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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | BAT54S-HF | 0.2100 | ![]() | 468 | 0.00000000 | comchip 기술 | BAT54-HF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 연결 연결 시리즈 | 30 v | 200ma | 1 v @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | 125 ° C (°) | ||||||||||
![]() | BZT52B27-HF | 0.0418 | ![]() | 7022 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 500MW | SOD-123 | - | 1 (무제한) | 641-BZT52B27-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 45 NA @ 18.9 v | 27 v | 75 옴 | ||||||||||||
![]() | BAT54A-HF | 0.2100 | ![]() | 8470 | 0.00000000 | comchip 기술 | BAT54-HF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 30 v | 200ma | 1 v @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | 125 ° C (°) | ||||||||||
![]() | US1D-HF | 0.0621 | ![]() | 4230 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | US1D | 기준 | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-US1D-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 30A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZX84C16CC-HF | 0.0492 | ![]() | 1528 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.63% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C16 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZX84C16CC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 a | 50 NA @ 11.2 v | 16 v | 40 | |||||||||||
![]() | CZRB5339B-HF | 0.8600 | ![]() | 71 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CZRB5339 | 5 w | SMB (DO-214AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 1 옴 | |||||||||||
![]() | CZRV5231B-G | 0.0595 | ![]() | 6058 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -60 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | CZRV5231 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 17 옴 | |||||||||||
![]() | BZX84C8V2CC-HF | 0.0492 | ![]() | 7369 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.1% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C8 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZX84C8V2CC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 a | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15 옴 | |||||||||||
![]() | CZRF52C18 | 0.0805 | ![]() | 4239 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CZRF52 | 200 MW | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 50 옴 | |||||||||||
![]() | CZRF52C2V4 | 0.0805 | ![]() | 1148 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CZRF52 | 200 MW | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 µa @ 1 v | 2.4 v | 85 옴 | |||||||||||
![]() | Czrer52c2v4 | 0.0810 | ![]() | 6169 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 0503 (1308 메트릭) | czrer52 | 150 MW | 0503 (1308 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 µa @ 1 v | 2.4 v | 85 옴 | |||||||||||
![]() | ABZT52C30-HF | 0.0690 | ![]() | 5336 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ABZT52C30-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 21 v | 30 v | 80 옴 | |||||||||||
![]() | CSFA102-G | 0.1159 | ![]() | 7673 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CSFA102 | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 950 MV @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 100 v | 150 ° C (°) | 1A | - | |||||||||
![]() | CZRT5251B-HF | 0.0620 | ![]() | 6295 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CZRT5251 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRT5251B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 옴 | |||||||||||
![]() | ACDSV4148-G | - | ![]() | 2514 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | 기준 | SOD-323 | - | 641-ACDSV4148-GTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 200ma | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | CZRL55C4V7-G | - | ![]() | 3642 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6.38% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C4V7-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 500 na @ 1 v | 4.7 v | 80 옴 | ||||||||||||
![]() | CZRL5238B-G | - | ![]() | 1931 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | - | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | CZRL5238 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 3 µa @ 6.5 v | 8.7 v | 8 옴 | |||||||||||
![]() | BZT52C4V3-HF | 0.0476 | ![]() | 8334 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZT52C4V3-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | |||||||||||
![]() | Czrur52C13-HF | 0.0667 | ![]() | 6479 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | Czrur52c13 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 10 v | 13 v | 25 옴 | |||||||||||
![]() | CZRFR52C6V2 | 0.0805 | ![]() | 3903 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CZRFR52 | 200 MW | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 옴 | |||||||||||
![]() | CZRA4743-HF | 0.1550 | ![]() | 5471 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA 플랫 리드 | CZRA4743 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 9.9 v | 13 v | 10 옴 | |||||||||||
![]() | ACDBAT3100-HF | - | ![]() | 7041 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 2010 (5025 5) | ACDBAT3100 | Schottky | 2010 년 년 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 850 mV @ 3 a | 500 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 180pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | US5JC-HF | 0.1426 | ![]() | 2306 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | US5J | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-US5JC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.65 V @ 5 a | 75 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | CZRC5388B-G | - | ![]() | 6482 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 5 w | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRC5388B-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 152 v | 200 v | 480 옴 | ||||||||||||
![]() | CZRC5386B-G | - | ![]() | 6788 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 5 w | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRC5386B-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 137 v | 180 v | 430 옴 | ||||||||||||
![]() | CZRFR52C2V7-HF | 0.0805 | ![]() | 9359 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CZRFR52 | 200 MW | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 75 µa @ 1 v | 2.7 v | 83 옴 | |||||||||||
![]() | CGRA4007-G | 0.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CGRA4007 | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | CZRW4709-G | - | ![]() | 1018 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | 641-CZRW4709-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 10 na @ 18.2 v | 24 v | |||||||||||||||
![]() | CDSF101A-HF | - | ![]() | 9664 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | 기준 | 1005/SOD-323F | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CDSF101A-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 80 v | 1 v @ 100 ma | 4 ns | 50 na @ 75 v | -40 ° C ~ 125 ° C | 100ma | 3pf @ 500mv, 1MHz | ||||||||||
![]() | CDBF0240-HF | 0.0864 | ![]() | 5442 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CDBF0240 | Schottky | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 40 v | 550 mV @ 200 mA | 10 µa @ 30 v | 125 ° C (°) | 200ma | 9pf @ 10V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고