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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SML4740-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4740-E3/5A 0.4700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4740 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
PLZ18C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ18C-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 3667 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz18 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 13 v 17.88 v 23 옴
RGP30J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30J-E3/54 1.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 RGP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
MMBZ5234B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5234B-HE3-18 -
RFQ
ECAD 2850 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5234 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
BZG05B9V1-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B9V1-E3-TR3 -
RFQ
ECAD 5433 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1.98% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 6.8 v 9.1 v 5 옴
VS-25TTS12FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25TTS12FPPBF -
RFQ
ECAD 9599 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 25TTS12 TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 100 MA 1.2kV 25 a 2 v 350A @ 50Hz 45 MA 1.25 v 16 a 500 µA 표준 표준
ES3C-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3C-M3/57T 0.2101
RFQ
ECAD 1516 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3C 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 3 a 30 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5253C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5253C-HE3-08 0.0454
RFQ
ECAD 5035 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5253 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
BZG05C12TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C12TR3 -
RFQ
ECAD 9595 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 9.1 v 12 v 350 옴
EGP10AE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10AE-E3/54 -
RFQ
ECAD 5116 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 egp10ae 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 112-EGP10AE-E3/54TR 귀 99 8541.10.0080 1,100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
BZX55C2V4-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C2V4-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 64 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55C2V4 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
VS-2ENH01-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2enh01-m3/85a 0.0743
RFQ
ECAD 6711 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA 2enh01 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 2 a 28 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
ES1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1BHE3_A/I 0.3900
RFQ
ECAD 2103 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 920 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5239B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5239B-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5239 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
VS-20MQ100NTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MQ100NTRPBF 0.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 20MQ100 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 910 MV @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2.1a 38pf @ 10V, 1MHz
SS26SHE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26SHE3_B/H 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS26 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mv @ 2 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
HFA04TB60STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA04TB60STRR -
RFQ
ECAD 2756 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA04 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.8 V @ 4 a 42 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a -
BYG10D-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG10D-E3/TR3 0.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg10 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 200 v 1.15 V @ 1.5 a 4 µs 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
RS2K-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS2K-M3/52T 0.1112
RFQ
ECAD 3134 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2K 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 1.5 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 17pf @ 4V, 1MHz
VS-10ETF02STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf02strrpbf -
RFQ
ECAD 6657 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10etf02 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs10etf02strrpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 10 a 200 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-80-1320-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-1320-M3 -
RFQ
ECAD 8787 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 VS-80 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-80-1320-M3 귀 99 8541.10.0080 25
VS-20ETF08SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF08SPBF -
RFQ
ECAD 1631 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20etf08 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20etf08spbf 귀 99 8541.10.0080 50 800 v 1.31 V @ 20 a 100 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
ESH3C-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH3C-E3/9AT 0.3208
RFQ
ECAD 1881 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ESH3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 3 a 40 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-18TQ040STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-18tq040strlhm3 1.1798
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 18TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-18TQ040STRLHM3TR 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 18 a 2.5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
VS-72HFR80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-72HFR80M 21.2611
RFQ
ECAD 1385 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 72HFR80 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS72HFR80M 귀 99 8541.10.0080 100 800 v 1.35 V @ 220 a -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
VS-85HFR120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFR120M 24.4600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFR120 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1200 v 1.2 v @ 267 a -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
GL41DHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL41DHE3/96 -
RFQ
ECAD 6449 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) GL41 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 GL41DHE3_A/H 귀 99 8541.10.0080 1,500 200 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5252C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5252C-E3-18 0.0433
RFQ
ECAD 2436 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5252 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 18 v 24 v 33 옴
1N5818-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5818-E3/54 0.4200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5818 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
BZX384C15-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C15-HE3-08 0.2600
RFQ
ECAD 395 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C15 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고