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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CSFMT106-HF	0.4400	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CSFMT106	기준		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
ACZRA4739-HF	0.1711	RFQ	1845	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4739		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 7 v							9.1 v	5 옴
US2D-HF	0.0662	RFQ	2190	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US2D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US2D-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
Czrur11VB-HF	0.0680	RFQ	2198	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur11		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.4 v							11 v	18 옴
cdbmt230l-g	-	RFQ	6981	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		Schottky		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		400 mV @ 2 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 100 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
CDSUR4148	0.3300	RFQ	21	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDSUR4148	기준		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1 V @ 50 ma	4 ns	2.5 µa @ 75 v	125 ° C (°)	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
CZRU13VB-HF	0.0680	RFQ	4474	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czru13		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 9.9 v							13 v	25 옴
ABZT52B27-HF	0.0690	RFQ	5390	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52B27-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 18.9 v							27 v	80 옴
CDBERT0230R	-	RFQ	7430	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDBERT0230	Schottky		0503 (1308 메트릭)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
1N5230B-G	-	RFQ	8810	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5230B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v							4.7 v	19 옴
CZRFR13VB-HF	-	RFQ	1061	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR13		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 9.9 v							13 v	25 옴
CGRC501-G	0.6300	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CGRC501	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		50 v		1.15 V @ 5 a		10 µa @ 50 v	150 ° C (°)	5a	-
1N5264B-G	-	RFQ	3236	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5264B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 46 v							60 v	170 옴
CZRFR52C6V8	0.0805	RFQ	4754	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 3 v							6.8 v	8 옴
CZRW55C5V6-G	-	RFQ	3304	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 7%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 2 v							5.6 v	40
CGRBT201-HF	-	RFQ	2182	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		2010/DO-214AC	다운로드		1 (무제한)		641-CGRBT201-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		200 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	14pf @ 4V, 1MHz
ACGRTS4005-HF	0.3900	RFQ	3278	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	ACGRTS4005	기준		TS/SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		600 v		1 V @ 1 a		10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6pf @ 4V, 1MHz
CZRB5340B-HF	0.8100	RFQ	26	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5340		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 3 v							6 v	1 옴
FR107B-G	0.0536	RFQ	6563	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-fr107b-g	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CDSQR400BS-HF	-	RFQ	7122	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		기준		0402C/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSQR400BS-HFTR	귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	-40 ° C ~ 125 ° C	100ma	3pf @ 500mv, 1MHz
CDBFR0520L	0.0828	RFQ	6549	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBFR0520	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		385 mV @ 500 mA	22 ns	250 µa @ 20 v	125 ° C (°)	500ma	170pf @ 0V, 1MHz
UF3005-G	0.1615	RFQ	3987	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	UF3005	기준		DO-27	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
CDBD20200-HF	-	RFQ	4116	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	CDBD20200	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	20A (DC)	1 V @ 10 a		500 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
CDSU101A-HF	0.0552	RFQ	1272	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDSU101	기준		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSU101A-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	4 ns	50 na @ 75 v	-40 ° C ~ 125 ° C	100ma	3pf @ 500mv, 1MHz
CDBZ31060H-HF	-	RFQ	1119	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn		Schottky		TO-277 (Z3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		650 mV @ 10 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MMBT4401-HF	0.2600	RFQ	8	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT4401		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMBT4401-HFTR	귀 99	8541.21.0095	3,000											40 v	600 MA	100NA			NPN	750mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 1V	250MHz
CDBA160-G	0.4300	RFQ	127	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA160	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Czrnc55c9v1-g	-	RFQ	8838	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 6.8 v							9.1 v	10 옴
CGRB306-HF	0.1403	RFQ	5316	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CGRB306	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRB306-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1.15 V @ 3 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CZRL55C68-G	-	RFQ	9950	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.88%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C68-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 51 v							68 v	200 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²