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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
VS-41HF60	6.5672	RFQ	6926	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	41HF60	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		600 v		1.3 v @ 125 a		9 ma @ 600 v	-65 ° C ~ 190 ° C	40a	-
VBT2045C-E3/8W	0.8206	RFQ	7878	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	vbt2045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	10A	580 mV @ 10 a		2 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-20ETF12STRR-M3	1.6055	RFQ	2219	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	20etf12	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1200 v		1.31 V @ 20 a	400 ns	100 µa @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
BY299P-E3/73	-	RFQ	1444	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	by299	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 3 a	500 ns	10 µa @ 800 v	-50 ° C ~ 125 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
BY251GPHE3/73	-	RFQ	4245	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	by251	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		짐		200 v		1.1 v @ 3 a	3 µs	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
SBYV27-200-E3/54	0.4600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SBYV27	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.07 V @ 3 a	15 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
GP02-20-E3/54	0.5700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP02	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,500		짐		2000 v		3 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 2000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	250ma	-
VBT3080C-E3/8W	1.5300	RFQ	9183	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	vbt3080	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	80 v	15a	820 MV @ 15 a		700 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SE07PJ-E3/84A	-	RFQ	7664	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-220AA	SE07	기준		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		600 v		1.05 V @ 700 ma		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	700ma	5pf @ 4V, 1MHz
V2FM10-M3/H	0.3800	RFQ	4008	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	V2FM10	Schottky		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		830 mv @ 2 a		55 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	150pf @ 4V, 1MHz
AZ23C30-HE3_A-08	-	RFQ	5378	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, AZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23-3	다운로드				112-AZ23C30-HE3_A-08TR	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							50 na @ 21 v						30 v	80 옴
vs-50wq03fntrl-m3	0.3226	RFQ	9026	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	50WQ03	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs50wq03fntrlm3	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		460 mV @ 5 a		3 ma @ 30 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5A	590pf @ 5V, 1MHz
SS36-001HE3_A/I	-	RFQ	6530	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS36	Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VI10150CHM3/4W	-	RFQ	5221	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TMBS®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	VI10150	Schottky		TO-262AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	5a	750 mV @ 5 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4001GPHE3/54	-	RFQ	6014	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4001	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		짐		50 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
RGF1B-E3/67A	0.5400	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214BA	RGF1	기준		DO-214BA (GF1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
GP10GHE3/54	-	RFQ	1877	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		짐		400 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
50wq06fntrl	-	RFQ	2979	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	50WQ06	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		570 mV @ 5 a		3 ma @ 60 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5A	360pf @ 5V, 1MHz
UF5404-E3/73	0.6100	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UF5404	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
mbra140tr	-	RFQ	1267	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	mbra1	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
HFA25TB60	-	RFQ	3269	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	HFA25	기준		TO-220AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 25 a	75 ns	20 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	25A	-
VS-40HFR100	10.1800	RFQ	61	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	40HFR100	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		1000 v		1.3 v @ 125 a		9 ma @ 1000 v	-65 ° C ~ 190 ° C	40a	-
VS-15ETH06PBF	-	RFQ	8804	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	15ETH06	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2.2 v @ 15 a	35 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
BY127MGP-E3/73	-	RFQ	3355	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	BY127	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		짐		1250 v		1.5 v @ 5 a	2 µs	5 µa @ 1250 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1.75A	-
VS-30CPQ100-N3	3.0600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	30cpq100	Schottky		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS-30CPQ100-N3GI	귀 99	8541.10.0080	25		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	30A	1.05 V @ 30 a		550 µa @ 100 v
12TQ045STRL	-	RFQ	9008	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	12TQ045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		560 mV @ 15 a		1.75 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
v4pal45hm3_a/i	0.6000	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드	v4pal45	Schottky		DO-221BC (SMPA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		430 mv @ 2 a		450 µa @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	450pf @ 4V, 1MHz
AR3PJ-M3/87A	0.3185	RFQ	3483	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	AR3	눈사태		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.6 V @ 3 a	140 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.8a	44pf @ 4V, 1MHz
3N253-E4/45	-	RFQ	4608	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPM	3N253	기준		KBPM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	30						1.1 v @ 3.14 a		5 µa @ 50 v		2 a		단일 단일	50 v
1N4937GPHE3/54	-	RFQ	3875	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4937	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²