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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BAT54T-HF	-	RFQ	8533	comchip 기술	BAT54XT-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	Bat54	Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BAT54T-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-55 ° C ~ 125 ° C	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
ACZRC5354B-G	0.3480	RFQ	7360	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5354		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000				1.2 v @ 1 a		500 NA @ 12.9 v									17 v	2.5 옴
FR204GB-G	0.0900	RFQ	3024	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR204GB-GTB	귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v	1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
CZRW55C7V5-G	-	RFQ	1313	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v									7.5 v	15 옴
CZRB5349B-HF	0.6200	RFQ	9508	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5349		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000				1.2 v @ 200 ma		2 µA @ 9.1 v									12 v	2.5 옴
MMSZ4717-HF	0.0476	RFQ	3227	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4717		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 ma		10 na @ 32.6 v									43 v
CDBA260LR-HF	0.1349	RFQ	4266	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA260	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v	550 mV @ 2 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
SS36C-HF	0.1304	RFQ	5534	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS36	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v	700 mv @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	450pf @ 4V, 1MHz
ABZT52B51-HF	0.0690	RFQ	8075	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52B51-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 ma		45 NA @ 35.7 v									51 v	100 옴
Czrer30VB-HF	-	RFQ	4201	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000				900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v									30 v	78 옴
MMSZ5248B-HF	0.0487	RFQ	7140	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5248		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5248B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v									18 v	21 옴
CDBV130-HF	0.0846	RFQ	7667	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	CDBV130	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBV130-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v	550 mV @ 1 a		1 ma @ 200 v	-40 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CDBA5200-G	0.2025	RFQ	4565	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA5200	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v	900 mV @ 5 mA		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	5a	380pf @ 4V, 1MHz
BZT52C8V2-HF	0.0476	RFQ	8442	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZT52C8V2-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 ma		700 na @ 5 v									8.2 v	15 옴
KBU3510-G	-	RFQ	9525	comchip 기술	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU	KBU3510	기준		KBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400				1.1 v @ 17.5 a		10 µa @ 1000 v		35 a				단일 단일	1kv
BZX84C5V1CC-HF	0.0492	RFQ	9961	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C5		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C5V1CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 a		2 µa @ 2 v									5.1 v	60 옴
CZRB5370B-HF	0.6200	RFQ	17	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5370		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000				1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 42.6 v									56 v	35 옴
MMSZ4699-HF	0.0476	RFQ	3440	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4699		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 ma		50 na @ 9.1 v									12 v
CDBUR40	0.0851	RFQ	5245	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음		Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
DB107-G	0.6200	RFQ	8	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)	DB107	기준		DB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50				1.1 v @ 1 a		10 µa @ 1000 v		1 a				단일 단일	1kv
CDBH3-54-G	-	RFQ	2616	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-523		Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBH3-54-GTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)
US3MC-HF	0.1471	RFQ	5761	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	US3M	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US3MC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v	1.68 V @ 3 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CZRB5377B-HF	0.6200	RFQ	3478	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5377		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000				1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 69.2 v									91 v	75 옴
CDBQC0130R-HF	0.3000	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		Schottky		0402C/SOD-923F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v	450 mV @ 10 ma		500 na @ 10 v	125 ° C	100ma	-
1N5251B-G	-	RFQ	7469	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5251B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000				1.1 v @ 200 ma		100 na @ 17 v									22 v	29 옴
DTC114YCA-HF	0.0529	RFQ	4049	comchip 기술	DTC114YCA-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC114		200 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-DTC114YCA-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000										50 v	100 MA			500NA				npn-사전-	300MV @ 250µA, 5MA	68 @ 10ma, 5V	250MHz	10 KOHMS	47 Kohms
CDBWL0240L-HF	0.4000	RFQ	9	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	01005 (0402 메트릭)		Schottky		1005	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v	540 mV @ 200 mA		30 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	200ma	6pf @ 5V, 1MHz
CDBW120-G	-	RFQ	1847	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBW120-GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v	450 mV @ 1 a		1 ma @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
ABZT52B15-HF	0.0690	RFQ	2649	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	641-ABZT52B15-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 ma		45 NA @ 10.5 v									15 v	30 옴
CPINU5208-HF	0.7763	RFQ	1686	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)		2-SMD,, 없음	CPINU5208			0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000		300MW							0.9pf @ 20V, 100MHz			핀 - 단일	35V				700mohm @ 10ma, 100mhz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²