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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
CZRA4757-G Comchip Technology CZRA4757-G 0.1550
RFQ
ECAD 2682 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA CZRA4757 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRA4757-GTR 귀 99 8541.10.0050 2,000 5 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
ACZRA4762-HF Comchip Technology ACZRA4762-HF 0.1711
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA ACZRA4762 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
CGRC504-G Comchip Technology CGRC504-G 0.2232
RFQ
ECAD 7054 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CGRC504 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.15 V @ 5 a 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 5a -
CZRU22VB-HF Comchip Technology CZRU22VB-HF 0.0680
RFQ
ECAD 6972 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 czru22 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
CDBUR0530-HF Comchip Technology CDBUR0530-HF 0.0760
RFQ
ECAD 7907 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0603 (1608 메트릭) CDBUR0530 Schottky 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDBUR0530-HFTR 귀 99 8541.10.0070 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 470 mV @ 500 mA 100 µa @ 20 v 125 ° C 500ma 100pf @ 0V, 1MHz
CSFMT108-HF Comchip Technology CSFMT108-HF 0.4400
RFQ
ECAD 26 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H CSFMT108 기준 SOD-123H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
CDBV3-54-HF Comchip Technology CDBV3-54-HF 0.0619
RFQ
ECAD 9220 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 CDBV3-54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 4 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
ABZT52B62-HF Comchip Technology ABZT52B62-HF 0.0690
RFQ
ECAD 6092 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ABZT52B62-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
FR605A-G Comchip Technology FR605A-G 0.2684
RFQ
ECAD 4304 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 기준 R-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-FR605A-G 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 6 a 250 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1MHz
BSS138W-G Comchip Technology BSS138W-G 0.0630
RFQ
ECAD 8681 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BSS138W-GTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TC) 10V 3.5ohm @ 220a, 10V 1.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 200MW (TA)
RS5JC-HF Comchip Technology RS5JC-HF 0.1783
RFQ
ECAD 1267 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC RS5J 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-RS5JC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 5 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
CGRC306-G Comchip Technology CGRC306-G 0.1488
RFQ
ECAD 5838 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CGRC306 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CGRC306-GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 800 v 150 ° C 3A -
RS2GB-HF Comchip Technology RS2GB-HF 0.0828
RFQ
ECAD 7149 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2G 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-RS2GB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
CDBC580-G Comchip Technology CDBC580-G -
RFQ
ECAD 5601 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC CDBC580 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mV @ 5 a 500 µa @ 80 v -40 ° C ~ 125 ° C 5a -
FR102A-G Comchip Technology FR102A-G 0.0420
RFQ
ECAD 8007 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-FR102A-GTB 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
ES3BB-HF Comchip Technology ES3BB-HF 0.1177
RFQ
ECAD 9334 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES3B 기준 SMB/DO-214AA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-ES3BB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 3 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
CDBER40 Comchip Technology cdber40 0.0667
RFQ
ECAD 8296 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0503 (1308 메트릭) Schottky 0503/SOD-723F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v 125 ° C (°) 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
CDBV3-54S-G Comchip Technology CDBV3-54S-G -
RFQ
ECAD 5198 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°)
CSFB202-G Comchip Technology CSFB202-G 0.1328
RFQ
ECAD 1312 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB CSFB202 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 920 MV @ 2 a 35 ns 5 µa @ 100 v 150 ° C (°) 2A -
ABAV70-HF Comchip Technology ABAV70-HF 0.0621
RFQ
ECAD 4199 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ABAV70 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ABAV70-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 70 v 150 ° C (°)
CMS25P06H8-HF Comchip Technology CMS25P06H8-HF 0.3947
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CMS25 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) - 1 (무제한) 641-CMS25P06H8-HFTR 5,000 p 채널 60 v 25A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 4.1a, 10V 2V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1408 pf @ 30 v - 35W (TC)
CGRC306-HF Comchip Technology CGRC306-HF 0.1488
RFQ
ECAD 5858 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CGRC306 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CGRC306-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 800 v 150 ° C 3A -
CDBB280-G Comchip Technology CDBB280-G -
RFQ
ECAD 5409 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB CDBB280 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mv @ 2 a 500 µa @ 80 v 125 ° C (°) 2A -
MMBT2222A-G Comchip Technology MMBT2222A-G 0.3000
RFQ
ECAD 70 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10MV 300MHz
MBRF10200CT-HF Comchip Technology MBRF10200CT-HF -
RFQ
ECAD 8570 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBRF1020 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MBRF10200CT-HF 쓸모없는 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 900 mV @ 5 a 100 µa @ 200 v 175 ° C
CDBAT120-HF Comchip Technology CDBAT120-HF -
RFQ
ECAD 5967 0.00000000 comchip 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 641-CDBAT120-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000
RS1J-HF Comchip Technology RS1J-HF 0.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1J 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
UF4005-G Comchip Technology UF4005-G 0.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 comchip 기술 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4005 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
CFRMT103-HF Comchip Technology CFRMT103-HF -
RFQ
ECAD 4070 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123H CFRMT103 기준 SOD-123H 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
CZRFR52C3V9 Comchip Technology CZRFR52C3V9 0.0805
RFQ
ECAD 9029 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 95 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고