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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
US5AB-HF Comchip Technology US5AB-HF 0.1783
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB US5A 기준 SMB/DO-214AA - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-US5AB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 5 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
US2AWF-HF Comchip Technology US2AWF-HF 0.0828
RFQ
 ECAD 4166 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F US2A 기준 SOD-123F - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-US2AWF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZX84C51CC-HF Comchip Technology BZX84C51CC-HF 0.0492
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C51 350 MW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 641-BZX84C51CC-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 a 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
US3KC-HF Comchip Technology US3KC-HF 0.1471
RFQ
 ECAD 3963 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC US3K 기준 DO-214AB (SMC) - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-US3KC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.68 V @ 3 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX84C11CC-HF Comchip Technology BZX84C11CC-HF 0.0492
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C11 350 MW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 641-BZX84C11CC-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 a 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
MMSZ5251B-HF Comchip Technology MMSZ5251B-HF 0.0487
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5251 500MW SOD-123 - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-MMSZ5251B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
S5BC-HF Comchip Technology S5BC-HF 0.1186
RFQ
 ECAD 7289 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5BC 기준 DO-214AB (SMC) - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-S5BC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 100 v 1 V @ 5 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
US2GB-HF Comchip Technology US2GB-HF 0.1035
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB US2G 기준 SMB/DO-214AA - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-US2GB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
BZX84C10CC-HF Comchip Technology BZX84C10CC-HF 0.0492
RFQ
 ECAD 6313 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C10 350 MW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 641-BZX84C10CC-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 a 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
US3AC-HF Comchip Technology US3AC-HF 0.1471
RFQ
 ECAD 3195 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC US3A 기준 DO-214AB (SMC) - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-US3AC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ABAS16WS-HF Comchip Technology ABAS16WS-HF 0.0382
RFQ
 ECAD 8629 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 ABAS16 기준 SOD-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 641-ABAS16WS-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.25 V @ 150 mA 6 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
RS1A-HF Comchip Technology RS1A-HF 0.0621
RFQ
 ECAD 4796 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1A 기준 DO-214AC (SMA) - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-RS1A-HFTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52C10-HF Comchip Technology BZT52C10-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 641-BZT52C10-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
RS2DWF-HF Comchip Technology RS2DWF-HF 0.0863
RFQ
 ECAD 3972 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RS2D 기준 SOD-123F - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-RS2DWF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
RS1MWF-HF Comchip Technology RS1MWF-HF 0.0595
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Rs1m 기준 SOD-123F - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-RS1MWF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52C2V4-HF Comchip Technology BZT52C2V4-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 9815 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 641-BZT52C2V4-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
RS2DB-HF Comchip Technology RS2DB-HF 0.0828
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2D 기준 SMB/DO-214AA - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-RS2DB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
BZX84C3V3CC-HF Comchip Technology BZX84C3V3CC-HF 0.0492
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3 350 MW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 641-BZX84C3V3CC-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 a 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
S8MC-HF Comchip Technology S8MC-HF 0.1783
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S8MC 기준 DO-214AB (SMC) - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-S8MC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 985 MV @ 8 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 40pf @ 4V, 1MHz
ES3JC-HF Comchip Technology ES3JC-HF 0.1783
RFQ
 ECAD 2725 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3J 기준 DO-214AB (SMC) - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-ES3JC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.68 V @ 3 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
RS5AC-HF Comchip Technology RS5AC-HF 0.1783
RFQ
 ECAD 9469 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC RS5A 기준 DO-214AB (SMC) - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-RS5AC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 5 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
ES2GB-HF Comchip Technology ES2GB-HF 0.1035
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2G 기준 SMB/DO-214AA - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-ES2GB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
S3BC-HF Comchip Technology S3BC-HF 0.1091
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3BC 기준 DO-214AB (SMC) - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-S3BC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 100 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
US1K-HF Comchip Technology US1K-HF 0.0621
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1K 기준 DO-214AC (SMA) - ROHS3 준수 1 (무제한) 641-US1K-HFTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.65 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A 15pf @ 4V, 1MHz
CMS80N03H8-HF Comchip Technology CMS80N03H8-HF -
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CMS80 MOSFET (금속 (() DFN5X6 (PR-PAK) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-CMS80N03H8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 80A (TC) 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 4.5 v ± 20V 1160 pf @ 25 v - 2W (TA), 53W (TC)
MMBZ5231A-HF Comchip Technology MMBZ5231A-HF 0.0556
RFQ
 ECAD 4395 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.96% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5231 350 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-MMBZ5231A-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 100 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
ASS8050-L-HF Comchip Technology ASS8050-L-HF 0.0682
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ASS8050 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-ASS8050-L-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 80ma, 800ma 120 @ 100MA, 1V 100MHz
AS9013-J-HF Comchip Technology AS9013-J-HF 0.0640
RFQ
 ECAD 9735 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AS9013 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-AS9013-J-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 500 MA 100NA NPN 600mv @ 50ma, 500ma 300 @ 50MA, 1V 150MHz
ABC858BW-HF Comchip Technology ABC858BW-HF 0.0800
RFQ
 ECAD 8852 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 ABC858 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-ABC858BW-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
DTA123YCA-HF Comchip Technology DTA123YCA-HF 0.0529
RFQ
 ECAD 8320 0.00000000 comchip 기술 DTA123YCA-HF 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-DTA123YCA-HFTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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