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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CGRB206-G	0.1008	RFQ	6134	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CGRB206	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		641-CGRB206-GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 800 v	150 ° C	2A	-
CZRB3016-G	-	RFQ	5630	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3016		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 12.2 v							16 v	5.5 옴
cdbfr001a	-	RFQ	8691	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)		Schottky		1005/SOD-323F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma		2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
CDSUR4148-HF	0.0575	RFQ	8348	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDSUR4148	기준		0603/SOD-523F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1 V @ 50 ma	4 ns	2.5 µa @ 75 v	125 ° C (°)	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
CZRA4732B-HF	-	RFQ	6463	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA			1 W.	DO-214AC (SMA)	-				641-CZRA4732B-HF	쓸모없는		1					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v							4.7 v	8 옴
Czrur52c3v3	0.0667	RFQ	7644	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v							3.3 v	95 옴
CZRA5920B-G	0.1352	RFQ	4681	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5920		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 4 v							6.2 v	2 옴
CDBQR40-HF	0.3900	RFQ	257	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR40	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
CDBMT130-HF	-	RFQ	6985	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		Schottky		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
BZT52B4V3-HF	0.0418	RFQ	8760	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B4V3-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2.7 µa @ 1 v							4.3 v	84 옴
ACZRA4729-HF	0.1711	RFQ	8774	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4729		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v							3.6 v	10 옴
CZRFR8V2B-HF	-	RFQ	6339	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR8		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		500 NA @ 6.5 v							8.2 v	7 옴
CZRF52C5V1	0.4300	RFQ	20	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 NA @ 800 MV							5.1 v	60 옴
Czrer52C13-HF	-	RFQ	2856	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c13		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v							13 v	25 옴
ABC857C-HF	0.0506	RFQ	4044	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		641-ABC857C-HFTR	귀 99	8541.21.0095	3,000											45 v	100 MA	15NA (ICBO)			650MV @ 5MA, 100MA	420 @ 2MA, 5V	100MHz
ES2C-HF	0.4200	RFQ	9	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2C	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
BZT52B18-HF	0.0418	RFQ	9812	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B18-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 12.6 v							18 v	42 옴
CDSH6-16-HF	-	RFQ	7584	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-563, SOT-666	CDSH6-16	기준		SOT-563	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		641-CDSH6-16-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 독립	75 v	200ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	150 ° C
ACZRW5240B-G	0.0556	RFQ	3845	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5240		350 MW	SOD-123F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 8 v							10 v	17 옴
CZRA4740-HF	0.1550	RFQ	3795	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4740		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 7.6 v							10 v	7 옴
CZRT55C5V1-G	0.0620	RFQ	7834	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v							5.1 v	60 옴
Czrer52c20	0.0810	RFQ	3940	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v							20 v	50 옴
CDBU0520-HF	0.4300	RFQ	39	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBU0520	Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		470 mV @ 500 mA		100 µa @ 20 v	125 ° C (°)	500ma	100pf @ 0V, 1MHz
CZRT55C3V9-G	0.0620	RFQ	9815	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v							3.9 v	90 옴
CDBB1150-HF	0.4100	RFQ	384	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB1150	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		870 mv @ 1 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CDBQR70	0.4000	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR70	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		70 v		1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	125 ° C (°)	70ma	2pf @ 0V, 1MHz
ACZRC5373B-G	0.3480	RFQ	7278	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5373		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 51.7 v							68 v	44 옴
CZRF52C2	0.4300	RFQ	14	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v							2 v	100 옴
CZRL55C3V0-G	-	RFQ	9332	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.67%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	ROHS3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C3V0-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		4 µa @ 1 v							3 v	90 옴
CEFA104-G	-	RFQ	6394	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	CEFA104	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 400 v	150 ° C (°)	1A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²