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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMSZ5246C-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5246C-HE3_A-08 0.0566
RFQ
ECAD 1794 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5246C-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
V20DM120-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM120-M3/I 1.0500
RFQ
ECAD 3463 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V20DM120 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 10A 930 MV @ 10 a 600 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C
BZT03C39-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C39-TAP 0.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT03 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5.13% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BZT03C39 1.3 w SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
BZX84C30-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C30-G3-18 0.0353
RFQ
ECAD 6469 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C30 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
BZG05C9V1-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C9V1-E3-TR3 -
RFQ
ECAD 3089 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 6.8 v 9.1 v 5 옴
PLZ7V5A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ7V5A-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.63% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz7v5 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 500 na @ 4 v 7.04 v 8 옴
BZG05C12-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C12-M3-18 0.1089
RFQ
ECAD 5053 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.42% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C12 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 9.1 v 12 v 9 옴
MMBZ4694-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4694-HE3-08 -
RFQ
ECAD 5038 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4694 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 10 µa @ 6.2 v 8.2 v
MMSZ4692-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4692-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 4624 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4692 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 5.1 v 6.8 v
VS-P403 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-P403 39.4490
RFQ
ECAD 2124 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 8-pace-pak P403 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSP403 귀 99 8541.30.0080 10 130 MA 800 v 40 a 2 v 385A, 400A 60 MA 2 개의 scr, 2 개의 다이오드
BAS40-05-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-05-HE3-18 0.0577
RFQ
ECAD 2226 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 200ma 1 v @ 40 ma 5 ns 100 na @ 30 v 125 ° C (°)
VS-C5TX3012-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C5TX3012-M3 2.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 C5TX3012 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-C5TX3012-M3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.3 v @ 15 a 44 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
GDZ2V0B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V0B-G3-18 0.3300
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ2V0 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 120 µa @ 500 mV 2 v 100 옴
SMZJ3800AHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3800EHE3/52 -
RFQ
ECAD 6383 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj38 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 22.8 v 30 v 26 옴
BZG03C27-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C27-HM3-18 0.1898
RFQ
ECAD 5532 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C27 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
RGP15G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP15G-E3/54 0.5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 RGP15 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
VS-GB05XP120KTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gb05xp120ktpbf -
RFQ
ECAD 5750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 12MTP 모듈 GB05 76 w 기준 MTP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsgb05xp120ktpbf 귀 99 8541.29.0095 105 3 단계 인버터 - 1200 v 12 a - 250 µA
EGP20DHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20DHE3/54 -
RFQ
ECAD 7271 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 EGP20 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 70pf @ 4V, 1MHz
FGP20C-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP20C-E3/73 -
RFQ
ECAD 8728 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FGP20 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 35 ns 2 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
BZX55F9V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F9V1-TAP -
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
TZMC2V4-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC2V4-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 2321 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tzmc2v4 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
US1GHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1GHE3_A/H 0.4300
RFQ
ECAD 546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZW03C62-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C62-TAP -
RFQ
ECAD 5156 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µa @ 47 v 62 v 42 옴
VSKTF200-12HJ Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKTF200-12HJ -
RFQ
ECAD 7837 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKTF200 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 600 MA 1.2kV 444 a 3 v 7600A, 8000A 200 MA 200a 2 scrs
MMSZ5255B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5255B-E3-08 0.0360
RFQ
ECAD 1546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5255 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
AGP15-800-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AGP15-800-E3/54 -
RFQ
ECAD 7634 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 AGP15 눈사태 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 800 v 1.1 v @ 1.5 a 2 µs 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
BZX84B75-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B75-G3-08 0.0389
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B75 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
VS-MBR2080CT-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr2080ct-1pbf -
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MBR20 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 10A 800 mV @ 10 a 100 µa @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-ST230C20C1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST230C20C1 86.8958
RFQ
ECAD 6276 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AB, A-PUK ST230 TO-200AB, A-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsst230c20c1 귀 99 8541.30.0080 12 600 MA 2kv 780 a 3 v 4800A, 5000A 150 MA 1.69 v 410 a 30 MA 표준 표준
BZG03C270-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C270-M3-18 0.5000
RFQ
ECAD 7341 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C270 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 200 v 270 v 1000 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고