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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-300CNQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-300CNQ045PBF 51.3480
RFQ
ECAD 2815 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-244AB 300CNQ045 Schottky TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs300cnq045pbf 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 150a 770 MV @ 300 a 15 ma @ 45 v 150 ° C (°)
1N5406-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5406-E3/73 0.5400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5406 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 600 v 1.2 v @ 3 a 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
SS14-6600HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS14-6600HE3_B/H -
RFQ
ECAD 6622 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS14 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
BYM07-150HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM07-150HE3_A/I -
RFQ
ECAD 5642 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) BYM07 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BYM07-150HE3_B/I 귀 99 8541.10.0070 9,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.25 V @ 500 ma 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 7pf @ 4V, 1MHz
FESF8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF8DT-E3/45 0.6320
RFQ
ECAD 4505 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 FESF8 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SX110H045S4PU Vishay General Semiconductor - Diodes Division SX110H045S4PU -
RFQ
ECAD 9619 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 주사위 SX110 Schottky 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 620 MV @ 15 a 80 µa @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C
TZM5245F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5245F-GS08 -
RFQ
ECAD 3396 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5245 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 11 v 15 v 600 옴
BAS19-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS19-E3-18 0.0288
RFQ
ECAD 8971 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS19 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
BZX84B4V3-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B4V3-HE3-18 0.0341
RFQ
ECAD 3406 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B4V3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
VS-26MB10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-26MB10A 8.9500
RFQ
ECAD 7776 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, D-34 26MB10 기준 D-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 10 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
VS-2KBB80R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2KBB80R 1.7300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip, 2kbb 2KBB80 기준 2KBB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 1.9 a 10 µa @ 800 v 1.9 a 단일 단일 800 v
VS-35EPF06LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-35EPF06LHM3 3.8500
RFQ
ECAD 4620 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 35EPF06 기준 TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.46 V @ 35 a 160 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 35a -
FESF16DTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16DTHE3_A/P 1.3200
RFQ
ECAD 1449 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 FESF16 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 16 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
BZD27C12P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C12P-HE3-08 0.4200
RFQ
ECAD 3055 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
VLZ27-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ27-GS08 -
RFQ
ECAD 9575 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ27 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 27 v 45 옴
GPP10A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP10A-E3/73 -
RFQ
ECAD 1620 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GPP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 50 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
FGP30DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP30DHE3/73 -
RFQ
ECAD 3025 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FGP30 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 70pf @ 4V, 1MHz
M3035S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M3035S-E3/4W -
RFQ
ECAD 9559 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 M3035 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 700 mV @ 30 a 200 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 30A -
VS-8TQ100STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8tq100strlpbf -
RFQ
ECAD 5706 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8TQ100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 720 MV @ 8 a 550 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 500pf @ 5V, 1MHz
1N4755A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4755A- 탭 0.0533
RFQ
ECAD 4662 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4755 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 25,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
VS-11DQ10TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-11dq10tr -
RFQ
ECAD 2762 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 11dq10 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 1 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.1a -
MMBZ5226B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5226B-HE3-18 -
RFQ
ECAD 2775 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5226 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
SBLB1040CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1040CT-E3/81 1.3800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB1040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 5a 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -40 ° C ~ 125 ° C
BZX84C7V5-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C7V5-G3-08 0.2700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C7V5 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
SMZJ3792BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3792bhe3_a/i 0.1597
RFQ
ECAD 8971 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3792 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 9.9 v 13 v 7.5 옴
SML4749HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4749HE3_A/H 0.2253
RFQ
ECAD 9582 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4749 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
MBRB1060HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1060HE3/81 -
RFQ
ECAD 1542 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 800 mV @ 10 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZT52C36-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C36-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 3716 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 300MW SOD-123 다운로드 112-BZT52C36-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 100 na @ 27 v 36 v 87 옴
DZ23C12-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C12-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 7566 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
GP10GE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10ge-e3/54 0.1840
RFQ
ECAD 6774 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 400 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고