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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
UG12JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG12JTHE3/45 -
RFQ
ECAD 3331 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 UG12 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 12 a 50 ns 30 µa @ 600 v 150 ° C (°) 12a -
V2PM12L-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2pm12l-m3/i 0.0820
RFQ
ECAD 9349 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA v2pm12 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V2PM12L-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 620 MV @ 1 a 200 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 1.8a 180pf @ 4V, 1MHz
IRKE56/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division irke56/12a -
RFQ
ECAD 8252 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (2) irke56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1200 v 10 ma @ 1200 v 60a -
PLZ5V6C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ5V6C-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz5v6 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2.5 v 5.76 v 13 옴
SS24SHE3J_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss24she3j_a/h -
RFQ
ECAD 3631 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SS24 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 2 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 130pf @ 4V, 1MHz
SS2FH6HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2fh6hm3/h 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS2FH6 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 780 MV @ 2 a 3 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 90pf @ 4V, 1MHz
MPG06G-E3/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06G-E3/100 0.1487
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 MPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 400 v 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
VS-C4PH6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C4PH6006LHN3 1.9356
RFQ
ECAD 6942 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 C4PH6006 기준 TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 V @ 30 a 55 ns 50 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
VBT5200-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT5200-E3/4W 0.3731
RFQ
ECAD 6003 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VBT5200 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.6 V @ 5 a 150 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 5a -
VS-80APF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APF12-M3 11.7200
RFQ
ECAD 1102 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 80APF12 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-80APF12-M3GI 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.35 V @ 80 a 480 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 80a -
SE70PGHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se70pghm3_a/h 0.8500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE70 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 400 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.9A 76pf @ 4v, 1MHz
MMBZ5264C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5264C-HE3-08 -
RFQ
ECAD 2175 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5264 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 46 v 60 v 170 옴
V20M100M-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20M100M-E3/4W 0.5145
RFQ
ECAD 4782 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 V20M100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 1.02 V @ 10 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
1N6478HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6478HE3/97 -
RFQ
ECAD 3370 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N6478 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1N6478HE3_A/I 귀 99 8541.10.0080 5,000 50 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
GP10JE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10JE-M3/73 -
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VS-8TQ060-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ060-N3 -
RFQ
ECAD 7804 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 8tq060 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-8TQ060-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 720 MV @ 8 a 50 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
MPG06D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06D-E3/73 -
RFQ
ECAD 6159 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 MPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBRB7H50-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB7H50-E3/45 -
RFQ
ECAD 3686 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB7 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 730 MV @ 7.5 a 50 @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 7.5A -
VS-4EGH06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4EGH06-M3/5BT 0.5900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 4EGH06 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 4 a 41 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a -
P600G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600G-E3/73 0.9000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P600 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 300 400 v 900 mV @ 6 a 2.5 µs 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 6A 150pf @ 4V, 1MHz
VS-STPS20L15GR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS20L15GR-M3 0.6448
RFQ
ECAD 9758 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 15 v 520 MV @ 40 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C 20A 2000pf @ 5V, 1MHz
VLZ15B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ15B-GS18 -
RFQ
ECAD 2052 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ15 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 13.2 v 14.26 v 16 옴
S8CMHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S8cmhm3/i 0.3960
RFQ
ECAD 1893 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S8CM 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 1000 v 985 MV @ 8 a 4 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 79pf @ 4v, 1MHz
BZD27C56P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C56P-HE3-08 0.4500
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C56 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 43 v 56 v 60 옴
AZ23C51-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C51-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 9397 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C51 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 38 v 51 v 100 옴
VS-8ETH06STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH06STRLPBF -
RFQ
ECAD 3661 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8ETH06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8eth06strlpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
UF4004-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4004-M3/73 0.3900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4004 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
VS-80CPH03-F3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80CPH03-F3 -
RFQ
ECAD 9037 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 80cph03 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs80cph03f3 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 20A 1.25 V @ 40 a 35 ns 10 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-30CTH02-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH02-1-M3 0.8821
RFQ
ECAD 8151 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 30cth02 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 1.05 V @ 15 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-20TQ040STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ040STRL-M3 0.7874
RFQ
ECAD 2826 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 20 a 2.7 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 1400pf @ 5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고