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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
CZRB3075-G	-	RFQ	8719	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3075		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 56 v									75 v	85 옴
MMSZ5267B-HF	0.0487	RFQ	6296	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5267		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5267B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 56 v									75 v	270 옴
CZRT55C4V7-G	0.0620	RFQ	4579	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 2 v									4.7 v	80 옴
BC858BW-G	0.2600	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC858		150 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000											30 v	100 MA			15NA			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2.2ma, 5V	100MHz
ACZRC5383B-G	0.3480	RFQ	4713	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5383		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 114 v									150 v	330 옴
1N5229B-G	-	RFQ	8647	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5229B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v									4.3 v	22 옴
CDBD1060-G	0.6608	RFQ	7993	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	CDBD1060	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	10A (DC)	750 mv @ 10 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
CZRFR52C33-HF	0.0805	RFQ	5509	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v									33 v	80 옴
CZRB3160-HF	-	RFQ	9090	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3160-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 121.6 v									160 v	625 옴
ABZT52C12-HF	0.0690	RFQ	7197	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.42%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C12-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v									12 v	25 옴
RS3KB-HF	0.4700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	RS3K	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 3 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
CDST-21S-HF	-	RFQ	9994	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDST-21S-HFTR	쓸모없는		3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	250 v	200ma	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	150 ° C
MMSZ5229B-HF	0.0487	RFQ	2121	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5229		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5229B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v									4.3 v	22 옴
Czrer30VB-HF	-	RFQ	4201	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v									30 v	78 옴
US5GC-HF	0.1426	RFQ	7895	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	US5G	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US5GC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 5 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
CDBD640-G	-	RFQ	3357	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		Schottky		DPAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 6 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 125 ° C	6A	-
DTA143XCA-HF	0.0534	RFQ	2122	comchip 기술	DTA143XCA-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTA143		200 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-DTA143XCA-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000											50 v	100 MA			500NA			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	10 KOHMS
MMSZ4689-HF	0.2700	RFQ	16	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4689		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 3 v									5.1 v
CDSQC4448-HF	0.0400	RFQ	8765	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		기준		0402C/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSQC4448-HFTR	귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	9 ns	100 na @ 80 v	-40 ° C ~ 125 ° C	125MA	4pf @ 0V, 1MHz
CDBZ5T1045-HF	1.8300	RFQ	263	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	Z5-T	CDBZ5T1045	Schottky		SMC (Z5-T)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		550 mV @ 10 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
CZRW5242B-G	0.0556	RFQ	6626	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW5242		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v									12 v	30 옴
CZRW4715-G	-	RFQ	4836	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4715-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		10 NA @ 27.3 v									36 v
US3DB-HF	0.1063	RFQ	8197	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US3D	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US3DB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CEFB102-G	-	RFQ	1425	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		875 mv @ 1 a	25 ns	5 µa @ 100 v	150 ° C (°)	1A	-
MMSZ5254B-HF	0.0487	RFQ	6932	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5254		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5254B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v									27 v	41 옴
ACZRA4752-HF	0.1711	RFQ	2312	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4752		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 25.1 v									33 v	45 옴
GBJ2504-G	1.5677	RFQ	9123	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ2504	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15					1 V @ 12.5 a		10 µa @ 400 v		25 a				단일 단일	400 v
CMS3401-HF	-	RFQ	9278	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CMS3401-HFTR	쓸모없는		3,000
Czrer52C39-HF	-	RFQ	2045	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 29 v									39 v	90 옴
CZRA4737-G	0.1550	RFQ	9582	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4737		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 5 v									7.5 v	4 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²