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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | CDBF0130R | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CDBF0130 | Schottky | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 450 mV @ 10 ma | 500 na @ 10 v | 125 ° C (°) | 100ma | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGRC306-HF | 0.1488 | ![]() | 5858 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | CGRC306 | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CGRC306-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 3 a | 5 µa @ 800 v | 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDBF0130R-HF | - | ![]() | 9857 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | Schottky | 1005/SOD-323F | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CDBF0130R-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 450 mV @ 10 ma | 500 na @ 10 v | 125 ° C | 100ma | - | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CURM104-G | - | ![]() | 6311 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOD-123T | 기준 | SMA/SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
CGRBT303-HF | - | ![]() | 5165 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 기준 | 2114/do-214AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 641-CGRBT303-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 600 v | 1 V @ 3 a | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 23pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
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FR605A-G | 0.2684 | ![]() | 4304 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | R-6, 축, | 기준 | R-6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-FR605A-G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 V @ 6 a | 250 ns | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 100pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDBUR0530-HF | 0.0760 | ![]() | 7907 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 0603 (1608 메트릭) | CDBUR0530 | Schottky | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CDBUR0530-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µa @ 20 v | 125 ° C | 500ma | 100pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACZRA4762-HF | 0.1711 | ![]() | 1370 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | ACZRA4762 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 62.2 v | 82 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ABAV70-HF | 0.0621 | ![]() | 4199 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ABAV70 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ABAV70-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 75 v | 150ma | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µa @ 70 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMS25P06H8-HF | 0.3947 | ![]() | 9879 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CMS25 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | - | 1 (무제한) | 641-CMS25P06H8-HFTR | 5,000 | p 채널 | 60 v | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 4.1a, 10V | 2V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1408 pf @ 30 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2222A-G | 0.3000 | ![]() | 70 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 600 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10MV | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS2GB-HF | 0.0828 | ![]() | 7149 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | RS2G | 기준 | SMB/DO-214AA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-RS2GB-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDBC580-G | - | ![]() | 5601 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | CDBC580 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 80 v | 850 mV @ 5 a | 500 µa @ 80 v | -40 ° C ~ 125 ° C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3BB-HF | 0.1177 | ![]() | 9334 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | ES3B | 기준 | SMB/DO-214AA | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-ES3BB-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGRC306-G | 0.1488 | ![]() | 5838 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | CGRC306 | 기준 | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CGRC306-GTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 3 a | 5 µa @ 800 v | 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDBB280-G | - | ![]() | 5409 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CDBB280 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 80 v | 850 mv @ 2 a | 500 µa @ 80 v | 125 ° C (°) | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF10200CT-HF | - | ![]() | 8570 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBRF1020 | Schottky | ITO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-MBRF10200CT-HF | 쓸모없는 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 10A | 900 mV @ 5 a | 100 µa @ 200 v | 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR102A-G | 0.0420 | ![]() | 8007 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-FR102A-GTB | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDBAT120-HF | - | ![]() | 5967 | 0.00000000 | comchip 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 641-CDBAT120-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CZRU52C9V1 | 0.3300 | ![]() | 403 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | CZRU52C9V1 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
UF4005-G | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | UF4005 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고