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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
CZRFR52C8V2-HF	0.0805	RFQ	1802	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 6 v									8.2 v	7 옴
CDSV-19-G	0.0621	RFQ	9557	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	CDSV-19	기준		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	100 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
Czrer27VB-HF	-	RFQ	8827	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v									27 v	70 옴
CZRFR52C2-HF	0.0805	RFQ	1207	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v									2 v	100 옴
CZRC5384B-G	-	RFQ	4929	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5384B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 122 v									160 v	350 옴
BZT52B13-HF	0.0418	RFQ	1637	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B13-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		90 na @ 8 v									13 v	28 옴
2SC1623-L6-HF	0.0396	RFQ	3239	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-2SC1623-L6-HFTR	귀 99	8541.21.0095	3,000									50 v	100 MA			100NA (ICBO)				300mv @ 10ma, 100ma	200 @ 1ma, 6v	250MHz
CDSQR400BS-HF	-	RFQ	7122	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		기준		0402C/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSQR400BS-HFTR	귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	100 v	1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	-40 ° C ~ 125 ° C	100ma	3pf @ 500mv, 1MHz
Czrer52c11	0.0810	RFQ	7258	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.5 v									11 v	20 옴
sb1100e-g	0.3500	RFQ	3464	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SB1100	Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CDBMH280-HF	-	RFQ	2688	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		Schottky		SOD-123T	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	80 v	850 mv @ 2 a		200 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
CDBJCSC201200-G	-	RFQ	9979	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-220AC	-				641-CDBJCSC201200-G	쓸모없는		1	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)	1200 v	1.8 V @ 20 a	0 ns	100 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	20A	1500pf @ 0V, 1MHz
ACZRM5248B-HF	0.0610	RFQ	6162	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5248		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					100 na @ 14 v									18 v	21 옴
ACURB203-HF	0.1515	RFQ	6110	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	acurb203	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
CZRT55C24-G	0.0620	RFQ	8776	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 16.8 v									24 v	70 옴
RS3AB-HF	0.4700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	RS3A	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.3 v @ 3 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
Czrur22VB-HF	0.0680	RFQ	5997	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czrur22		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v									22 v	55 옴
CDSURT4148-HF	-	RFQ	4989	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSURT4148-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	75 v	1 V @ 50 ma	4 ns	2.5 µa @ 75 v	125 ° C	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
ES1DWF-HF	0.0690	RFQ	4673	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	ES1D	기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-es1dwf-hftr	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	1 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CEFN103-HF	-	RFQ	2284	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1206 (3216 메트릭)		기준		1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CEFN103-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5233B-HF	0.0725	RFQ	3083	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5233		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5233B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		5 µa @ 3.5 v									6 v	7 옴
CZRC5357B-HF	-	RFQ	3684	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5357B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 15.2 v									20 v	3 옴
KBPC1002-G	9.3300	RFQ	513	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, KBPC	KBPC1002	기준		KBPC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50			1.1 v @ 5 a		10 µa @ 200 v		10 a				단일 단일	200 v
MB6S-G	-	RFQ	8905	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외		기준		MBS	다운로드				641-MB6S-GTR	귀 99	8541.10.0080	1			1 V @ 400 mA		5 ma @ 600 v		800 MA				단일 단일	600 v
CZRF33VB-HF	-	RFQ	6898	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF33		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v									33 v	88 옴
CGRMT4005-HF	0.0972	RFQ	4567	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CGRMT4005	기준		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	600 v	1.1 v @ 1 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CGRBT304-HF	-	RFQ	9224	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		2010/DO-214AC	다운로드		1 (무제한)		641-CGRBT304-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐	800 v	1 V @ 3 a		5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	23pf @ 4V, 1MHz
CDBFR54-HF	-	RFQ	6528	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)		Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBFR54-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	30 v	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
DTC143XCA-HF	0.0529	RFQ	6925	comchip 기술	DTC143XCA-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC143		200 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-DTC143XCA-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000									50 v	100 MA			500NA			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	10 KOHMS
CZRF52C15-HF	0.0805	RFQ	9535	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v									15 v	20 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²