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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BAS170WS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS170WS-E3-18 0.4000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS170 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v -55 ° C ~ 125 ° C 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
VS-20ETF02SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF02SPBF -
RFQ
ECAD 4355 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20etf02 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-20ETF02SPBFGI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.67 V @ 60 a 160 ns 100 µa @ 650 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
ESH2PB-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2PB-M3/84A 0.4100
RFQ
ECAD 243 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA ESH2 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 980 MV @ 2 a 25 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
V10KM45DU-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10km45du-m3/i 0.3186
RFQ
ECAD 3130 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn v10km45 Schottky flatpak 5x6 (이중) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 45 v 5a 620 MV @ 5 a 200 µa @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C
UH3B-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH3B-M3/57T -
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC uh3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.05 V @ 3 a 40 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.5A 42pf @ 4V, 1MHz
GDZ33B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ33B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 3601 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ33 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 25 v 33 v 250 옴
BZX84B11-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B11-HE3-18 0.0341
RFQ
ECAD 5848 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B11 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
VS-MBRB2090CTGPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb2090ctgpbf -
RFQ
ECAD 5444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vsmbrb2090ctgpbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 800 mV @ 10 a 100 µa @ 90 v -65 ° C ~ 150 ° C
P600J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600J-E3/54 0.9200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P600 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 600 v 900 mV @ 6 a 2.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 6A 150pf @ 4V, 1MHz
VS-ST1230C12K0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1230C12K0 387.7500
RFQ
ECAD 3733 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1230 A-24 (K-PUK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 600 MA 1.2kV 3200 a 3 v 33500A, 35100A 200 MA 1.62 v 1745 a 100 MA 표준 표준
BY229B-800HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229B-800HE3/81 -
RFQ
ECAD 4783 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB by229 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.85 V @ 20 a 145 ns 10 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
V12PM153-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12pm153-m3/h 0.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 12 a 150 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 3.7a 820pf @ 4v, 1MHz
V15P12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15p12hm3/i 0.4620
RFQ
ECAD 6129 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v15p12 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 810 mV @ 15 a 1 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 15a -
VBT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT10200C-E3/4W 1.1000
RFQ
ECAD 769 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt10200 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 1.6 V @ 5 a 150 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C
GP30GHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30GHE3/54 -
RFQ
ECAD 8841 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 400 v 1.1 v @ 3 a 5 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
BZG04-27-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-27-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 8096 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-27 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 27 v 33 v
SBLB1630CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1630CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 2653 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB1630 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 8a 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C
FA38SA50LC Vishay General Semiconductor - Diodes Division FA38SA50LC -
RFQ
ECAD 4174 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 FA38 MOSFET (금속 (() SOT-227 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 38A (TC) 10V 130mohm @ 23a, 10V 4V @ 250µA 420 NC @ 10 v ± 20V 6900 pf @ 25 v - 500W (TC)
VS-30L30CT-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30L30CT-1PBF -
RFQ
ECAD 6801 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 30L30 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vs30l30ct1pbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 460 mV @ 15 a 1.5 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C39P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C39P-HE3-08 0.4200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C39 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
SGL41-50-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-50-E3/97 0.3383
RFQ
ECAD 4027 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF SGL41 Schottky GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA08TA60CSL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TA60CSL-M3 0.4648
RFQ
ECAD 8499 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA08 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 4A (DC) 2.2 v @ 8 a 42 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
BY251GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY251GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4245 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by251 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 200 v 1.1 v @ 3 a 3 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V0-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C3V0-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 7946 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 300MW SOD-123 다운로드 112-BZT52C3V0-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
GDZ2V4B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V4B-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 5004 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ2V4 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 120 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
1N5250B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5250B-T -
RFQ
ECAD 3667 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5250 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 15 v 20 v 600 옴
Z4KE200AHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE200AHE3/54 -
RFQ
ECAD 4214 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Z4KE200 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,500 1 V @ 500 MA 500 NA @ 152 v 200 v 1500 옴
CS1D-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division CS1D-E3/H -
RFQ
ECAD 2738 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CS1 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 1,800 200 v 1.12 V @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
BZM55C3V3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C3V3-TR3 0.2800
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55C3V3 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 3.3 v 600 옴
GI814-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI814-E3/54 -
RFQ
ECAD 2932 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GI814 기준 DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 400 v 1.2 v @ 1 a 750 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고