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![]() | V20DM120-M3/I | 1.0500 | ![]() | 3463 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | V20DM120 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 120 v | 10A | 930 MV @ 10 a | 600 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | EGP20DHE3/54 | - | ![]() | 7271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | EGP20 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 950 MV @ 2 a | 50 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | US1GHE3_A/H | 0.4300 | ![]() | 546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | US1G | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BZG03C270-M3-18 | 0.5000 | ![]() | 7341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 7.04% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C270 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 200 v | 270 v | 1000 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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