SIC
close

불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
CDBMT230-HF Comchip Technology CDBMT230-HF -
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123H Schottky SOD-123H 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 160pf @ 4V, 1MHz
ACZRA4728-HF Comchip Technology ACZRA4728-HF 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA ACZRA4728 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
CZRL55C13-G Comchip Technology CZRL55C13-G -
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.54% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRL55C13-GTR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
FR105A-G Comchip Technology FR105A-G 0.0420
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-FR105A-GTB 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SB380EA-G Comchip Technology SB380EA-G 0.2848
RFQ
 ECAD 8980 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB380 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mV @ 3 a 500 µa @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
1N4006T-G Comchip Technology 1N4006T-G 0.0317
RFQ
 ECAD 3401 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4006 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
CDBB240LR-HF Comchip Technology CDBB240LR-HF 0.1628
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB CDBB240 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 450 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
BZT52C20-HF Comchip Technology BZT52C20-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BZT52C20-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
MMBT5401-G Comchip Technology MMBT5401-G 0.3800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5401 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 600 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 5V 100MHz
CZRA5937B-G Comchip Technology CZRA5937B-G 0.1352
RFQ
 ECAD 7738 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA CZRA5937 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
CDBA340L-G Comchip Technology CDBA340L-G 0.6000
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA340 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 400 mV @ 3 a 1.5 ma @ 40 v 125 ° C (°) 3A -
S5GC-HF Comchip Technology S5GC-HF 0.1186
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5GC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-S5GC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1 V @ 5 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
ABZT52B62-HF Comchip Technology ABZT52B62-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ABZT52B62-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
CDBU54 Comchip Technology cdbu54 0.0660
RFQ
 ECAD 2762 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 Schottky 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
ACZRC5379B-G Comchip Technology ACZRC5379B-G 0.3480
RFQ
 ECAD 7929 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AB, SMC ACZRC5379 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 83.6 v 110 v 125 옴
CZRF52C5V1 Comchip Technology CZRF52C5V1 0.4300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 NA @ 800 MV 5.1 v 60 옴
FR201GA-G Comchip Technology FR201GA-G 0.0600
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-FR201GA-G 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SS34BF-HF Comchip Technology SS34BF-HF 0.1023
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 SS34 Schottky SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 450pf @ 4V, 1MHz
CEFA103-G Comchip Technology CEFA103-G -
RFQ
 ECAD 8630 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CEFA103 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 200 v 150 ° C (°) 1A -
S2MB-HF Comchip Technology S2MB-HF 0.0863
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2MB 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-S2MB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
CZRF10VB Comchip Technology CZRF10VB 0.0680
RFQ
 ECAD 4307 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF10 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 10 v 15 옴
CURM104-G Comchip Technology CURM104-G -
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123T 기준 SMA/SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
CZRT5234B-HF Comchip Technology CZRT5234B-HF 0.0620
RFQ
 ECAD 3097 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5234 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRT5234B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
1N5257B-G Comchip Technology 1N5257B-G -
RFQ
 ECAD 7270 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 - - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5257 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
FR201GB-G Comchip Technology FR201GB-G 0.0900
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-FR201GB-GTB 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
CDBQR0230R Comchip Technology CDBQR0230R 0.3900
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0402 (1005 메트릭) CDBQR0230 Schottky 0402/SOD-923F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 600 mv @ 200 ma 1 µa @ 10 v 125 ° C (°) 200ma -
CZRUR52C7V5-HF Comchip Technology Czrur52c7v5-Hf 0.0667
RFQ
 ECAD 8034 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c7v5 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
BAS21A-HF Comchip Technology BAS21A-HF 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 기준 SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BAS21A-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 250 v 400MA (DC) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°)
CEFM101-G Comchip Technology CEFM101-G 0.1604
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123T CEFM101 기준 SMA/SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 875 mv @ 1 a 25 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
CZRUR52C8V2 Comchip Technology Czrur52c8v2 0.0667
RFQ
 ECAD 9400 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6 v 8.2 v 7 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다