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불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
MB6S-G Comchip Technology MB6S-G -
RFQ
 ECAD 8905 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 MBS 다운로드 641-MB6S-GTR 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 400 mA 5 ma @ 600 v 800 MA 단일 단일 600 v
CZRC5357B-HF Comchip Technology CZRC5357B-HF -
RFQ
 ECAD 3684 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 641-CZRC5357B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 15.2 v 20 v 3 옴
CZRF33VB-HF Comchip Technology CZRF33VB-HF -
RFQ
 ECAD 6898 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF33 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 88 옴
KBPC1002-G Comchip Technology KBPC1002-G 9.3300
RFQ
 ECAD 513 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC1002 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 200 v 10 a 단일 단일 200 v
MMBZ5230A-HF Comchip Technology MMBZ5230A-HF 0.0556
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.91% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5230 350 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-MMBZ5230A-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 100 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
CZRUR52C27 Comchip Technology Czrur52c27 0.0667
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 20 v 27 v 80 옴
BZT52B30-HF Comchip Technology BZT52B30-HF 0.0418
RFQ
 ECAD 7511 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 - 1 (무제한) 641-BZT52B30-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 na @ 21 v 30 v 75 옴
GBPC3501W-G Comchip Technology GBPC3501W-G 2.9083
RFQ
 ECAD 4163 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3501 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
B10S-G Comchip Technology B10S-G 0.3900
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 B10S 기준 MBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 1000 v 800 MA 단일 단일 1kv
CZRL5225B-G Comchip Technology CZRL5225B-G -
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CZRL5225 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.25 V @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3 v 29 옴
SS34-HF Comchip Technology SS34-HF 0.4500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS34 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 450pf @ 4V, 1MHz
MMBT4403-HF Comchip Technology MMBT4403-HF 0.2600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4403 300MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
CGRBT304-HF Comchip Technology CGRBT304-HF -
RFQ
 ECAD 9224 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 없음 기준 2010/DO-214AC 다운로드 1 (무제한) 641-CGRBT304-HFTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 800 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 23pf @ 4V, 1MHz
CZRL5266B-G Comchip Technology CZRL5266B-G -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CZRL5266 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.25 V @ 200 ma 100 na @ 52 v 68 v 230 옴
HBS510-HF Comchip Technology HBS510-HF 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 HBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-HBS510-HFTR 귀 99 8541.10.0080 2,500 970 MV @ 5 a 5 µa @ 1000 v 5 a 단일 단일 1kv
CZRA5926B-G Comchip Technology CZRA5926B-G 0.1352
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA CZRA5926 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 5.5 옴
AS5MBF-HF Comchip Technology AS5MBF-HF 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-AS5MBF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 4,000 짐 1000 v 1.15 V @ 5 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
CZRW4695-G Comchip Technology CZRW4695-G -
RFQ
 ECAD 2237 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 350 MW SOD-123 다운로드 641-CZRW4695-GTR 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 6.6 v 8.7 v
CZRUR52C2V4 Comchip Technology Czrur52c2v4 0.0667
RFQ
 ECAD 9202 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
AMMSZ5237B-HF Comchip Technology AMMSZ5237B-HF 0.0725
RFQ
 ECAD 1382 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 AMMSZ5237 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-AMMSZ5237B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
GBJ2506-G Comchip Technology GBJ2506-G 1.1133
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2506 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
CZRF10VB Comchip Technology CZRF10VB 0.0680
RFQ
 ECAD 4307 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF10 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 10 v 15 옴
ABZT52B20-HF Comchip Technology ABZT52B20-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 7212 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 641-ABZT52B20-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 na @ 14 v 20 v 50 옴
GBU402-G Comchip Technology GBU402-G 0.8510
RFQ
 ECAD 3895 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU402 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 a 10 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
CZRB3012-HF Comchip Technology CZRB3012-HF -
RFQ
 ECAD 6588 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w SMB/DO-214AA 다운로드 641-CZRB3012-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 4.5 옴
CFRMT107-HF Comchip Technology CFRMT107-HF 0.4300
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H CFRMT107 기준 SOD-123H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
CDSF4148-B03 Comchip Technology CDSF4148-B03 -
RFQ
 ECAD 3364 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 1005 (2512 25) 1005 (2512 25) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDSF4148-B03TR 귀 99 8541.10.0070 4,000
CDBD560-HF Comchip Technology CDBD560-HF -
RFQ
 ECAD 2670 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDBD560-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
CZRFR10VB-HF Comchip Technology CZRFR10VB-HF -
RFQ
 ECAD 6176 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR10 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 10 v 15 옴
CZRU52C36 Comchip Technology CZRU52C36 0.0621
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C36 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 90 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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