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불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
6A10-G Comchip Technology 6A10-G 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 comchip 기술 - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A10 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 짐 1000 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 125 ° C 6A 100pf @ 4V, 1MHz
CDBER42 Comchip Technology CDBER42 0.0667
RFQ
 ECAD 3229 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0503 (1308 메트릭) Schottky 0503/SOD-723F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
ACZRM5222B-HF Comchip Technology ACZRM522B-HF 0.0610
RFQ
 ECAD 8167 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F ACZRM5222 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 µa @ 1 v 2.5 v 30 옴
CGRA4002-HF Comchip Technology CGRA4002-HF 0.0540
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CGRA4002 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CGRA4002-HFTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
CDBC5200-HF Comchip Technology CDBC5200-HF 0.7900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CDBC5200 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 5 a 500 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a 380pf @ 4V, 1MHz
CGRAT104-HF Comchip Technology Cgrat104-HF -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 없음 기준 2010/DO-214AC 다운로드 1 (무제한) 641-CGRAT104-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 800 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
CDBA280-G Comchip Technology CDBA280-G -
RFQ
 ECAD 5568 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA280 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mv @ 2 a 500 µa @ 80 v 125 ° C (°) 2A -
UF3001-G Comchip Technology UF3001-G 0.1615
RFQ
 ECAD 1009 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 UF3001 기준 DO-27 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
CZRA4752-G Comchip Technology CZRA4752-G 0.1550
RFQ
 ECAD 8270 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 플랫 리드 CZRA4752 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 25.4 v 33 v 45 옴
SS220-HF Comchip Technology SS220-HF 0.4300
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS220 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 300 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 80pf @ 4V, 1MHz
BZT52B51-HF Comchip Technology BZT52B51-HF 0.0418
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 - 1 (무제한) 641-BZT52B51-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 35.7 v 51 v 169 옴
S3AC-HF Comchip Technology S3AC-HF 0.1091
RFQ
 ECAD 6418 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3AC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-S3AC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 50 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
ACMSN2312T-HF Comchip Technology ACMSN2312T-HF 0.1435
RFQ
 ECAD 9708 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ACMSN2312 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-ACMSN2312T-HFTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.9A (TA) 31mohm @ 5a, 4.5v 1.2V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 500 pf @ 8 v - 750MW (TA)
CZRFR52C12 Comchip Technology CZRFR52C12 0.0805
RFQ
 ECAD 9070 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
CZRA4760-HF Comchip Technology CZRA4760-HF 0.1550
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA CZRA4760 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRA4760-HFTR 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 51.7 v 68 v 150 옴
MBRF1040CT-HF Comchip Technology MBRF1040CT-HF -
RFQ
 ECAD 1157 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBRF1040 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MBRF1040CT-HF 쓸모없는 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 650 mV @ 5 a 100 µa @ 40 v 175 ° C
CDSUR400 Comchip Technology CDSUR400 0.0575
RFQ
 ECAD 8521 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 기준 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 v 125 ° C (°) 100ma 3pf @ 0.5V, 1MHz
CZRUR52C12-HF Comchip Technology Czrur52C12-HF 0.0667
RFQ
 ECAD 3966 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c12 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
CZRER52C2V7 Comchip Technology Czrer52c2v7 0.0810
RFQ
 ECAD 6185 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) czrer52 150 MW 0503 (1308 메트릭) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 83 옴
CDBQR0230L-HF Comchip Technology CDBQR0230L-HF 0.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CDBQR0230 Schottky 0402C/SOD-923F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v 125 ° C (°) 200ma -
CDBU40 Comchip Technology cdbu40 0.3200
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 Schottky 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v 125 ° C (°) 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
CZRW55C20-G Comchip Technology CZRW55C20-G -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW55 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
MMSZ5230B-HF Comchip Technology MMSZ5230B-HF 0.0487
RFQ
 ECAD 8185 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5230 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MMSZ5230B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
CZRB5338B-HF Comchip Technology CZRB5338B-HF 0.8600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB5338 5 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 5.1 v 1.5 옴
CZRU52C3 Comchip Technology CZRU52C3 0.3300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C3 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 3 v 95 옴
ACZRW5241B-HF Comchip Technology ACZRW5241B-HF 0.0511
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-Aczrw5241B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
ABZT52B16-HF Comchip Technology ABZT52B16-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 5703 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-ABZT52B16-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 11.2 v 16 v 40
CDBC3100-G Comchip Technology CDBC3100-G 0.5600
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CDBC3100 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 500 µa @ 100 v -50 ° C ~ 125 ° C 3A -
CZRER11VB-HF Comchip Technology Czrer11VB-HF -
RFQ
 ECAD 9863 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) 150 MW 0503/SOD-723F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8.4 v 11 v 18 옴
CDBKA20120L-HF Comchip Technology CDBKA20120L-HF 1.4700
RFQ
 ECAD 1576 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA CDBKA20120 Schottky TO-262 - 1 (무제한) 641-CDBKA20120L-HF 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 10A 800 mV @ 10 a 50 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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