80 v | 125 ° C (°) | 100ma | 3pf @ 0.5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZRSC55C6V2-G | - | ![]() | 9282 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | - | 표면 표면 | 0805 (2012 5) | 500MW | 0805 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 15.2 v | 6.2 v | 10 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고