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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CZRF52C3V3-HF	0.0805	RFQ	4576	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v									3.3 v	95 옴
CZRT5255B-HF	0.0620	RFQ	2413	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5255		300MW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		641-CZRT5255B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v									28 v	44 옴
CDSF355B	0.0603	RFQ	3225	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDSF355	기준		1005/SOD-323F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0.5V, 1MHz
BZT52C47-HF	0.0476	RFQ	4289	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		641-BZT52C47-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 35 v									47 v	100 옴
AMMSZ5230B-HF	0.0725	RFQ	5555	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5230		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5230B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v									4.7 v	19 옴
SB220E-G	0.1089	RFQ	4443	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB220	Schottky		DO-15	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
CZRB5385B-HF	0.2401	RFQ	9775	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5385		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 129 v									170 v	380 옴
SS54C-HF	0.2046	RFQ	1422	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS54	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 5 a		1 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	600pf @ 4V, 1MHz
CDBMT160-HF	0.4300	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CDBMT160	Schottky		SOD-123H	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
ACZRW5253B-G	0.0556	RFQ	6851	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5253		500MW	SOD-123F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 19 v									25 v	35 옴
KBU602-G	-	RFQ	2689	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU		기준		KBU	-				641-KBU602-G	귀 99	8541.10.0080	1					1 V @ 3 a		10 µa @ 200 v		6 a				단일 단일	200 v
MMBZ5258A-HF	0.0556	RFQ	5306	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5258		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5258A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		100 na @ 27 v									36 v	70 옴
MBR10200CD-HF	0.3535	RFQ	1842	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBR10200	Schottky		D-PAK (TO-252)	-		1 (무제한)		641-MBR10200CD-HFTR			2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	920 MV @ 5 a		50 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
AMMSZ5250B-HF	0.0725	RFQ	3681	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5250		500MW	SOD-123	-	ROHS3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5250B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v									20 v	25 옴
CZRA4747-G	0.1550	RFQ	6906	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4747		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 15.2 v									20 v	22 옴
CGRBT205-HF	-	RFQ	3433	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		Z2PAK	다운로드		1 (무제한)		641-CGRBT205-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		1000 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	14pf @ 4V, 1MHz
CGRBT301-HF	-	RFQ	7565	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		Z2PAK	다운로드		1 (무제한)		641-CGRBT301-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		200 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	23pf @ 4V, 1MHz
Cgrat104L-HF	-	RFQ	3592	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		2010/DO-214AC	다운로드		1 (무제한)		641-CGRAT104L-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		930 MV @ 1 a		5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.2pf @ 4V, 1MHz
CSPB40K-HF	0.3296	RFQ	2841	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인					CSPB40				다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		641-CSPB40K-HFTR	귀 99	8541.10.0080	1,500
S3T-HF	0.1721	RFQ	4661	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3T	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1300 v		1.1 v @ 3 a		10 µa @ 1300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
ABZT52C18-HF	0.0690	RFQ	9319	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.39%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C18-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12.6 v									18 v	45 옴
MMBTA92-HF	0.0575	RFQ	6717	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA92		300MW	SOT-23-3	-	rohs 준수			641-MMBTA92-HFTR	귀 99	8541.21.0095	3,000											300 v	200 MA			250NA (ICBO)			PNP	200mv @ 2ma, 20ma	100 @ 10ma, 10V	50MHz
ABZT52B75-HF	0.0690	RFQ	3902	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52B75-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 52.5 v									75 v	255 옴
ABZT52B15-HF	0.0690	RFQ	2649	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	ROHS3 준수		영향을받지 영향을받지	641-ABZT52B15-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 10.5 v									15 v	30 옴
ABZT52B9V1-HF	0.0690	RFQ	8681	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.98%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52B9V1-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		450 na @ 6 v									9.1 v	10 옴
CZRQC3V6B-HF	0.0652	RFQ	2040	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQC3		125 MW	0402C/SOD-923F	-	rohs 준수			641-CZRQC3V6B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v									3.6 v	90 옴
ABZT52C10-HF	0.0690	RFQ	1592	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C10-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		200 na @ 7 v									10 v	20 옴
AMMSZ5251A-HF	0.0725	RFQ	3854	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5251		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5251A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v									22 v	29 옴
AMMSZ5240A-HF	0.0725	RFQ	7033	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5240		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5240A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 8 v									10 v	17 옴
AMMSZ5229A-HF	0.0725	RFQ	7554	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.09%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5229		500MW	SOD-123	-	ROHS3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5229A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v									4.3 v	22 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²