RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (31214)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
UH1PB-M3/85A	0.0903	RFQ	3065	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	uh1	기준		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		1.05 V @ 1 a	40 ns	1 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	16pf @ 4V, 1MHz
CSA2G-E3/H	-	RFQ	9719	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	CSA2	기준		DO-214AC (SMA)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		짐												400 v		1.15 V @ 2 a	2.1 µs	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	11pf @ 4V, 1MHz
VS-403CNQ100PBF	47.3900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	TO-244AB	403CNQ100	Schottky		TO-244AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	200a	840 mV @ 200 a		6 ma @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BYG24J-E3/TR3	0.1931	RFQ	5585	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	BYG24	눈사태		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.25 V @ 1.5 a	140 ns	1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	-
TZMA20-GS08	0.1497	RFQ	6927	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZMA20		500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,500																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 15 v				20 v	55 옴
BZX84B13-HE3-08	0.2600	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX84	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B13		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		100 na @ 8 v				13 v	30 옴
BZX84C6V2-HE3-18	0.2400	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX84	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C6V2		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																		3 µa @ 4 v				6.2 v	10 옴
6CWQ03FN	-	RFQ	8151	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	6CWQ03	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	75		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	30 v	3.5a	450 mV @ 3 a		2 ma @ 30 v	-40 ° C ~ 150 ° C
DZ23C13-G3-18	0.0483	RFQ	1969	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	DZ23-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 음극 음극 공통																	100 na @ 10 v				13 v	25 옴
MMBZ4706-E3-08	-	RFQ	6693	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4706		350 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																		50 NA @ 14.4 v				19 v
VS-32CTQ025STRRHM3	1.4113	RFQ	3885	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	32ctq025	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	25 v	15a	490 mV @ 15 a		1.75 ma @ 25 v	-55 ° C ~ 150 ° C
AR3PMHM3_A/H	0.4950	RFQ	9507	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	AR3	눈사태		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1000 v		1.9 V @ 3 a	120 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.6a	34pf @ 4V, 1MHz
82CNQ030ASL	-	RFQ	8493	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	D-61-8-SL	82CNQ	Schottky		D-61-8-SL	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	30 v	40a	550 mV @ 80 a		5 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-48CTQ060PBF	-	RFQ	4553	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-3	48ctq060	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	60 v	20A	610 mV @ 20 a		2 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TZQ5224B-GS08	0.0303	RFQ	4098	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	TZQ5224		500MW	SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,500																1.5 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v				2.8 v	30 옴
30wq04fntrl	-	RFQ	6320	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	30WQ04	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v		530 mV @ 3 a		2 ma @ 40 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	-
VS-95-9870PBF	-	RFQ	5958	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	*	튜브	쓸모없는									-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	50
VS-22RIA120M	17.1757	RFQ	3353	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드	22RIA120			TO-208AA (TO-48)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS22RIA120M	귀 99	8541.30.0080	100			130 MA	1.2kV	35 a	2 v	335A, 355A	60 MA	1.7 v	22 a	10 MA	표준 표준
MMBZ5239B-G3-18	-	RFQ	6502	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5239		225 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																		3 µa @ 7 v				9.1 v	10 옴
1N4004GPEHE3/54	-	RFQ	8279	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4004	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	IN4004GPEHE3/54	귀 99	8541.10.0080	5,500		짐												400 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
VS-ST083S08PFM1	110.3464	RFQ	3312	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	ST083			TO-209AC (TO-94)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsst083s08pfm1	귀 99	8541.30.0080	25			600 MA	800 v	135 a	3 v	2060a, 2160a	200 MA	2.15 v	85 a	30 MA	표준 표준
ESH2C-M3/5BT	0.1257	RFQ	6655	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ESH2	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												150 v		930 MV @ 2 a	35 ns	2 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
GDZ8V2B-HE3-08	0.2800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, GDZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ8V2		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		500 na @ 5 v				8.2 v	30 옴
BZX584C10-VG-08	-	RFQ	6819	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX584C-VG	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		200 na @ 7 v				10 v	20 옴
1N4747a-t	-	RFQ	5160	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4747		1.3 w	DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 15.2 v				20 v	750 옴
BZD27C51P-HE3-18	0.1645	RFQ	8373	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C51		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 39 v				51 v	60 옴
GLL4752-E3/97	0.2970	RFQ	7431	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	GLL4752		1 W.	Melf do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																		5 µa @ 25.1 v				33 v	45 옴
NSB8ATHE3_B/I	0.6930	RFQ	2936	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	NSB8	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		짐												50 v		1.1 v @ 8 a		10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	55pf @ 4V, 1MHz
vs-mubr1020ctr-m3	0.3722	RFQ	8570	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	murb1020	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	200 v	5a	1.25 V @ 10 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C
MBRB1550CT-E3/45	-	RFQ	7165	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB15	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	50 v	7.5A	750MV @ 7.5 a		1 ma @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²