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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ACDBMS2100-HF Comchip Technology ACDBMS2100-HF 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 830 mv @ 2 a 200 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 60pf @ 4V, 1MHz
SS34-HF Comchip Technology SS34-HF 0.4500
RFQ
ECAD 29 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS34 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 450pf @ 4V, 1MHz
SS215B-HF Comchip Technology SS215B-HF 0.0990
RFQ
ECAD 2260 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS215 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 300 µa @ 150 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 110pf @ 4V, 1MHz
CFRMT106-HF Comchip Technology CFRMT106-HF -
RFQ
ECAD 2865 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123H 기준 SOD-123H 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
GBPC2502-G Comchip Technology GBPC2502-G 2.9250
RFQ
ECAD 9802 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2502 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
CDBFR0240 Comchip Technology CDBFR0240 0.0864
RFQ
ECAD 3053 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 1005 (2512 25) Schottky 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 200 mA 10 µa @ 30 v 125 ° C (°) 200ma 9pf @ 10V, 1MHz
CZRA5926B-G Comchip Technology CZRA5926B-G 0.1352
RFQ
ECAD 2737 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA CZRA5926 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 5.5 옴
GBJ2004-G Comchip Technology GBJ2004-G -
RFQ
ECAD 3422 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2004 기준 GBJ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 400 v 20 a 단일 단일 400 v
BZT52B6V2-HF Comchip Technology BZT52B6V2-HF 0.0418
RFQ
ECAD 5176 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 - 1 (무제한) 641-BZT52B6V2-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2.7 µa @ 4 v 6.2 v 9 옴
DB106S-G Comchip Technology DB106S-G -
RFQ
ECAD 2346 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DB106 기준 DBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
DB107S-HF Comchip Technology DB107S-HF 0.6200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DB107 기준 DBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
MMB1G-HF Comchip Technology MMB1G-HF -
RFQ
ECAD 3868 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MMB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 100 v 800 MA 단일 단일 100 v
MMB2G-HF Comchip Technology MMB2G-HF -
RFQ
ECAD 4832 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MMB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 200 v 800 MA 단일 단일 200 v
MMB4G-G Comchip Technology MMB4G-G -
RFQ
ECAD 4550 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MMB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 400 v 800 MA 단일 단일 400 v
MMB4G-HF Comchip Technology MMB4G-HF -
RFQ
ECAD 3854 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MMB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 400 v 800 MA 단일 단일 400 v
MMB6G-HF Comchip Technology MMB6G-HF -
RFQ
ECAD 4572 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MMB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 600 v 800 MA 단일 단일 600 v
MMB10G-HF Comchip Technology MMB10G-HF -
RFQ
ECAD 2738 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MMB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 1000 v 800 MA 단일 단일 1kv
RS505-G Comchip Technology RS505-G -
RFQ
ECAD 7709 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-5 기준 RS5 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 5 a 10 µa @ 600 v 5 a 단일 단일 600 v
AABS110-HF Comchip Technology AABS110-HF 0.0860
RFQ
ECAD 1479 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 AABS110 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.05 V @ 1 a 5 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
CMS02P06T6-HF Comchip Technology CMS02P06T6-HF -
RFQ
ECAD 6880 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 CMS02 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS02P06T6-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 175mohm @ 2a, 10V 3V @ 250µA 4.6 NC @ 4.5 v ± 20V 531 pf @ 15 v - 1.1W (TA)
BAT54C-HF Comchip Technology BAT54C-HF 0.2100
RFQ
ECAD 77 0.00000000 comchip 기술 BAT54-HF 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°)
CMS35N04V8-HF Comchip Technology CMS35N04V8-HF -
RFQ
ECAD 8792 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn CMS35 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS35N04V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 35A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 19.7 NC @ 10 v ± 20V 1220 pf @ 25 v - 2W (TA), 44W (TC)
CMS25NN03V8-HF Comchip Technology CMS25NN03V8-HF -
RFQ
ECAD 5883 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8-powerwdfn CMS25 - 1.7W (TA), 20.8W (TC) 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS25NN03V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 25A 20mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 7.2NC @ 4.5V 572pf @ 15V -
CDBZ3860L-HF Comchip Technology CDBZ3860L-HF -
RFQ
ECAD 7389 0.00000000 comchip 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 641-CDBZ3860L-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000
CDSPB40K-HF Comchip Technology CDSPB40K-HF -
RFQ
ECAD 1898 0.00000000 comchip 기술 Super Planar ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 4-SMD - 4-SPB 다운로드 1 (무제한) 641-CDSPB40K-HFTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 1 V @ 4 a 1 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
AS1K-HF Comchip Technology AS1K-HF 0.0460
RFQ
ECAD 9406 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA AS1K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 800 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MMSZ4702-HF Comchip Technology MMSZ4702-HF 0.2700
RFQ
ECAD 2890 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4702 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 11.4 v 15 v
SS520B-HF Comchip Technology SS520B-HF 0.1938
RFQ
ECAD 4818 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS520 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 850 mV @ 5 a 300 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 300pf @ 4V, 1MHz
SS86C-HF Comchip Technology SS86C-HF 0.2190
RFQ
ECAD 5565 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SS86 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 8 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 400pf @ 4V, 1MHz
SS315F-HF Comchip Technology SS315F-HF 0.0870
RFQ
ECAD 8454 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS315 Schottky smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 300 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 180pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고