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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | SS315C-HF | 0.1442 | ![]() | 9363 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SS315 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 950 MV @ 3 a | 300 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 350pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
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![]() | CDBZ31060H-HF | - | ![]() | 1119 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | Schottky | TO-277 (Z3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 650 mV @ 10 a | 100 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||
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![]() | FR105A-G | 0.0420 | ![]() | 9680 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-FR105A-GTB | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 v @ 1 a | 250 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Czrur52c4v3 | 0.0667 | ![]() | 4684 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 95 옴 | ||||||||||||
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![]() | ABZT52B8V2-HF | 0.0690 | ![]() | 2078 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.95% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-ABZT52B8V2-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 630 na @ 5 v | 8.2 v | 7 옴 | ||||||||||||
![]() | CDBW0540-G | 0.4000 | ![]() | 69 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | CDBW0540 | Schottky | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 510mV @ 500 mA | 20 µa @ 40 v | 125 ° C (°) | 500ma | - | ||||||||||
![]() | CDBA2200LR-HF | 0.1653 | ![]() | 4041 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CDBA2200 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 850 mv @ 2 a | 500 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
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![]() | CZRFR3V0B-HF | - | ![]() | 7977 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CZRFR3 | 200 MW | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | |||||||||||
![]() | CDBCT3100-HF | - | ![]() | 4604 | 0.00000000 | comchip 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 641-CDBCT3100-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | S1W-HF | 0.0969 | ![]() | 7871 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | S1W | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 1600 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 1600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | SS215BF-HF | 0.0930 | ![]() | 6810 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-221AA, SMB 플랫 리드 | SS215 | Schottky | SMBF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 950 MV @ 2 a | 300 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | RS1B-HF | 0.0621 | ![]() | 7009 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RS1B | 기준 | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-RS1B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고