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불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
CMS42P03V8-HF Comchip Technology CMS42P03V8-HF -
RFQ
 ECAD 6389 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS42P03V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 42A (TC) 4.5V, 10V 15ohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 20V 2215 pf @ 15 v - 1.67W (TA), 37W (TC)
ES2EB-HF Comchip Technology ES2EB-HF 0.1035
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2E 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ES2EB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
1N5232B-G Comchip Technology 1N5232B-G -
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 - 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-1N5232B-GTB 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
UF4007-G Comchip Technology UF4007-G -
RFQ
 ECAD 8501 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4007 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
DTA143XCA-HF Comchip Technology DTA143XCA-HF 0.0534
RFQ
 ECAD 2122 0.00000000 comchip 기술 DTA143XCA-HF 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-DTA143XCA-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
CZRL55C9V1-G Comchip Technology CZRL55C9V1-G -
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.04% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRL55C9V1-GTR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
CDBHM2200L-HF Comchip Technology CDBHM2200L-HF 0.2665
RFQ
 ECAD 6082 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 CDBHM2200 Schottky MBS - 1 (무제한) 641-CDBHM2200L-HFTR 3,000 0.9 v @ 2 a 50 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
DF08S-G Comchip Technology DF08S-G -
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DF08 기준 DFS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
CDBJSC10650-G Comchip Technology CDBJSC10650-G 5.0000
RFQ
 ECAD 472 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 CDBJSC10650 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 100 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 710pf @ 0v, 1MHz
CDBFR0130R-HF Comchip Technology CDBFR0130R-HF -
RFQ
 ECAD 3276 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 1005 (2512 25) 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDBFR0130R-HFTR 귀 99 8541.10.0070 4,000
DF2005ST-G Comchip Technology DF2005ST-G -
RFQ
 ECAD 4712 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DF2005 기준 DFS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 50 v
CZRSC55C2V2-G Comchip Technology CZRSC55C2V2-G -
RFQ
 ECAD 6631 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 0805 (2012 5) 500MW 0805 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 75 µa @ 5.2 v 2.2 v 85 옴
DB101-G Comchip Technology DB101-G -
RFQ
 ECAD 5430 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB101 기준 DB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 50 v 1 a 단일 단일 50 v
BZT52B51-HF Comchip Technology BZT52B51-HF 0.0418
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 - 1 (무제한) 641-BZT52B51-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 35.7 v 51 v 169 옴
CZRA4750-G Comchip Technology CZRA4750-G 0.1550
RFQ
 ECAD 7341 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 플랫 리드 CZRA4750 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 20.6 v 27 v 35 옴
CZRUR52C12-HF Comchip Technology Czrur52C12-HF 0.0667
RFQ
 ECAD 3966 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c12 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
CDBHM260L-G Comchip Technology cdbhm260l-g 0.3335
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 CDBHM260 Schottky MBS-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 700 mv @ 2 a 1 ma @ 60 v 2 a 단일 단일 60 v
B0540W-HF Comchip Technology B0540W-HF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 Schottky SOD-123 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 510mV @ 500 mA 4 ns 20 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 170pf @ 0V, 1MHz
CZRUR52C33-HF Comchip Technology Czrur52C33-HF 0.0667
RFQ
 ECAD 2940 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c33 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 80 옴
KBPC5002-G Comchip Technology KBPC5002-G 7.2943
RFQ
 ECAD 8116 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC5002 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 200 v 50 a 단일 단일 200 v
CZRC5382B-G Comchip Technology CZRC5382B-G -
RFQ
 ECAD 2732 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRC5382B-GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 106 v 140 v 230 옴
W02G-G Comchip Technology W02G-G -
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, br W02G 기준 Br - Rohs3 준수 641-W02G-G 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 1.5 a 10 µa @ 200 v 1.5 a 단일 단일 200 v
US5JC-HF Comchip Technology US5JC-HF 0.1426
RFQ
 ECAD 2306 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC US5J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-US5JC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.65 V @ 5 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
S3BB-HF Comchip Technology S3BB-HF 0.0932
RFQ
 ECAD 5018 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S3BB 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-S3BB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 100 v 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 35pf @ 4V, 1MHz
ACZRM5244B-HF Comchip Technology ACZRM5244B-HF 0.0610
RFQ
 ECAD 7330 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F ACZRM5244 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
RS3KB-HF Comchip Technology RS3KB-HF 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS3K 기준 SMB/DO-214AA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
CZRC5355B-G Comchip Technology CZRC5355B-G -
RFQ
 ECAD 5668 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 rohs 준수 641-CZRC5355B-GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 13.7 v 18 v 2.5 옴
CGRC507-G Comchip Technology CGRC507-G 0.2232
RFQ
 ECAD 4057 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CGRC507 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.15 V @ 5 a 10 µa @ 1000 v 150 ° C (°) 5a -
CGRBT205-HF Comchip Technology CGRBT205-HF -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 없음 기준 Z2PAK 다운로드 1 (무제한) 641-CGRBT205-HFTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1000 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A 14pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4683-HF Comchip Technology MMSZ4683-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 2835 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4683 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 800 na @ 1 v 3 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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