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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-10ETF06STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf06strrpbf -
RFQ
ECAD 6908 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10etf06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs10etf06strrpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 10 a 200 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
RGP02-17E-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17E-M3/54 -
RFQ
ECAD 6255 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP02 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1700 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 1700 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 5pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5265B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5265B-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5265 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 47 v 62 v 185 옴
VS-30EPF02-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPF02-M3 3.4444
RFQ
ECAD 8925 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 30EPF02 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs30epf02m3 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.41 V @ 30 a 60 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
PLZ36B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ36B-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz36 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 27 v 36 v 75 옴
VLZ12B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ12B-GS18 -
RFQ
ECAD 2558 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ12 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 10.9 v 11.75 v 12 옴
VS-20CTQ035STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ035STPBF -
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 20A 760 mV @ 20 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
SE30PABHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se30pabhm3/i 0.4200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 SE30 기준 DO-221BC (SMPA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.16 V @ 3 a 1.3 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 13pf @ 4V, 1MHz
BYG24J-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG24J-E3/TR3 0.1931
RFQ
ECAD 5585 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG24 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1.5 a 140 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
BZT52C4V7-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C4V7-G3-08 0.3100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C4V7 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 4.7 v 70 옴
GDZ4V3B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ4V3B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 7004 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ4V3 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
BZT55B5V6-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B5V6-GS08 0.3200
RFQ
ECAD 469 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55B5V6 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 40
VS-80APS16-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APS16-M3 7.4621
RFQ
ECAD 4421 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 80aps16 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS80APS16M3 귀 99 8541.10.0080 500 1600 v 1.17 V @ 80 a 100 µa @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C 80a -
EGL34BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34BHE3_A/H -
RFQ
ECAD 6637 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) EGL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 영향을받지 영향을받지 EGL34BHE3_B/H 귀 99 8541.10.0070 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 500 ma 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 7pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5225C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5225C-E3-08 -
RFQ
ECAD 3282 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5225 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 µa @ 1 v 3 v 30 옴
GF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1B-E3/5CA 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214BA GF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 100 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
RGP25KHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP25KHE3/54 -
RFQ
ECAD 8784 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 RGP25 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 2.5 a 500 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 2.5A 60pf @ 4V, 1MHz
VSS8D2M10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d2m10hm3/h 0.4500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S8D2 Schottky Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 560 mV @ 1 a 150 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A 250pf @ 4V, 1MHz
BZG03B220TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B220TR3 -
RFQ
ECAD 1882 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 160 v 220 v 750 옴
VS-30CTQ060S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ060S-M3 1.7000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 620 MV @ 15 a 800 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SMZJ3793BHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3793bhm3_b/i 0.1500
RFQ
ECAD 7164 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3793 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-SMZJ3793BHM3_B/ITR 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
BZD27C62P-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C62P-HM3-18 0.0990
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab 800MW DO-219AB (SMF) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-BZD27C62P-HM3-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47 v 62 v 80 옴
ESH1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1BHE3_A/H 0.1568
RFQ
ECAD 1145 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ESH1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 1 a 25 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
1N5393-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5393-E3/54 0.3700
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5393 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 200 v 1.4 V @ 1.5 a 2 µs 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
PLZ3V9B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plz3v9b-g3/h 0.2800
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.35% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz3v9 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.03 v 50 옴
BZX84C2V4-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C2V4-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C2V4 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
VS-MURB820-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb820-1pbf -
RFQ
ECAD 3538 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA murb820 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsmurb8201pbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 8 a 20 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
VLZ18A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ18A-GS18 -
RFQ
ECAD 2043 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ18 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 15.4 v 16.64 v 23 옴
CSA2M-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division CSA2M-E3/i 0.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CSA2 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 1000 v 1.15 V @ 2 a 2.1 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.6a 11pf @ 4V, 1MHz
UG1D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1D-E3/54 0.3900
RFQ
ECAD 926 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UG1 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고