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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
DB101SP-HF	-	RFQ	4727	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		DBS	다운로드				641-DB101SP-HF	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 1 a		10 µa @ 50 v		1 a				단일 단일	50 v
BR1001-G	-	RFQ	1769	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	16-UFBGA, WLCSP	BR1001	기준		16-WLCSP (1.41x1.41)	-	Rohs3 준수			641-BR1001-G	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 5 a		10 µa @ 100 v		10 a				단일 단일	100 v
ACZRW5255B-HF	0.0511	RFQ	8605	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5255B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v									28 v	44 옴
CMSP2011A6-HF	0.2494	RFQ	3243	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드		MOSFET (금속 (()		DFNWB2X2-6L-J	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CMSP2011A6-HFTR	귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	11A (TA)	2.5V, 4.5V	24mohm @ 7.2a, 4.5v	1V @ 250µA	35 NC @ 4.5 v	± 12V	1580 pf @ 6 v	-	750MW (TA)
MMBTA14-HF	0.0732	RFQ	8034	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMBTA14-HFTR	귀 99	8541.21.0095	3,000																				30 v	300 MA			100NA			npn-달링턴	1.5V @ 100µa, 100ma	20000 @ 100MA, 5V	125MHz
DB102ST-G	-	RFQ	5460	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DB10	기준		DBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-DB102ST-GTR	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 1 a		10 µa @ 100 v		1 a				단일 단일	100 v
DB103st-G	-	RFQ	4670	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DB10	기준		DBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-DB103ST-GTR	귀 99	8541.10.0080	1														1.1 v @ 1 a		10 µa @ 200 v		1 a				단일 단일	200 v
CZRB3022-HF	-	RFQ	6716	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3022-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000														1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 16.7 v									22 v	8 옴
CZRB3047-HF	-	RFQ	1447	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3047-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000														1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 35.6 v									47 v	38 옴
CZRC5362B-HF	-	RFQ	4108	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5362B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 1 a		500 NA @ 21.2 v									28 v	6 옴
CDBHM240-HF	-	RFQ	7937	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외		Schottky		MBS	다운로드				641-CDBHM240-HF	쓸모없는		1														550 mV @ 2 a		100 µa @ 40 v		2 a				단일 단일	40 v
CDBHM260-HF	-	RFQ	7619	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외		Schottky		MBS	다운로드				641-CDBHM260-HF	쓸모없는		1														700 mv @ 2 a		100 µa @ 60 v		2 a				단일 단일	60 v
CSFB308-HF	0.1550	RFQ	2280	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CSFB308	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CSFB308-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v	1.75 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
ACDBMS1100-HF	0.0810	RFQ	3980	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ACDBMS1100-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v	830 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
CZRT5242B-HF	0.0620	RFQ	6604	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5242		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRT5242B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000														900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v									12 v	30 옴
BR1004-G	-	RFQ	5970	comchip 기술	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, br	BR1004	기준		Br	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50														1.1 v @ 25 a		10 µa @ 400 v		10 a				단일 단일	400 v
BR1010-G	-	RFQ	9475	comchip 기술	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, br	BR1010	기준		Br	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50														1.1 v @ 25 a		10 µa @ 800 v		10 a				단일 단일	1kv
BR2504-G	4.6500	RFQ	3539	comchip 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, br	BR2504	기준		Br	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50														1.1 v @ 25 a		10 µa @ 400 v		25 a				단일 단일	400 v
BR2510-G	4.6500	RFQ	6150	comchip 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, br	BR2510	기준		Br	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50														1.1 v @ 25 a		10 µa @ 1000 v		25 a				단일 단일	1kv
BR5010-G	10.5000	RFQ	390	comchip 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, br	BR5010	기준		Br	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50														1.1 v @ 25 a		10 µa @ 50 v		50 a				단일 단일	1kv
BR10005W-g	-	RFQ	4347	comchip 기술	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, Br-W		기준		Br-W	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50														1.1 v @ 100 a		10 µa @ 50 v		10 a				단일 단일	50 v
BR50005W-g	-	RFQ	3532	comchip 기술	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, Br-W		기준		Br-W	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50														1.1 v @ 25 a		10 µa @ 50 v		50 a				단일 단일	50 v
GBJ1004-G	1.2247	RFQ	2458	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ1004	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15														1.05 V @ 5 a		10 µa @ 400 v		10 a				단일 단일	400 v
GBJ20005-G	-	RFQ	4257	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ20005	기준		GBJ	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750														1.05 V @ 10 a		10 µa @ 50 v		20 a				단일 단일	50 v
GBJ25005-G	1.5677	RFQ	6570	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ25005	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15														1 V @ 12.5 a		10 µa @ 50 v		25 a				단일 단일	50 v
KBPC5008-G	7.2943	RFQ	8130	comchip 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC 터미널	4- 스퀘어, KBPC	KBPC5008	기준		KBPC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50														1.1 v @ 25 a		10 µa @ 800 v		50 a				단일 단일	800 v
KBPC5008W-g	7.2943	RFQ	4485	comchip 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, KBPC-W	KBPC5008	기준		KBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100														1.1 v @ 25 a		10 µa @ 800 v		50 a				단일 단일	800 v
DF210-G	0.6000	RFQ	120	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)	DF210	기준		4-DF	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50														1.1 v @ 2 a		10 µa @ 1000 v		2 a				단일 단일	1kv
DF06S-G	0.6100	RFQ	671	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DF06	기준		DFS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50														1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v		1 a				단일 단일	600 v
RS504-G	-	RFQ	4533	comchip 기술	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, RS-5		기준		RS5	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	641-1355	귀 99	8541.10.0080	400														1 V @ 5 a		10 µa @ 400 v		5 a				단일 단일	400 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²