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불연속 불연속 제품 (4657)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CZRF52C5V1-HF	0.0805	RFQ	3505	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 NA @ 800 MV							5.1 v	60 옴
BC857CW-HF	0.0598	RFQ	8254	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC857		150 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BC857CW-HFTR	귀 99	8541.21.0075	3,000									45 v	100 MA	15NA (ICBO)			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	420 @ 2MA, 5V	100MHz
ACDBA140-HF	0.4300	RFQ	9	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ACDBA140	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	65pf @ 4V, 1MHz
CZRU52C9V1-HF	0.3300	RFQ	3	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C9V1		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 7 v							9.1 v	10 옴
SS115F-HF	0.0544	RFQ	7831	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS115	Schottky		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	150 v	900 mV @ 1 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	80pf @ 4V, 1MHz
Curb202-G	0.1442	RFQ	3487	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	Curb202	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 100 v	150 ° C (°)	2A	-
AMMSZ5260B-HF	0.0725	RFQ	5919	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5260		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5260B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 33 v							43 v	93 옴
CDBU0140R-HF	0.0600	RFQ	6436	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBU0140	Schottky		0603C/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	40 v	450 mV @ 10 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
CZRF3V3B-HF	-	RFQ	5454	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF3V3		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v							3.3 v	95 옴
RS2AB-HF	0.0828	RFQ	6000	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	RS2A	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS2AB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
ACZRA4738-HF	0.1711	RFQ	8518	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4738		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 6 v							8.2 v	4.5 옴
CZRW5240B-G	0.0556	RFQ	7409	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW5240		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		3 µa @ 8 v							10 v	17 옴
CDBER0130L-HF	-	RFQ	1256	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDBER0130	Schottky		0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	30 v	350 mV @ 10 ma		10 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	-
CZRA5932B-G	0.1352	RFQ	4798	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5932		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 15.2 v							20 v	14 옴
CZRFR9V1B-HF	-	RFQ	2594	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR9		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 7 v							9.1 v	10 옴
CDST-21-G	-	RFQ	3272	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	250 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	1 µa @ 200 v	150 ° C (°)	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
1N4003B-G	0.0405	RFQ	9974	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4003	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	짐	200 v	1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
UF4006-G	-	RFQ	7299	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4006	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
CZRA5930B-G	0.1352	RFQ	9870	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5930		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 12.2 v							16 v	10 옴
CDBER0140L	0.0524	RFQ	5012	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDBER0140	Schottky		0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	40 v	550 mV @ 100 ma		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
MMBT3906-G	0.2100	RFQ	84	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT3906		200 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000									40 v	200 MA	100µA			PNP	400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
CZRC5358B-HF	-	RFQ	3614	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5358B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 16.7 v							22 v	3.5 옴
CZRSC55C5V1-G	-	RFQ	7909	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	0805 (2012 5)			500MW	0805	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 12.2 v							5.1 v	50 옴
CZRC5377B-HF	-	RFQ	1073	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5377B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 69.2 v							91 v	75 옴
CDSFR355B-HF	-	RFQ	2669	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)		기준		1005/SOD-323F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSFR355B-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	80 v	1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	-40 ° C ~ 125 ° C	100ma	3pf @ 500mv, 1MHz
ACZRW5254B-HF	0.0511	RFQ	9041	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5254B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v							27 v	41 옴
CZRFR52C33	0.0805	RFQ	5756	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v							33 v	80 옴
CDBB140SLR-HF	-	RFQ	7567	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBB140	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	400 mV @ 2 a		1 ma @ 40 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CFRA101-g	0.0840	RFQ	4644	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CFRA101	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 50 v	150 ° C (°)	1A	-
CDBMH340-HF	-	RFQ	3260	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T	CDBMH340	Schottky		SOD-123T	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	500 mV @ 3 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4657)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²