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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
ABC858B-HF	0.0506	RFQ	9848	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABC858B-HFTR	귀 99	8541.21.0095	3,000											30 v	100 MA	15NA (ICBO)			650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	100MHz
ACZRA4732-HF	0.1711	RFQ	9251	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4732		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v							4.7 v	8 옴
CZRW5251B-G	0.0556	RFQ	2324	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW5251		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v							22 v	29 옴
Czrur52c3v3-Hf	0.0667	RFQ	4508	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur52c3v3		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v							3.3 v	95 옴
CDBUR0230L-HF	0.0690	RFQ	3539	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBUR0230	Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBUR0230L-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		500 mV @ 200 mA		30 µa @ 10 v	125 ° C	200ma	-
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CZRU52C5V6-HF	0.3300	RFQ	34	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C5V6		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 1 v							5.6 v	40
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CDBV1100-HF	-	RFQ	9957	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-76, SOD-323	CDBV1100	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		820 MV @ 1 a		50 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
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CDBD20100-HF	-	RFQ	5305	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	CDBD20100	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A (DC)	850 mv @ 10 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
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Czrur52c8v2	0.0667	RFQ	9400	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 6 v							8.2 v	7 옴
ACZRM5230B-HF	0.0610	RFQ	6443	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5230		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							5 µa @ 2 v							4.7 v	19 옴
CZRA4736-HF	0.1550	RFQ	9567	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4736		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 4 v							6.8 v	3.5 옴
SS26-HF	0.4200	RFQ	66	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS26	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	80pf @ 4V, 1MHz
ACZRT55C4V7-G	0.3700	RFQ	2	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ACZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 2 v							4.7 v	80 옴
SR340-HF	0.1602	RFQ	1864	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향		Schottky		DO-27	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-SR340-HFTB	귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
Czrer52C18-HF	-	RFQ	7128	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v							18 v	50 옴
Czrer52C24-HF	-	RFQ	8801	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c24		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 18 v							24 v	80 옴
ACZRC5348B-G	0.3480	RFQ	4408	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5348		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		5 µa @ 8.4 v							11 v	2.5 옴
CDBF0130-HF	0.0864	RFQ	7313	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF0130	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		440 mV @ 100 ma		30 µa @ 30 v	125 ° C (°)	100ma	9pf @ 10V, 1MHz
CEFA102-G	-	RFQ	7582	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC (SMA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		920 MV @ 1 a	25 ns	5 µa @ 50 v	150 ° C (°)	1A	-
CDBA140LL-G	0.1668	RFQ	8051	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA140	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		340 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-20 ° C ~ 80 ° C	1A	-
CZRW5254B-G	0.0556	RFQ	7249	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW5254		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 18 v							27 v	41 옴
RS2D-HF	0.3700	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS2D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	22pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²