SIC
close

불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
DB107-G Comchip Technology DB107-G 0.6200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB107 기준 DB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
DF1508S-G Comchip Technology DF1508S-G 0.2210
RFQ
 ECAD 3442 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DF1508 기준 DFS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 10 µa @ 800 v 1.5 a 단일 단일 800 v
CZRSC55C9V1-G Comchip Technology CZRSC55C9V1-G -
RFQ
 ECAD 3802 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 0805 (2012 5) 500MW 0805 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 22.8 v 9.1 v 10 옴
CZRT5228B-HF Comchip Technology CZRT5228B-HF 0.0620
RFQ
 ECAD 1619 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5228 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
CZRT55C10-G Comchip Technology CZRT55C10-G 0.0620
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
CZRT55C15-G Comchip Technology CZRT55C15-G 0.0620
RFQ
 ECAD 3811 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
CZRT55C18-G Comchip Technology CZRT55C18-G 0.0620
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
CZRT55C22-G Comchip Technology CZRT55C22-G 0.0620
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
CZRT55C2V4-G Comchip Technology CZRT55C2V4-G 0.0620
RFQ
 ECAD 5894 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
CZRU33VB-HF Comchip Technology CZRU33VB-HF 0.0680
RFQ
 ECAD 4651 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 czru33 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 88 옴
CZRU52C18-HF Comchip Technology CZRU52C18-HF 0.0621
RFQ
 ECAD 5251 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C18 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 18 v 50 옴
CZRU52C2V4-HF Comchip Technology CZRU52C2V4-HF 0.0621
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C2V4 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
CZRU6V8B-HF Comchip Technology Czru6v8b-Hf 0.0680
RFQ
 ECAD 9889 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 czru6v8 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5.2 v 6.8 v 8 옴
CZRUR20VB-HF Comchip Technology CZRUR20VB-HF 0.0680
RFQ
 ECAD 5331 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur20 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 48 옴
CZRUR52C18-HF Comchip Technology Czrur52C18-HF 0.0667
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c18 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 18 v 50 옴
CZRUR52C39-HF Comchip Technology Czrur52C39-HF 0.0667
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c39 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 29 v 39 v 90 옴
CZRUR52C3-HF Comchip Technology Czrur52C3-HF 0.0667
RFQ
 ECAD 2999 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c3 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 3 v 95 옴
CZRUR52C3V9-HF Comchip Technology Czrur52c3v9-Hf 0.0667
RFQ
 ECAD 7010 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c3v9 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 95 옴
CZRUR7V5B-HF Comchip Technology Czrur7v5b-Hf 0.0680
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 czrur7v5 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 7.5 v 7 옴
CZRFR4V3B-HF Comchip Technology CZRFR4V3B-HF -
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR4 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 88 옴
CZRFR52C2V4-HF Comchip Technology CZRFR52C2V4-HF 0.0805
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
CZRFR52C4V3-HF Comchip Technology CZRFR52C4V3-HF 0.0805
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 95 옴
CZRFR52C7V5-HF Comchip Technology CZRFR52C7V5-HF 0.0805
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
CZRL5226B-G Comchip Technology CZRL5226B-G -
RFQ
 ECAD 5155 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CZRL5226 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.25 V @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
CZRL5242B-G Comchip Technology CZRL5242B-G -
RFQ
 ECAD 2657 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CZRL5242 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.25 V @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
CZRL5250B-G Comchip Technology CZRL5250B-G -
RFQ
 ECAD 8003 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CZRL5250 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.25 V @ 200 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
CZRL5252B-G Comchip Technology CZRL5252B-G -
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CZRL5252 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.25 V @ 200 ma 100 na @ 18 v 24 v 33 옴
CZRL5259B-G Comchip Technology CZRL5259B-G -
RFQ
 ECAD 2302 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CZRL5259 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.25 V @ 200 ma 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
CZRNC55C20-G Comchip Technology CZRNC55C20-G -
RFQ
 ECAD 1808 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 1206 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 15 v 20 v 55 옴
CZRNC55C4V3-G Comchip Technology Czrnc55c4v3-g -
RFQ
 ECAD 3155 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 1206 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 80 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다