RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (31214)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
IRKH162/08	-	RFQ	5837	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	int-a-pak (3 + 2)	IRKH162			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3		200 MA	800 v	355 a	2.5 v	4870A, 5100A	150 MA		160 a												1 scr, 1 다이오드
VS-U5FH120FA120	24.4000	RFQ	159	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	VS-U5FH	기준			SOT-227	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	112-VS-U5FH120FA120	귀 99	8541.10.0080	10	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											2 독립	1200 v	60A (DC)	2.5 V @ 60 a	71 ns	80 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-78-4581PBF	-	RFQ	5740	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로					78-4581					-				112-VS-78-4581PBF			1
BU10105S-E3/45	1.7900	RFQ	247	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, BU-5S	BU10105	기준			ISOCINK+™ BU-5S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20															1.05 V @ 5 a		5 µa @ 1000 v		3.2 a			단일 단일	1kv
MMSZ5232C-HE3_A-18	0.0566	RFQ	9389	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW		SOD-123	다운로드				112-MMSZ5232C-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	10,000															900 mV @ 10 ma		5 µa @ 3 v							5.6 v	11 옴
au1fkhm3/i	0.0980	RFQ	6691	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab		눈사태			DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	112-au1fkhm3/itr	귀 99	8541.10.0080	10,000	짐												800 v		1.85 V @ 1 a	75 ns	1 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	8.2pf @ 4V, 1MHz
BZG03C160-HM3-08	0.5200	RFQ	895	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG03C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4.06%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03C160		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500															1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 120 v							160 v	350 옴
IRKT56/12A	-	RFQ	1911	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	IRKT56			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10		200 MA	1.2kV	135 a	2.5 v	1310a, 1370a	150 MA		60 a												1 scr, 1 다이오드
VS-25F60	6.3700	RFQ	5184	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	25F60	기준			DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	짐												600 v		1.3 v @ 78 a		12 ma @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	25A	-
BZX384C6V8-E3-08	0.2400	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384C6V8		200 MW		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	2 µa @ 4 v							6.8 v	15 옴
VS-ST330S16M1PBF	243.6283	RFQ	6871	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ae, to-118-4, 스터드	ST330				TO-209AE (TO-118)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSST330S16M1PBF	귀 99	8541.30.0080	6		600 MA	1.6kV	520 a	3 v	7570A, 7920A	200 MA	1.52 v	330 a	50 MA	표준 표준
BZT52C36-E3-08	0.0360	RFQ	1675	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C36		410 MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																	100 na @ 27 v							36 v	40
BZD27B30P-E3-18	0.1050	RFQ	4973	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27B30		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000															1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 22 v							30 v	15 옴
SMAZ5928B-M3/61	0.1063	RFQ	8916	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz5928		500MW		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800															1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 9.9 v							13 v	7 옴
BZX85C24-TR	0.3800	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX85	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85C24		1.3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	500 na @ 18 v							24 v	25 옴
VS-20TQ035-N3	-	RFQ	4931	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	20TQ035	Schottky			TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs20tq035n3	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												35 v		570 mV @ 20 a		2.7 ma @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
v15pm63hm3/h	0.8200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn		Schottky			TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												60 v		660 mV @ 15 a		35 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C	4.6a	2700pf @ 4V, 1MHz
89CNQ135APBF	-	RFQ	9447	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	D-61-8	89cnq	Schottky			D-61-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	135 v	40a	990 mV @ 40 a		1.5 ma @ 135 v	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-HFA16TA60CSPBF	-	RFQ	5557	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	튜브	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	HFA16	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	600 v	8a	1.7 V @ 8 a	55 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SB340-E3/54	0.4300	RFQ	928	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB340	Schottky			Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v		490 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
MMSZ5256B-E3-18	0.0360	RFQ	4076	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5256		500MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	100 na @ 23 v							30 v	49 옴
SE30AFB-M3/6A	0.4400	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SE30	기준			DO-221AC (Slimsma)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	짐												100 v		1.1 v @ 3 a	1.5 µs	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.4a	19pf @ 4V, 1MHz
EGL34DHE3/98	-	RFQ	7451	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-213AA (유리)	EGL34	기준			DO-213AA (GL34)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		1.25 V @ 500 ma	50 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	7pf @ 4V, 1MHz
UG18BCthe3/45	-	RFQ	1953	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	UG18	기준			TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	18a	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BZG03C180-M3-18	0.5000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG03C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.39%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03C180		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000															1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 130 v							180 v	400 옴
ugb10bcthe3_a/i	-	RFQ	5346	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준			TO-263AB	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-ugb10bcthe3_a/itr	귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	5a	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-80-7383	-	RFQ	2483	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로					80-7383					-				112-VS-80-7383			1
BAS16-HE3-18	0.2200	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS16	기준			SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												75 v		1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
VT30L60C-E3/4W	1.1233	RFQ	9599	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	VT30L60	Schottky			TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VT30L60CE34W	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	60 v	15a	600 mV @ 15 a		4 ma @ 60 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZG03B20-HM3-18	0.2310	RFQ	4632	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG03B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03B20		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000															1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 15 v							20 v	15 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²