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불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ACZRA4755-HF Comchip Technology ACZRA4755-HF 0.1711
RFQ
 ECAD 5397 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA ACZRA4755 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
CZRNC55C3V6-G Comchip Technology Czrnc55c3v6-g -
RFQ
 ECAD 3074 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 1206 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 3.6 v 85 옴
ACZRA4757-HF Comchip Technology ACZRA4757-HF 0.1711
RFQ
 ECAD 8603 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA ACZRA4757 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
CZRF52C2V7 Comchip Technology CZRF52C2V7 0.0805
RFQ
 ECAD 2244 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 83 옴
CGRC304-G Comchip Technology CGRC304-G 0.1488
RFQ
 ECAD 2450 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CGRC304 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 400 v 150 ° C (°) 3A -
CZRT55C7V5-G Comchip Technology CZRT55C7V5-G 0.0620
RFQ
 ECAD 7665 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
CZRW5231B-G Comchip Technology CZRW5231B-G 0.0506
RFQ
 ECAD 1731 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CZRW5231 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
CDBA140SL-HF Comchip Technology CDBA140SL-HF 0.6000
RFQ
 ECAD 897 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA140 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 330 mv @ 1 a 1 ma @ 40 v -50 ° C ~ 100 ° C 1.4a -
CZRQR52C3V9-HF Comchip Technology CZRQR52C3V9-HF -
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQR52 125 MW 0402 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 95 옴
CZRUR22VB-HF Comchip Technology Czrur22VB-HF 0.0680
RFQ
 ECAD 5997 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 czrur22 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
KBP210G-G Comchip Technology KBP210G-G 0.6900
RFQ
 ECAD 805 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP KBP210 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 641-1736 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
CZRL55C3V9-G Comchip Technology CZRL55C3V9-G -
RFQ
 ECAD 6186 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.13% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRL55C3V9-GTR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
CZRT5243B-G Comchip Technology CZRT5243B-G 0.0476
RFQ
 ECAD 2128 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5243 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
CZRB3015-G Comchip Technology CZRB3015-G -
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB3015 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 11.4 v 15 v 5.5 옴
CZRUR52C4V7 Comchip Technology Czrur52c4v7 0.0667
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 78 옴
CDBU0130R Comchip Technology cdbu0130r 0.4300
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 cdbu0130 Schottky 0603C/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 450 mV @ 10 ma 500 na @ 10 v 125 ° C (°) 100ma -
AES2KF-HF Comchip Technology AES2KF-HF 0.1084
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA AES2KF 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 2.3 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
ACDST-99-G Comchip Technology ACDST-99-G 0.2900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ACDST-99 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 70 v 200ma 1.25 V @ 150 mA 6 ns 2.5 µa @ 70 v 150 ° C (°)
CDBF0140L-HF Comchip Technology CDBF0140L-HF -
RFQ
 ECAD 3479 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 1005 (2512 25) CDBF0140 Schottky 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 100 ma 30 µa @ 10 v 125 ° C (°) 100ma 6pf @ 10V, 1MHz
CZRU10VB-HF Comchip Technology czru10vb-hf 0.0680
RFQ
 ECAD 9548 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 czru10 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 10 v 15 옴
CDBQR0130L Comchip Technology CDBQR0130L 0.3900
RFQ
 ECAD 622 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0402 (1005 메트릭) CDBQR0130 Schottky 0402/SOD-923F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 350 mV @ 10 ma 10 µa @ 10 v 125 ° C (°) 100ma -
CZRU52C3-HF Comchip Technology CZRU52C3-HF 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C3 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 3 v 95 옴
CZRFR52C8V2-HF Comchip Technology CZRFR52C8V2-HF 0.0805
RFQ
 ECAD 1802 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6 v 8.2 v 7 옴
FR106T-G Comchip Technology FR106T-G 0.0420
RFQ
 ECAD 1750 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-FR106T-GTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
CZRER27VB-HF Comchip Technology Czrer27VB-HF -
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) 150 MW 0503/SOD-723F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 27 v 70 옴
CMS42N06V8-HF Comchip Technology CMS42N06V8-HF -
RFQ
 ECAD 9043 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS42N06V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 42A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 39.2 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 2W (TA), 52W (TC)
SS86C-HF Comchip Technology SS86C-HF 0.2190
RFQ
 ECAD 5565 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SS86 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 8 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 400pf @ 4V, 1MHz
CDBU0320 Comchip Technology cdbu0320 0.0680
RFQ
 ECAD 5770 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 Schottky 0603 (1608 메트릭) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mv @ 200 ma 6.4 ns 5 µa @ 10 v 125 ° C (°) 350ma 50pf @ 0V, 1MHz
BAV19W-HF Comchip Technology BAV19W-HF 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SOD-123 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 120 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
BZX84C24CC-HF Comchip Technology BZX84C24CC-HF 0.0492
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.83% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C24 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BZX84C24CC-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 a 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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