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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
S3M-M3/57T	0.1549	RFQ	7845	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3M	기준			DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		짐												1000 v		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
ESH1PBHE3/85A	-	RFQ	2314	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-220AA	ESH1	기준			DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		900 mV @ 1 a	25 ns	1 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
SL44HE3_A/I	-	RFQ	7729	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SL44	Schottky			DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v		440 mV @ 4 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	4a	-
VS-150K40A	36.2700	RFQ	23	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로			섀시, 마운트 스터드	DO-205AA, DO-8, 스터드	150k40	기준			DO-205AA (DO-8)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		짐												400 v		1.33 V @ 471 a		35 ma @ 400 v	-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
murb820trl	-	RFQ	2350	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	murb820	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		975 MV @ 8 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-
VS-45APS12LHM3	4.1000	RFQ	179	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3	45aps12	기준			TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		짐												1200 v		1.14 V @ 45 a		100 µa @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	45A	-
BZG05B75-HM3-18	0.2079	RFQ	9068	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05B75		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 56 v							75 v	135 옴
v3f6hm3/i	0.0875	RFQ	3185	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	v3f6	Schottky			DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												60 v		620 MV @ 3 a		600 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	310pf @ 4V, 1MHz
TVR06G-E3/73	-	RFQ	1668	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	TVR06	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		짐												400 v		1.4 v @ 600 ma		10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	600ma	15pf @ 4V, 1MHz
ES2GHE3/5BT	-	RFQ	5252	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES2	기준			DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v		1.1 v @ 2 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
VLZ22B-GS18	-	RFQ	3791	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, VLZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	VLZ22		500MW		SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		40 µa @ 19.6 v							20.64 v	30 옴
SS1FL3-M3/H	0.4800	RFQ	28	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ss1fl3	Schottky			DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												30 v		480 mV @ 1 a		200 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	130pf @ 4V, 1MHz
VS-E4PU6006L-N3	2.4400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-2	E4PU6006	기준			TO-247AD	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.7 V @ 60 a	74 ns	50 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	60a	-
SE20PAB-M3/I	0.1122	RFQ	4194	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	SE20	기준			DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		짐												100 v		1.05 V @ 2 a	1.2 µs	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.6a	13pf @ 4V, 1MHz
PTV8.2B-M3/85A	0.1721	RFQ	7531	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	150 ° C	표면 표면	DO-220AA	PTV8.2		600MW		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		20 µa @ 5 v							8.8 v	4 옴
VS-ST110S04P0V	86.7544	RFQ	7187	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	ST110				TO-209AC (TO-94)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	25			600 MA	400 v	175 a	3 v	2700a, 2830a	150 MA	1.52 v	110 a	20 MA	표준 표준
VS-VSKH250-08PBF	212.2650	RFQ	3623	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Magn-A-Pak (3)	VSKH250			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskh25008pbf	귀 99	8541.30.0080	2			500 MA	400 v	555 a	3 v	8500A, 8900A	200 MA		250 a												1 scr, 1 다이오드
DZ23C20-HE3_A-18	-	RFQ	8850	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, DZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW		SOT-23-3	다운로드				112-DZ23C20-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	1	1 음극 음극 공통																	100 na @ 15 v							20 v	20 옴
PB3010-E3/45	3.8300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Isocink+™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip, pb	PB3010	기준			Isocink+™ pb	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20																1.1 v @ 15 a		10 µa @ 1000 v		30 a			단일 단일	1kv
VS-ETU3006-1HM3	2.5823	RFQ	6605	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, FRED PT®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	ETU3006	기준			TO-262AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSETU30061HM3	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		2.65 V @ 30 a	26 ns	30 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
BZD27C47P-M-08	-	RFQ	8692	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C47		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 36 v							47 v	45 옴
2N5204	-	RFQ	2169	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드	2N5204				TO-208AA (TO-48)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*2N5204	귀 99	8541.30.0080	100			200 MA	600 v	35 a	2 v	285A, 300A	40 MA	2.3 v	22 a	3.3 MA	표준 표준
BY127MGP-E3/73	-	RFQ	3355	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	BY127	기준			DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		짐												1250 v		1.5 v @ 5 a	2 µs	5 µa @ 1250 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1.75A	-
RGP02-12EHE3/73	-	RFQ	3793	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP02	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1200 v		1.8 v @ 100 ma	300 ns	5 µa @ 1200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	-
TZMB8V2-GS08	0.3100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZM	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZMB8V2		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 6.2 v							8.2 v	7 옴
15CTQ045STRL	-	RFQ	1781	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	15ctq	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	7.5A	550 MV @ 7.5 a		800 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRB1545CT-E3/45	1.4500	RFQ	3396	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB1545	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	7.5A	840 MV @ 7.5 a		100 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BZX55F4V7-TAP	-	RFQ	5225	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		500 na @ 1 v							4.7 v	60 옴
RGP02-20EHE3/73	-	RFQ	6236	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	컷 컷 (CT)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP02	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												2000 v		1.8 v @ 100 ma	300 ns	5 µa @ 2000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	-
vs-16ctu04strlpbf	-	RFQ	6361	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, FRED PT®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	16ctu04	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs16ctu04strlpbf	귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	400 v	8a	1.3 V @ 8 a	60 ns	10 µa @ 400 v	175 ° C (°)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²