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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZG03B22-HM3-18	0.2310	RFQ	8572	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG03B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03B22		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000													1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 16 v					22 v	15 옴
MMBZ4710-E3-18	-	RFQ	4068	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4710		350 MW		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															10 na @ 19 v					25 v
TZS4680-GS08	0.3000	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	TZS4680		500MW		SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500													1.5 v @ 100 ma		4 µa @ 1 v					2.2 v
plz5v1a-g3/h	0.2800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	plz	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.63%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-219AC	plz5v1		960 MW		DO-219AC (microSMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,500													900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1.5 v					4.94 v	20 옴
FESF16ATHE3_A/P	1.3200	RFQ	8102	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭	FESF16	기준			ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											50 v	975 MV @ 16 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VS-VSKL250-16PBF	239.0000	RFQ	1416	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Magn-A-Pak	VSKL250			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskl25016pbf	귀 99	8541.30.0080	2		500 MA	400 v	555 a	3 v	8500A, 8900A	200 MA		250 a										1 scr, 1 다이오드
VS-ST083S10PFK2	-	RFQ	8844	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	ST083				TO-209AC (TO-94)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsst083s10pfk2	귀 99	8541.30.0080	25		600 MA	1kv	135 a	3 v	2060a, 2160a	200 MA	2.15 v	85 a	30 MA	표준 표준
MMSZ5235B-G3-08	0.3100	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5235		500MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															3 µa @ 5 v					6.8 v	5 옴
SMZJ3799A-E3/5B	-	RFQ	5019	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	smzj37		1.5 w		DO-214AA (SMBJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,200															5 µa @ 20.6 v					27 v	23 옴
GP08D-E3/54	0.1780	RFQ	6013	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP08	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	짐											200 v	1.3 v @ 800 ma	2 µs	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	800ma	-
VF20150SG-M3/4W	0.5782	RFQ	6660	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	VF20150	Schottky			ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											150 v	1.6 V @ 20 a		200 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
RGL41M-E3/97	0.1284	RFQ	8043	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	RGL41	기준			do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1000 v	1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
VS-ST303C04LFK0	184.3000	RFQ	8246	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, E-PUK	ST303				TO-200AB (E-PUK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSST303C04LFK0	귀 99	8541.30.0080	3		600 MA	400 v	1180 a	3 v	6690A, 7000A	200 MA	2.16 v	620 a	50 MA	표준 표준
MMBD6050-E3-08	0.0270	RFQ	1857	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD6050	기준			SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	15,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도											70 v	1.1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 v	150 ° C (°)	200ma	-
BZX84B24-E3-18	0.0324	RFQ	6972	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX84	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B24		300MW		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															50 NA @ 16.8 v					23.5 v	70 옴
MMBZ5226C-G3-18	-	RFQ	5522	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5226		225 MW		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															25 µa @ 1 v					3.3 v	28 옴
BZG03B24-M3-18	0.2228	RFQ	7974	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG03B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03B24		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000													1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 18 v					24 v	15 옴
VB20100SG-E3/8W	0.4950	RFQ	3797	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VB20100	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											100 v	1.07 V @ 20 a		350 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
v10pm6-m3/h	0.6600	RFQ	488	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	v10pm6	Schottky			TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											60 v	640 mV @ 10 a		800 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	1650pf @ 4v, 1MHz
BZT52B8V2-HE3-08	0.0436	RFQ	1375	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT52	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52B8V2		410 MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000															100 na @ 6 v					8.2 v	4.5 옴
MMSZ4706-G3-08	0.0409	RFQ	5248	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ4706		500MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000															50 NA @ 14.4 v					19 v
BZG04-100-HM3-08	0.5700	RFQ	1652	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG04-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG04-100		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500													1.2 v @ 500 ma		5 µa @ 100 v					120 v
BZG05C91-M3-08	0.3900	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.04%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05C91		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 68 v					91 v	250 옴
EGP10A-E3/73	-	RFQ	4556	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	EGP10	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											50 v	950 MV @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	22pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5242C-HE3_A-08	0.0566	RFQ	2830	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW		SOD-123	다운로드				112-MMSZ5242C-HE3_A-08TR	귀 99	8541.10.0050	15,000													900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v					12 v	30 옴
MMBZ4709-HE3-08	-	RFQ	6157	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4709		350 MW		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000															10 na @ 18.2 v					24 v
VT3080S-E3/4W	1.3600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	VT3080	Schottky			TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											80 v	950 MV @ 30 a		1 ma @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	-
BZG03C33-M3-08	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG03C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.06%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03C33		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500													1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 24 v					33 v	15 옴
EGL41BHE3_A/I	-	RFQ	6688	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	EGL41	기준			do-213ab	다운로드			영향을받지 영향을받지	EGL41BHE3_B/I	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											100 v	1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
PLZ24D-HG3_A/H	0.3600	RFQ	27	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, plz	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	150 ° C	표면 표면	DO-219AC	plz24		500MW		DO-219AC (microSMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,500													900 mV @ 10 ma		200 na @ 19 v					24 v	35 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²