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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
VS-80EPF02PBF	-	RFQ	7758	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	80epf02	기준			TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		1.25 V @ 80 a	190 ns	100 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	80a	-
FESE16DT-E3/45	-	RFQ	9139	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	FESE16	기준			TO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		975 MV @ 16 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	175pf @ 4V, 1MHz
8AF1RPP	-	RFQ	7225	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시, 마운트 스터드	B-47	8AF1	기준			B-47	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*8AF1RPP	귀 99	8541.10.0080	100		짐									100 v				7 ma @ 100 v	-65 ° C ~ 195 ° C	50a	-
vs-32ctq030303030strhm3	1.4113	RFQ	1897	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	32ctq030	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	30 v	15a	490 mV @ 15 a		1.75 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKU162/16pbf	49.5000	RFQ	3558	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	int-a-pak (3)	vsku162			일반적인 일반적인 - 음극 scr		다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	15			200 MA	1.6kV	355 a	2.5 v	4870A, 5100A	150 MA	160 a										1 scr
VS-MBR20100CT-N3	-	RFQ	7555	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20	Schottky			TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	100 v	10A	800 mV @ 10 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BYQ28E-200 HE3/45	-	RFQ	8550	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	byq28	기준			TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	200 v	5a	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZG05C51-M3-08	0.3900	RFQ	4756	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05C51		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 39 v					51 v	115 옴
BZX84B6V8-HE3-08	0.2600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX84	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B6V8		300MW		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															2 µa @ 4 v					6.8 v	15 옴
SS1P6LHM3/85A	0.0990	RFQ	4937	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	SS1P6	Schottky			DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									60 v		590 mV @ 1 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	80pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKL105/16	44.6410	RFQ	8874	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKL105			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskl10516	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA	1.6kV	235 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA	105 a										1 scr, 1 다이오드
80cpq020	-	RFQ	2535	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	80cpq	Schottky			TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	20 v	40a	460 MV @ 40 a		5.5 ma @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C
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bav19 탭	0.0274	RFQ	4824	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	bav19	기준			DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	50,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		1 v @ 100 ma	50 ns	100 na @ 100 v	175 ° C (°)	250ma	1.5pf @ 0v, 1MHz
BZX85B22-TAP	0.0561	RFQ	4153	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX85	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85B22		1.3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	25,000															500 na @ 16 v					22 v	25 옴
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VS-VSKT105/14	46.2060	RFQ	9805	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKT105			시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKT10514	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA	1.4kV	235 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA	105 a										2 scrs
RGP10G-M3/54	-	RFQ	7838	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP10	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
vs-6tq035strlpbf	-	RFQ	8134	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	6TQ035	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									35 v		600 mV @ 6 a		800 µa @ 35 v	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
DZ23C12-HE3-18	0.0436	RFQ	8776	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, DZ23	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 음극 음극 공통														100 na @ 9 v					12 v	20 옴
BZT52C3V6-G3-18	0.0409	RFQ	1496	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C3V6		410 MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																				3.6 v	80 옴
SS1P5L-E3/85A	-	RFQ	3175	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-220AA	SS1P5	Schottky			DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v		590 mV @ 1 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MBR2545CT-1	-	RFQ	5232	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	MBR2545	Schottky			TO-262-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*MBR2545CT-1	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	15a	820 MV @ 30 a		200 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
MBRF20100CT-E3/4W	1.7900	RFQ	2551	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF20100	Schottky			ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	100 v	10A	800 mV @ 10 a		100 @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-30CTQ060-1PBF	-	RFQ	8193	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	30CTQ060	Schottky			TO-262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	15a	620 MV @ 15 a		800 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4753A-T	-	RFQ	2755	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4753		1.3 w		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 27.4 v					36 v	1000 옴
BZG03B24TR3	-	RFQ	6437	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG03B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03		1.25 w		DO-214AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	6,000													1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 18 v					24 v	15 옴
BZT52B51-G3-18	0.0483	RFQ	9081	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52B51		410 MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															100 na @ 38 v					51 v	100 옴
VS-VSKJ320-04PBF	201.0700	RFQ	3079	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	3-MAGN-A-PAK ™	VSKJ320	기준			Magn-A-Pak®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskj32004pbf	귀 99	8541.10.0080	2		짐								1 양극 양극 공통	400 v	160a			50 ma @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²