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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CFRMT103-HF	-	RFQ	4070	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H	CFRMT103	기준		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CDBMTS2100-HF	-	RFQ	2309	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123	CDBMTS2100	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 2 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5262B-HF	0.0725	RFQ	6198	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5262		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5262B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 39 v				51 v	125 옴
1N5250B-G	-	RFQ	1701	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5250B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 15 v				20 v	25 옴
CDSUC4148-HF	0.3200	RFQ	1	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0603 (1608 메트릭)		기준		0603C/SOD-523F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1 V @ 50 ma	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-40 ° C ~ 125 ° C	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
ACGRAT102-HF	0.4800	RFQ	1	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	2010 (5025 5)	acgrat102	기준		2010 년 년	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
CDBU0230R-HF	0.3300	RFQ	54	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	cdbu0230	Schottky		0603C/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
CURMT107-HF	0.4400	RFQ	33	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CURMT107	기준		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CDBZ0130L-A1HF	-	RFQ	5093	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0201 (0603 메트릭)		Schottky		0201/DFN0603	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBZ0130L-A1HFTR	귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		800 mv @ 100 ma		50 µa @ 30 v	125 ° C	100ma	-
CDBB240LR-HF	0.1628	RFQ	8892	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB240	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		450 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
SR5150-HF	0.3200	RFQ	5388	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	SR5150	Schottky		DO-27	-		1 (무제한)		641-SR5150-HFTB			500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		870 mV @ 5 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
B0540WS-HF	0.4700	RFQ	1	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323		Schottky		SOD-323	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		510mV @ 500 mA	4 ns	20 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	170pf @ 0V, 1MHz
CZRL55C13-G	-	RFQ	8456	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.54%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C13-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 10 v				13 v	26 옴
6A08-G	0.2312	RFQ	7181	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	짐		800 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
CDBMHT1100-HF	0.1059	RFQ	1526	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	CDBMHT1100	Schottky		SOD-123HT	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
1N4007-G	0.2100	RFQ	205	comchip 기술	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4007	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		1000 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
ACZRW5253B-HF	0.0511	RFQ	1465	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5253B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 19 v				25 v	35 옴
Czrnc55c13-g	-	RFQ	8001	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 10 v				13 v	26 옴
CZRQC3V9B-HF	0.0652	RFQ	8220	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.56%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQC3		125 MW	0402C/SOD-923F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRQC3V9B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v				3.9 v	90 옴
CDSV3-99-G	0.0581	RFQ	7744	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	CDSV3-99	기준		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 연결 연결 시리즈	75 v	300MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
ACGRAT103L-HF	0.3600	RFQ	8	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2010 (5025 5)	acgrat103	기준		2010 년 년	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		930 MV @ 1 a		5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.2pf @ 4V, 1MHz
FR603A-G	0.2684	RFQ	4711	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR603A-G	귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 V @ 6 a	150 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
FR104A-G	0.0420	RFQ	4817	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR104A-GTB	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
CDBMT240-HF	0.1214	RFQ	6134	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CDBMT240	Schottky		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
CDBF0520-HF	0.0700	RFQ	2035	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF0520	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		470 mV @ 500 mA		100 µa @ 20 v	125 ° C (°)	500ma	100pf @ 0V, 1MHz
CDBFR0140R	0.0805	RFQ	3379	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBFR0140	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		450 mV @ 10 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
Czrur16VB-HF	0.0680	RFQ	8094	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur16		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v				16 v	36 옴
CDBU0240	0.4300	RFQ	368	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBU0240	Schottky		0603C/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		550 mV @ 200 mA		10 µa @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
CZRC5345B-HF	-	RFQ	1655	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5345B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		10 µa @ 6.6 v				8.7 v	2 옴
CDSH3-99-G	0.0608	RFQ	1969	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	CDSH3-99	기준		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	85 v	155ma	1.25 V @ 100 ma	4 ns	2 µa @ 75 v	150 ° C (°)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²