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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SB15H45-E3/54	-	RFQ	7335	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SB15H45	Schottky			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									45 v		480 mV @ 5 a		300 µa @ 45 v	200 ° C (()	7a	1020pf @ 4V, 1MHz
SL44HE3_A/H	-	RFQ	6821	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SL44	Schottky			DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v		500 mV @ 8 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	-
ESH3BHE3_A/H	0.3208	RFQ	6318	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	ESH3	기준			DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		900 mV @ 3 a	40 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	70pf @ 4V, 1MHz
IRKH56/08A	-	RFQ	3125	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKH56			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA	800 v	135 a	2.5 v	1310a, 1370a	150 MA	60 a										1 scr, 1 다이오드
MBRB10100CT-M3/8W	0.7437	RFQ	6706	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB10100	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	90 v	10A	800 mV @ 10 a		100 @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C
IRKT71/14A	-	RFQ	4505	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	IRKT71			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA	1.4kV	165 a	2.5 v	1665a, 1740a	150 MA	75 a										1 scr, 1 다이오드
MMBZ5232B-HE3-08	-	RFQ	9426	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5232		225 MW		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000															5 µa @ 3 v					5.6 v	11 옴
AZ23B6V8-E3-18	0.0509	RFQ	6752	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	AZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B6V8		300MW		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 양극 양극 공통														100 na @ 3 v					6.8 v	8 옴
MMBZ5239C-G3-18	-	RFQ	8440	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5239		225 MW		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															3 µa @ 7 v					9.1 v	10 옴
TZX12B-TAP	0.0287	RFQ	5646	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZX	테이프 & t (TB)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	TZX12		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000													1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 9.5 v					12 v	35 옴
BZD27B110P-M3-18	0.1155	RFQ	3119	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27B110		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 82 v					110 v	250 옴
ugb15jthe3/81	-	RFQ	5728	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	UGB15	기준			to-263ab (d²pak)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		1.75 V @ 15 a	50 ns	30 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
IRKH41/08A	-	RFQ	3293	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKH41			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA	800 v	100 a	2.5 v	850A, 890A	150 MA	45 a										1 scr, 1 다이오드
v8p22Chm3/i	0.4290	RFQ	7090	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn		Schottky			TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	112-V8p22CHM3/ITR	귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	200 v	3.1a	900 mV @ 4 a		80 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 175 ° C
MMSZ4715-HE3-08	0.0378	RFQ	5549	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ4715		500MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000															10 NA @ 27.3 v					36 v
VS-S1601	-	RFQ	4257	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	*	튜브	쓸모없는					S1601					-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	50
SS25HE3_A/H	0.5400	RFQ	3163	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS25	Schottky			DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v		700 mv @ 2 a		400 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
VS-30CTQ100HN3	1.1798	RFQ	6845	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky			TO-220AB	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-VS-30CTQ100HN3	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	100 v	15a	860 mV @ 15 a		550 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
MBRB2060CT-E3/81	1.5200	RFQ	239	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB2060	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	10A	800 mV @ 10 a		150 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-30CTQ100G-1PBF	-	RFQ	2596	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	30CTQ100	Schottky			TO-262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		vs30ctq100g1pbf	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	100 v	15a	1.05 V @ 30 a		550 µa @ 100 v	175 ° C (°)
SF5408 4	1.2600	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	SOD-64,, 방향	SF5408	기준			SOD-64	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1000 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
vx80100pwhm3/p	2.9126	RFQ	3388	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3		Schottky			TO-247AD	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	112-vx80100pwhm3/p	귀 99	8541.10.0080	25		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	100 v	40a	800 mV @ 40 a		800 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
SMZJ3803BHE3/52	-	RFQ	7169	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	smzj38		1.5 w		DO-214AA (SMBJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	750															5 µa @ 29.7 v					39 v	45 옴
MBRB2035CT-E3/45	-	RFQ	2393	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB20	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	35 v	10A	650 mV @ 10 a		100 µa @ 35 v	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKC91/04	40.5200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	Add-A-Pak (3)	vskc91	기준			Add-a-Pak®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKC9104	귀 99	8541.10.0080	10		짐								1 연결 연결 시리즈	400 v	50a			10 ma @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZG03C18-M3-08	0.5000	RFQ	4748	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG03C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.39%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03C18		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500													1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 13 v					18 v	15 옴
VS-70HFR140	13.7400	RFQ	54	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	70HFR140	표준, 극성 역			do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐									1400 v		1.46 V @ 220 a		4.5 ma @ 1400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	70A	-
SS14HE3_B/H	0.4400	RFQ	17	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky			DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v				200 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
VS-48CTQ060-N3	-	RFQ	4095	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	48ctq060	Schottky			TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs48ctq060n3	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	20A	830 MV @ 40 a		2 ma @ 60 v	150 ° C (°)
GP10B-E3/73	-	RFQ	9833	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐									100 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²