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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
GDZ3V0B-E3-18	0.0360	RFQ	6563	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	GDZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ3V0		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																		50 µa @ 1 v				3 v	120 옴
V30100C-E3/4W	1.7200	RFQ	802	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	v30100	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	15a	800 mV @ 15 a		500 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MURS120HE3_A/H	0.1815	RFQ	4602	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	MURS120	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		875 mv @ 1 a	35 ns	2 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
SRP300D-E3/54	-	RFQ	9763	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SRP300	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	10 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
TZX27X-TAP	0.0273	RFQ	7979	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZX	테이프 & t (TB)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	TZX27		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000																1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 21 v				27 v	80 옴
TLZ20B-GS18	0.0335	RFQ	3327	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TLZ20		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		40 NA @ 17.7 v				20 v	28 옴
VB40100C-M3/8W	1.3540	RFQ	4483	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VB40100	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	20A	730 mv @ 20 a		1 ma @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZG05B12-E3-TR3	-	RFQ	9383	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 9.1 v				12 v	9 옴
TVR06D-E3/73	-	RFQ	5244	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	TVR06	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		짐												200 v		1.4 v @ 600 ma		10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	600ma	15pf @ 4V, 1MHz
VS-80PF160W	6.3468	RFQ	8948	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	80pf160	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs80pf160w	귀 99	8541.10.0080	100		짐												1600 v		1.46 V @ 220 a			-55 ° C ~ 150 ° C	80a	-
VS-70HFL80S05	15.0500	RFQ	88	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	70HFL80	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												800 v		1.85 V @ 219.8 a	500 ns	100 µa @ 800 v	-40 ° C ~ 125 ° C	70A	-
CS3G-E3/H	-	RFQ	2821	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	CS3	기준		DO-214AB (SMC)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		짐												400 v		1.2 v @ 3 a	2.8 µs	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	26pf @ 4V, 1MHz
VS-40L15CT-1-M3	1.2420	RFQ	2959	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	40L15	Schottky		TO-262AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	15 v	20A	410 mV @ 19 a		10 ma @ 15 v	-55 ° C ~ 125 ° C
Z4KE150AHE3/54	-	RFQ	7181	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	Z4KE150		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,500																1 V @ 500 MA		500 NA @ 113.6 v				150 v	1000 옴
8AF05RPP	-	RFQ	7695	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시, 마운트 스터드	B-47	8AF05	기준		B-47	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*8AF05RPP	귀 99	8541.10.0080	100		짐												50 v				7 ma @ 50 v	-65 ° C ~ 195 ° C	50a	-
SE30AFD-M3/6B	0.1228	RFQ	4473	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SE30	기준		DO-221AC (Slimsma)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		짐												200 v		1.1 v @ 3 a	1.5 µs	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.4a	19pf @ 4V, 1MHz
DZ23C4V7-G3-18	0.0483	RFQ	2918	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	DZ23-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 음극 음극 공통																					4.7 v	78 옴
V20K60HM3/i	0.4021	RFQ	7386	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-V20K60HM3/ITR	귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												60 v		610 mV @ 20 a		700 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5a	2910pf @ 4V, 1MHz
RGL34J-E3/83	0.4500	RFQ	36	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AA (유리)	RGL34	기준		DO-213AA (GL34)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	9,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.3 v @ 500 ma	250 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
VT1060C-M3/4W	0.6331	RFQ	8855	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	VT1060	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VT1060CM34W	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	60 v	5a	700 mv @ 5 a		700 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2545CT	-	RFQ	1671	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR2545	Schottky		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	15a	820 MV @ 30 a		200 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
SA2J-M3/5AT	0.0717	RFQ	3741	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SA2	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		짐												600 v		1.1 v @ 2 a	1.5 µs	3 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	11pf @ 4V, 1MHz
ESH1BHE3_A/H	0.1568	RFQ	1145	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ESH1	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		900 mV @ 1 a	25 ns	1 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
VFT3045C-M3/4W	1.9800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	vft3045	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	15a	570 mV @ 15 a		2 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C
GF1B-E3/67A	0.4900	RFQ	27	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214BA	GF1	기준		DO-214BA (GF1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		짐												100 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
BZG05B33-M3-08	0.1980	RFQ	5543	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05B33		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 24 v				33 v	35 옴
VS-25TTS12-M3	4.6700	RFQ	487	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3	25TTS12			TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS25TTS12M3	귀 99	8541.30.0080	50			150 MA	1.2kV	25 a	2 v	270A @ 50Hz	45 MA	1.25 v	16 a	500 µA	표준 표준
BZX85B51-TR	0.0561	RFQ	9563	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX85	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85B51		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	25,000																		500 NA @ 39 v				51 v	115 옴
BYM11-200HE3/97	-	RFQ	9713	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	bym11	기준		do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BYM11-200HE3_A/I	귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
VS-1EFH01W-M3-18	-	RFQ	6154	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	do-219ab	1EFH01	기준		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		930 MV @ 1 a	16 ns	2 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²