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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
CDBC2150LR-HF Comchip Technology CDBC2150LR-HF 0.2233
RFQ
ECAD 5643 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CDBC2150 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 820 MV @ 2 a 500 µa @ 150 v -50 ° C ~ 175 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
RS2GB-HF Comchip Technology RS2GB-HF 0.0828
RFQ
ECAD 7149 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2G 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-RS2GB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
UF3003-G Comchip Technology UF3003-G 0.1615
RFQ
ECAD 7610 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 UF3003 기준 DO-27 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
CZRB3007-HF Comchip Technology CZRB3007-HF -
RFQ
ECAD 2549 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w SMB/DO-214AA 다운로드 641-CZRB3007-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 5 v 7.5 v 2 옴
CDBVRL140-HF Comchip Technology CDBVRL140-HF 0.0486
RFQ
ECAD 6863 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0603 (1608 메트릭) CDBVRL140 Schottky WBFBP-02L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 700 mA 15 ns 50 µa @ 40 v 125 ° C 1A 50pf @ 1v, 1MHz
BZT52B15-HF Comchip Technology BZT52B15-HF 0.0418
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 - 1 (무제한) 641-BZT52B15-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 10.5 v 15 v 28 옴
CZRNC55C16-G Comchip Technology CZRNC55C16-G -
RFQ
ECAD 8864 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 1206 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
CDSU4448-HF Comchip Technology CDSU4448-HF 0.0552
RFQ
ECAD 8027 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 CDSU4448 기준 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDSU4448-HFTR 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1 v @ 100 ma 9 ns 100 na @ 80 v -40 ° C ~ 125 ° C 125MA 9pf @ 500MV, 1MHz
DTC114WCA-HF Comchip Technology DTC114WCA-HF 0.0529
RFQ
ECAD 9827 0.00000000 comchip 기술 DTC114WCA-HF 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC114 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-DTC114WCA-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
CZRA5947B-G Comchip Technology CZRA5947B-G 0.1352
RFQ
ECAD 5506 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA CZRA5947 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62.2 v 82 v 160 옴
CDBFR70-HF Comchip Technology CDBFR70-HF -
RFQ
ECAD 5546 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 1005 (2512 25) Schottky 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDBFR70-HFTR 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v 125 ° C 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
CZRQC3V3B-HF Comchip Technology CZRQC3V3B-HF 0.0652
RFQ
ECAD 8479 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.42% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQC3 125 MW 0402C/SOD-923F - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRQC3V3B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
ACZRM5255B-HF Comchip Technology ACZRM5255B-HF 0.0610
RFQ
ECAD 5386 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F ACZRM5255 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
CZRER52C39 Comchip Technology Czrer52c39 0.0810
RFQ
ECAD 3991 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) czrer52 150 MW 0503 (1308 메트릭) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 29 v 39 v 90 옴
CDBMTS220-HF Comchip Technology CDBMTS220-HF -
RFQ
ECAD 5596 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123 Schottky SOD-123 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 160pf @ 4V, 1MHz
CDBA2100LR-HF Comchip Technology CDBA2100LR-HF 0.1349
RFQ
ECAD 3452 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA2100 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 750 mv @ 2 a 500 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
BAV70-HF Comchip Technology BAV70-HF 0.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav70 기준 SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BAV70-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 70 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 6 ns 2.5 µa @ 70 v 150 ° C (°)
MMSZ5234B-HF Comchip Technology MMSZ5234B-HF 0.0487
RFQ
ECAD 9634 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5234 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MMSZ5234B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
ES5DC-HF Comchip Technology ES5DC-HF 0.1604
RFQ
ECAD 6375 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ES5D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-ES5DC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 5 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
CDBAT3100-HF Comchip Technology CDBAT3100-HF -
RFQ
ECAD 6513 0.00000000 comchip 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 641-CDBAT3100-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000
ACDSW4148-G Comchip Technology ACDSW4148-G 0.2400
RFQ
ECAD 27 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 ACDSW4148 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 2pf @ 0V, 1MHz
AMMSZ5248B-HF Comchip Technology AMMSZ5248B-HF 0.0725
RFQ
ECAD 1301 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 AMMSZ5248 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-AMMSZ5248B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 18 v 21 옴
ACZRM5247B-HF Comchip Technology ACZRM5247B-HF 0.0610
RFQ
ECAD 8827 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F ACZRM5247 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
ABZT52B20-HF Comchip Technology ABZT52B20-HF 0.0690
RFQ
ECAD 7212 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 641-ABZT52B20-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 na @ 14 v 20 v 50 옴
ES5CB-HF Comchip Technology ES5CB-HF 0.1783
RFQ
ECAD 5414 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES5C 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ES5CB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1 V @ 5 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
ACFRA101-HF Comchip Technology ACFRA101-HF 0.0958
RFQ
ECAD 8541 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ACFRA101 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-ACFRA101-HFTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
CMS03N06T-HF Comchip Technology CMS03N06T-HF -
RFQ
ECAD 9871 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 641-CMS03N06T-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V 2V @ 250µA 14.6 NC @ 10 v ± 20V 510 pf @ 30 v - 1.7W (TA)
CZRB3056-G Comchip Technology CZRB3056-G -
RFQ
ECAD 7264 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB3056 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 42.6 v 56 v 50 옴
CDSV3-99-G Comchip Technology CDSV3-99-G 0.0581
RFQ
ECAD 7744 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 CDSV3-99 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 75 v 300MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
BZT52C27-HF Comchip Technology BZT52C27-HF 0.0476
RFQ
ECAD 1623 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BZT52C27-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18.9 v 27 v 80 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고