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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
SS310B-HF	0.1122	RFQ	9543	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS310	Schottky		DO-214AA (SMB)	-	rohs 준수			641-SS310B-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	850 mV @ 3 a		300 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	400pf @ 4V, 1MHz
CZRW5228B-G	0.0506	RFQ	3398	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW5228		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v							3.9 v	23 옴
S8MC-HF	0.1783	RFQ	5287	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S8MC	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S8MC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	1000 v	985 MV @ 8 a		10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	40pf @ 4V, 1MHz
SR3100-HF	0.2210	RFQ	4097	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향		Schottky		DO-27	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-SR3100-HFTB	귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	810 mV @ 3 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
ACDBMS2100-HF	0.3700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	830 mv @ 2 a		200 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	60pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5242A-HF	0.0725	RFQ	7148	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5242		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5242A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		2 µA @ 9.1 v							12 v	30 옴
SS510B-HF	0.1860	RFQ	9699	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS510	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	850 mV @ 5 a		300 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
CDBF0320-HF	-	RFQ	7434	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF0320	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	20 v	600 mv @ 200 ma	6.4 ns	5 µa @ 10 v	125 ° C (°)	350ma	50pf @ 0V, 1MHz
CZRA4745-HF	0.1550	RFQ	2781	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4745		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 12.2 v							16 v	16 옴
MMSZ5233B-HF	0.0487	RFQ	1484	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5233		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5233B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		5 µa @ 3.5 v							6 v	7 옴
CZRQC6V2B-HF	0.0652	RFQ	6939	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQC6		125 MW	0402C/SOD-923F	-	rohs 준수			641-CZRQC6V2B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	5,000			900 mV @ 10 ma		1 µa @ 4 v							6.2 v	10 옴
CDBU0240	0.4300	RFQ	368	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBU0240	Schottky		0603C/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	40 v	550 mV @ 200 mA		10 µa @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
CZRQC12VB-HF	0.0652	RFQ	3429	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQC12		125 MW	0402C/SOD-923F	-	rohs 준수			641-CZRQC12VB-HFTR	귀 99	8541.10.0050	5,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 9.1 v							12 v	22 옴
RS5JC-HF	0.1783	RFQ	1267	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS5J	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS5JC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.3 V @ 5 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
CDBF0130R-HF	-	RFQ	9857	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)		Schottky		1005/SOD-323F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBF0130R-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	30 v	450 mV @ 10 ma		500 na @ 10 v	125 ° C	100ma	-
FR101B-G	0.0536	RFQ	8686	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR101B-G	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
DTC123YCA-HF	0.0529	RFQ	1958	comchip 기술	DTC123YCA-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC123		200 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-DTC123YCA-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000									50 v	100 MA	500NA			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	33 @ 10ma, 5V	250MHz	2.2 Kohms	10 KOHMS
CZRW55C43-G	-	RFQ	4071	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 32 v							39 v	100 옴
SS24F-HF	0.0608	RFQ	7424	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS24	Schottky		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
ABZT52B3V0-HF	0.0690	RFQ	9468	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52B3V0-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		9 µa @ 1 v							3 v	95 옴
CZRQR30VB-HF	-	RFQ	8763	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR30		125 MW	0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v							30 v	78 옴
MMSZ4697-HF	0.0476	RFQ	3764	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4697		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		1 µa @ 7.6 v							10 v
CZRA4736-HF	0.1550	RFQ	9567	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4736		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 4 v							6.8 v	3.5 옴
ABZT52C68-HF	0.0690	RFQ	9708	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C68-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		45 NA @ 47.6 v							68 v	240 옴
CZRFR6V8B-HF	-	RFQ	4937	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR6		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5.2 v							6.8 v	8 옴
ACGRAT104L-HF	0.1063	RFQ	6792	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	acgrat104	기준		2010 년 년	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	800 v	1 V @ 1 a		5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
CZRQR52C16-HF	-	RFQ	6918	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR52		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v							16 v	40
FR106A-G	0.0420	RFQ	4045	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR106A-GTB	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	800 v	1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
DTA123JCA-HF	0.0529	RFQ	9891	comchip 기술	DTA123JCA-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTA123		200 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-DTA123JCA-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000									50 v	100 MA	500NA			pnp- 사전-	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
CZRF52C3V6-HF	0.0805	RFQ	2664	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v							3.6 v	95 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²