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불연속 불연속 제품 (4657)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BAV99-G Comchip Technology BAV99-G 0.2700
RFQ
 ECAD 598 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 70 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 6 ns 2.5 µa @ 70 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C9V1CC-HF Comchip Technology BZX84C9V1CC-HF 0.0492
RFQ
 ECAD 2167 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C9 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BZX84C9V1CC-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 a 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
CZRER52C2V4-HF Comchip Technology Czrer52c2v4-Hf -
RFQ
 ECAD 4396 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) Czrer52c2v4 150 MW 0503 (1308 메트릭) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
CZRFR5V6B-HF Comchip Technology CZRFR5V6B-HF -
RFQ
 ECAD 8690 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR5 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 3 v 5.6 v 25 옴
CDBD20150-HF Comchip Technology CDBD20150-HF -
RFQ
 ECAD 9893 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB CDBD20150 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A (DC) 1 V @ 10 a 500 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
S5AB-HF Comchip Technology S5AB-HF 0.1091
RFQ
 ECAD 5095 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5AB 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-S5AB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 50 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
CZRF52C18-HF Comchip Technology CZRF52C18-HF 0.0805
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8.5 v 18 v 20 옴
1N5266B-G Comchip Technology 1N5266B-G -
RFQ
 ECAD 5350 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 - 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-1n5266B-GTB 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 52 v 68 v 230 옴
CZRF52C2-HF Comchip Technology CZRF52C2-HF 0.0805
RFQ
 ECAD 4828 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2 v 100 옴
CZRB3027-HF Comchip Technology CZRB3027-HF -
RFQ
 ECAD 6989 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w SMB/DO-214AA 다운로드 641-CZRB3027-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 20.6 v 27 v 10 옴
CZRT5241B-G Comchip Technology CZRT5241B-G 0.0476
RFQ
 ECAD 3707 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5241 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
CZRER52C36-HF Comchip Technology Czrer52C36-HF -
RFQ
 ECAD 6217 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) 150 MW 0503 (1308 메트릭) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 90 옴
CZRA5924B-G Comchip Technology CZRA5924B-G 0.1352
RFQ
 ECAD 6088 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA CZRA5924 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 7 v 9.1 v 4 옴
CZRT55C11-G Comchip Technology CZRT55C11-G 0.0620
RFQ
 ECAD 5410 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
ACDBMS240-HF Comchip Technology ACDBMS240-HF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 2 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 180pf @ 4V, 1MHz
US1DWF-HF Comchip Technology US1DWF-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 3631 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F US1D 기준 SOD-123F - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-US1DWF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
CDBQC0140L-HF Comchip Technology CDBQC0140L-HF 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0402 (1006 메트릭) Schottky 0402C/SOD-923F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 450 mV @ 10 ma 500 na @ 10 v 125 ° C 100ma -
CZRSC55C7V5-G Comchip Technology CZRSC55C7V5-G -
RFQ
 ECAD 5198 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 0805 (2012 5) 500MW 0805 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 18.2 v 7.5 v 7 옴
CZRB5363B-HF Comchip Technology CZRB5363B-HF 0.2401
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB5363 5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 22.8 v 30 v 8 옴
CURC301-G Comchip Technology CURC301-G 0.2175
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CURC301 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 50 v 150 ° C (°) 3A -
GBPC2502-G Comchip Technology GBPC2502-G 2.9250
RFQ
 ECAD 9802 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2502 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
CDBFR0240 Comchip Technology CDBFR0240 0.0864
RFQ
 ECAD 3053 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 1005 (2512 25) Schottky 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 200 mA 10 µa @ 30 v 125 ° C (°) 200ma 9pf @ 10V, 1MHz
ACDBMS2100-HF Comchip Technology ACDBMS2100-HF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 830 mv @ 2 a 200 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 60pf @ 4V, 1MHz
B05S-G Comchip Technology B05S-G -
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 B05 기준 MBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 50 v 800 MA 단일 단일 50 v
KBU2510-G Comchip Technology KBU2510-G -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU2510 기준 KBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 400 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 3.6 a 단일 단일 1kv
CDBHD260-G Comchip Technology CDBHD260-G 1.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 CDBHD260 Schottky 미니 미니 (TO-269AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 700 mv @ 2 a 500 µa @ 60 v 2 a 단일 단일 60 v
DF10S-G Comchip Technology DF10S-G 0.6100
RFQ
 ECAD 394 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DF10 기준 DFS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
MMSZ5235B-HF Comchip Technology MMSZ5235B-HF 0.0487
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5235 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MMSZ5235B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
BR10005MSG-G Comchip Technology BR10005msg-g -
RFQ
 ECAD 5435 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 기준 BR-6 다운로드 641-BR10005MSG-G 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
CMS07P10V8-HF Comchip Technology CMS07P10V8-HF 0.2183
RFQ
 ECAD 1816 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn CMS07 MOSFET (금속 (() PR-PAK (3x3) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-CMS07P10V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 100 v 2.2A (TA), 7A (TC) 260mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 680 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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