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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ4702-HF | 0.2700 | ![]() | 2890 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4702 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 11.4 v | 15 v | |||||||||||||||||||
![]() | SS520B-HF | 0.1938 | ![]() | 4818 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SS520 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 850 mV @ 5 a | 300 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 300pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | SS86C-HF | 0.2190 | ![]() | 5565 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SS86 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 700 mv @ 8 a | 1 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 400pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | SS315F-HF | 0.0870 | ![]() | 8454 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS315 | Schottky | smaf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 950 MV @ 3 a | 300 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 180pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | MMSZ4709-HF | 0.0476 | ![]() | 6384 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4709 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 10 na @ 18.2 v | 24 v | |||||||||||||||||||
![]() | CSPB60K-HF | 0.3776 | ![]() | 7553 | 0.00000000 | comchip 기술 | Super Planar ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 리드 | CSPB60 | 기준 | 4-SPB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1 V @ 6 a | 1 µa @ 800 v | 6 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||
![]() | SS210F-HF | 0.0640 | ![]() | 5253 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS210 | Schottky | smaf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 850 mv @ 2 a | 300 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | CMSBN6601-HF | 0.5241 | ![]() | 7242 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | CMSBN6601 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | CSPB2718-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 13A (TA) | 11.5mohm @ 3a, 4.5v | 1.3v @ 1ma | 25.4NC @ 10V | - | - | ||||||||||||||
![]() | GBJ2510-HF | 0.9522 | ![]() | 4209 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | GBJ2510 | 기준 | GBJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-GBJ2510-HF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 1000 v | 3.5 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||||||
![]() | GBJ2506-HF | 0.9522 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | GBJ2506 | 기준 | GBJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-GBJ2506-HF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 600 v | 3.5 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||
![]() | SS56BF-HF | 0.1697 | ![]() | 6835 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-221AA, SMB 플랫 리드 | SS56 | Schottky | SMBF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 700 mv @ 5 a | 1 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 500pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | MMSZ4691-HF | 0.0476 | ![]() | 1723 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4691 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 10 µa @ 5 v | 6.2 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBU2501-HF | 1.0898 | ![]() | 4743 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU2501 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-GBU2501-HF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 100 v | 25 a | 단일 단일 | 100 v | |||||||||||||||||
![]() | SS510B-HF | 0.1860 | ![]() | 9699 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SS510 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 850 mV @ 5 a | 300 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 300pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | GBU25005-HF | 1.0898 | ![]() | 6339 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU25005 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-GBU25005-HF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 50 v | 25 a | 단일 단일 | 50 v | |||||||||||||||||
![]() | MMSZ4692-HF | 0.0476 | ![]() | 4446 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4692 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 10 µa @ 5.1 v | 6.8 v | |||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4682-HF | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4682 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 1 v | 2.7 v | |||||||||||||||||||
![]() | CSPB30K-HF | 0.3040 | ![]() | 5660 | 0.00000000 | comchip 기술 | Super Planar ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 리드 | CSPB30 | 기준 | 4-SPB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1 V @ 3 a | 1 µa @ 800 v | 3 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||
![]() | ABZT52C75-HF | 0.0690 | ![]() | 9070 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-ABZT52C75-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 45 NA @ 52.5 v | 75 v | 255 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | ABZT52B2V7-HF | 0.0690 | ![]() | 5325 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.85% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ABZT52B2V7-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 18 µa @ 1 v | 2.7 v | 83 옴 | |||||||||||||||||
![]() | ABZT52C51-HF | 0.0690 | ![]() | 6035 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.88% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-ABZT52C51-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 38 v | 51 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | ABZT52C15-HF | 0.0690 | ![]() | 5616 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-ABZT52C15-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 10.5 v | 15 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | ABZT52B56-HF | 0.0690 | ![]() | 5025 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ABZT52B56-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 45 NA @ 39.2 v | 56 v | 200 옴 | |||||||||||||||||
![]() | AMMSZ5234A-HF | 0.0725 | ![]() | 9419 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.94% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | AMMSZ5234 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-AMMSZ5234A-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 4 v | 6.2 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | AMMSZ5259B-HF | 0.0725 | ![]() | 6532 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | AMMSZ5259 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-AMMSZ5259B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 옴 | |||||||||||||||||
![]() | ABZT52B39-HF | 0.0690 | ![]() | 7272 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ABZT52B39-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 45 NA @ 27.3 v | 39 v | 90 옴 | |||||||||||||||||
![]() | AMMSZ5248B-HF | 0.0725 | ![]() | 1301 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | AMMSZ5248 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-AMMSZ5248B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | ABZT52B36-HF | 0.0690 | ![]() | 8144 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-ABZT52B36-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 45 NA @ 25.2 v | 36 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | ABZT52B3V0-HF | 0.0690 | ![]() | 9468 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-ABZT52B3V0-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 9 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | AMMSZ5230A-HF | 0.0725 | ![]() | 5162 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.91% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | AMMSZ5230 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-AMMSZ5230A-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 2 v | 4.7 v | 19 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고