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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | S1J-HF | 0.2000 | ![]() | 66 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | S1J | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
![]() | CSFB308-HF | 0.1550 | ![]() | 2280 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CSFB308 | 기준 | SMB/DO-214AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CSFB308-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.75 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | CDSV-19-G | 0.0621 | ![]() | 9557 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | CDSV-19 | 기준 | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 100 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 200ma | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | CZRQR52C3-HF | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 0402 (1006 메트릭) | CZRQR52 | 125 MW | 0402 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | CMS80N03H8-HF | - | ![]() | 7427 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CMS80 | MOSFET (금속 (() | DFN5X6 (PR-PAK) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS80N03H8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1160 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 53W (TC) | ||||||||||||||
![]() | CZRL55C15-G | - | ![]() | 5744 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C15-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C11CC-HF | 0.0492 | ![]() | 2488 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.45% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C11 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZX84C11CC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 a | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 옴 |
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