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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SR360-HF Comchip Technology SR360-HF 0.1700
RFQ
 ECAD 7526 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 Schottky DO-27 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-SR360-HFTB 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 500 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
CDBA240-G Comchip Technology CDBA240-G 0.4700
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA240 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v 125 ° C (°) 2A -
CDBFR43 Comchip Technology CDBFR43 0.0680
RFQ
 ECAD 7631 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 1005 (2512 25) Schottky 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
CDSU4148S-HF Comchip Technology CDSU4148S-HF -
RFQ
 ECAD 7527 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 없음 기준 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDSU4148S-HFTR 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 100 ma 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 3pf @ 0V, 1MHz
ABC858AW-HF Comchip Technology ABC858AW-HF 0.0800
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 ABC858 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-ABC858AW-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 250MHz
CURMT105-HF Comchip Technology CURMT105-HF -
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123H 기준 SOD-123H 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 70pf @ 4V, 1MHz
CDBMS1200-HF Comchip Technology CDBMS1200-HF 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 1 a 200 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5235A-HF Comchip Technology AMMSZ5235A-HF 0.0725
RFQ
 ECAD 5989 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.06% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 AMMSZ5235 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-AMMSZ5235A-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
CURB203-G Comchip Technology Curb203-G 0.1382
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Curb203 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 200 v 150 ° C (°) 2A -
CDBD5200-HF Comchip Technology CDBD5200-HF -
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDBD5200-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 5 a 500 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
CDBER0130L Comchip Technology CDBER0130L 0.0667
RFQ
 ECAD 3035 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0503 (1308 메트릭) CDBER0130 Schottky 0503/SOD-723F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 350 mV @ 10 ma 10 µa @ 10 v 125 ° C (°) 100ma -
CDBZ61045-HF Comchip Technology CDBZ61045-HF -
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 Z6 Schottky TO-252 (Z6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 550 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
CDBHA15150-HF Comchip Technology CDBHA15150-HF 0.4347
RFQ
 ECAD 6609 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn CDBHA15150 Schottky TO-277B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDBHA15150-HFTR 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 15 a 250 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
CZRU52C4V7-HF Comchip Technology CZRU52C4V7-HF 0.0621
RFQ
 ECAD 2240 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C4V7 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 78 옴
CZRU2V7B Comchip Technology czru2v7b 0.0680
RFQ
 ECAD 5401 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czru2v7 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
ACZRC5357B-G Comchip Technology ACZRC5357B-G 0.3480
RFQ
 ECAD 8390 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AB, SMC ACZRC5357 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 15.2 v 20 v 3 옴
CUR806-G Comchip Technology CUR806-G -
RFQ
 ECAD 3965 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 cur80 기준 TO-220AC - Rohs3 준수 641-cur806-g 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 40pf @ 4V, 1MHz
US5DC-HF Comchip Technology US5DC-HF 0.1426
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC US5D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-US5DC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 5 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
ES1E-HF Comchip Technology ES1E-HF 0.0776
RFQ
 ECAD 9404 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA es1e 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-es1e-hftr 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZX84C2V4CC-HF Comchip Technology BZX84C2V4CC-HF 0.0492
RFQ
 ECAD 2163 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8.33% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C2 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BZX84C2V4CC-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 a 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
SS115-HF Comchip Technology SS115-HF 0.0630
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS115 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
CZRB3043-G Comchip Technology CZRB3043-G -
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB3043 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 32.7 v 43 v 33 옴
RS1JWF-HF Comchip Technology RS1JWF-HF 0.0595
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RS1J 기준 SOD-123F - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-RS1JWF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MBR2030CT-G Comchip Technology MBR2030CT-G 0.6088
RFQ
 ECAD 1516 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2030 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 20A 840 mV @ 20 a 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
CZRUR52C33 Comchip Technology Czrur52c33 0.0667
RFQ
 ECAD 7403 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 80 옴
ACDBB340-HF Comchip Technology ACDBB340-HF 0.1581
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky SMB/DO-214AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ACDBB340-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 150pf @ 4V, 1MHz
CDBMT2200-HF Comchip Technology CDBMT2200-HF 0.1797
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123T CDBMT2200 Schottky SOD-123HT - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDBMT2200-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 2 a 500 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 160pf @ 4V, 1MHz
SR5200-HF Comchip Technology SR5200-HF 0.3151
RFQ
 ECAD 5838 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 SR5200 Schottky DO-27 - 1 (무제한) 641-SR5200-HFTB 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 5 a 500 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a 300pf @ 4V, 1MHz
CDBC260SLR-HF Comchip Technology CDBC260SLR-HF -
RFQ
 ECAD 2160 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
CMS10P10D-HF Comchip Technology CMS10P10D-HF -
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 CMS10 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 1 (무제한) 641-CMS10P10D-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 10A (TC) 210mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1419 pf @ 25 v - 2W (TA), 54W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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