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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
SS56B-HF	0.1814	RFQ	9600	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS56	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	60 v	700 mv @ 5 a		300 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
BC858CW-HF	0.0517	RFQ	4393	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC858		150 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BC858CW-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000									30 v	100 MA	15NA (ICBO)			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	420 @ 2MA, 5V	100MHz
1N5262B-G	-	RFQ	9132	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5262B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 39 v							51 v	125 옴
ACDBMS260-HF	0.3700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	60 v	660 mV @ 2 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	95pf @ 4V, 1MHz
Czrer52C30	0.0810	RFQ	1652	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v							30 v	80 옴
CDBA180-G	-	RFQ	8595	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA180	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	80 v	850 mv @ 1 a		500 µa @ 80 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CZRW55C18-G	-	RFQ	3291	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 12.6 v							18 v	45 옴
ACDBN120-HF	-	RFQ	2967	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD	ACDBN120	Schottky		1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	20 v	320 MV @ 100 ma		200 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
CDSQR400B	0.4000	RFQ	213	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDSQR400	기준		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	80 v	1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0.5V, 1MHz
MMSZ4683-HF	0.0476	RFQ	2835	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4683		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		800 na @ 1 v							3 v
CGRC507-G	0.2232	RFQ	4057	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CGRC507	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	1000 v	1.15 V @ 5 a		10 µa @ 1000 v	150 ° C (°)	5a	-
Czrur52C12-HF	0.0667	RFQ	3966	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur52c12		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 9 v							12 v	20 옴
CGRBT205-HF	-	RFQ	3433	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		Z2PAK	다운로드		1 (무제한)		641-CGRBT205-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐	1000 v	1 V @ 2 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	14pf @ 4V, 1MHz
CZRA4750-G	0.1550	RFQ	7341	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4750		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 20.6 v							27 v	35 옴
CZRC5355B-G	-	RFQ	5668	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5355B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 13.7 v							18 v	2.5 옴
CZRL55C56-G	-	RFQ	6566	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 7.14%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C56-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 43 v							56 v	135 옴
CZRC5374B-G	-	RFQ	1724	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5374B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 56 v							75 v	45 옴
CZRB3013-HF	-	RFQ	5787	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3013-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 9.9 v							13 v	4.5 옴
CEFC303-G	-	RFQ	4495	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	CEFC303	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	900 mV @ 3 a	50 ns	10 µa @ 200 v	150 ° C (°)	3A	-
CZRB5366B-HF	0.6200	RFQ	11	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5366		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 29.7 v							39 v	14 옴
ACZRM5260B-HF	0.0610	RFQ	8061	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5260		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					100 na @ 33 v							43 v	93 옴
FR602A-G	0.2684	RFQ	2675	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR602A-G	귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	1.3 V @ 6 a	150 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
S5AC-HF	0.1186	RFQ	3715	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5AC	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S5AC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	50 v	1 V @ 5 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
CZRFR52C7V5-HF	0.0805	RFQ	4170	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 5 v							7.5 v	7 옴
SS56C-HF	0.2046	RFQ	5974	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS56	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	60 v	700 mv @ 5 a		1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	400pf @ 4V, 1MHz
6A06B-G	0.2261	RFQ	7369	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	200	짐	600 v	1 V @ 6 a		10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
BZT52B8V2-HF	0.0418	RFQ	3686	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B8V2-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		630 na @ 5 v							8.2 v	14 옴
CZRFR52C4V3	0.0805	RFQ	9007	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v							4.3 v	95 옴
cdber70	0.0476	RFQ	4609	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0503 (1308 메트릭)		Schottky		0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	70 v	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	125 ° C (°)	70ma	2pf @ 0V, 1MHz
CZRB5354B-HF	0.2401	RFQ	3773	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5354		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 12.9 v							17 v	2.5 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²