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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
UF4002-G	-	RFQ	5854	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4002	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
ACZRA4752-HF	0.1711	RFQ	2312	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4752		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 25.1 v									33 v	45 옴
A1N4148WS-HF	0.0483	RFQ	6232	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	A1N4148	기준		SOD-323	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-A1N4148WS-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	2pf @ 0V, 1MHz
Czrer9v1b-Hf	-	RFQ	8970	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 7 v									9.1 v	10 옴
Czru3v9b-Hf	0.0680	RFQ	5904	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czru3v9		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v									3.9 v	90 옴
ACZRM5243B-HF	0.0610	RFQ	8878	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5243		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							500 NA @ 9.9 v									13 v	13 옴
RS1DWF-HF	0.0595	RFQ	4731	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	RS1D	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS1DWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CZRC5360B-HF	-	RFQ	6381	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5360B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 na @ 19 v									25 v	4 옴
ACZRC5354B-G	0.3480	RFQ	7360	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5354		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 12.9 v									17 v	2.5 옴
DTA143ZCA-HF	0.0529	RFQ	1918	comchip 기술	DTA143ZCA-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTA143		200 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-DTA143ZCA-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000											50 v	100 MA			500NA			pnp- 사전-	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
ACZRW5228B-G	0.0556	RFQ	5786	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5228		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v									3.9 v	23 옴
AMMSZ5254A-HF	0.0725	RFQ	4063	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5254		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5254A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v									27 v	41 옴
CZRFR52C4V3	0.0805	RFQ	9007	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v									4.3 v	95 옴
GBPC3508W-G	4.6400	RFQ	2	comchip 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, GBPC-W	GBPC3508	기준		GBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100					1.1 v @ 17.5 a		10 µa @ 800 v		35 a				단일 단일	800 v
MMSZ5267B-HF	0.0487	RFQ	6296	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5267		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5267B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 56 v									75 v	270 옴
CZRT55C4V7-G	0.0620	RFQ	4579	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 2 v									4.7 v	80 옴
CDBC2200LR-HF	0.2320	RFQ	1493	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC2200	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		850 mv @ 2 a		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
CZRB3075-G	-	RFQ	8719	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3075		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 56 v									75 v	85 옴
1N5229B-G	-	RFQ	8647	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5229B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v									4.3 v	22 옴
CZRQR4V3B-HF	-	RFQ	3253	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR4		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v									4.3 v	88 옴
DF005ST-G	-	RFQ	2806	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DF005	기준		DFS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1.1 v @ 1 a		10 µa @ 50 v		1 a				단일 단일	50 v
6A02-G	0.2312	RFQ	1892	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	짐		200 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
BC858BW-G	0.2600	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC858		150 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000											30 v	100 MA			15NA			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2.2ma, 5V	100MHz
ABZT52C12-HF	0.0690	RFQ	7197	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.42%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C12-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v									12 v	25 옴
ACZRC5383B-G	0.3480	RFQ	4713	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5383		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 114 v									150 v	330 옴
CDST-21S-HF	-	RFQ	9994	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDST-21S-HFTR	쓸모없는		3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	250 v	200ma	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	150 ° C
MMSZ5229B-HF	0.0487	RFQ	2121	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5229		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5229B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v									4.3 v	22 옴
CMS3401-HF	-	RFQ	9278	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CMS3401-HFTR	쓸모없는		3,000
Czrer52C39-HF	-	RFQ	2045	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 29 v									39 v	90 옴
AMMSZ5236B-HF	0.0725	RFQ	2187	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5236		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5236B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6 v									7.5 v	6 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²